出电压/v min (250khz) type max 1 5 15 最大输出电流/a 40 80 120 160 200 磁芯截面积/cm2 0.68 1.36 2.04 2.72 3.4 磁路长度/cm3 2.8 磁芯体积/cm3 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 铁损（250khz， bm=80mt，vout=5v) 400mw 800mw 1.2w 1.6w 2.0w 泄漏电感（per turn sq.) 4nh 8nh 12nh 16nh 20nh 2 平面变压器的使用 平面变压器的使用主要有以下三个原则： （１）根据输出电压的大小来选用相应型号的平面变压器； （２）根据输出电流的大小来确定并联的平面变压器个数； （３）根据输入输出电压的大小来确定变比及原边绕组的匝数。 例如，开关电源输出电压５ｖ，输出电流１５０ａ。选用５ｖ系列的平面变压器ｆｔｉ－１２×２ａ－ｘｘ。如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－１ａ，就需要５个并联；如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－５ａ（实际就是由５个ｆｔｉ－１２×２ａ－１ａ并联
等在确定电路的pcb板、散热器尺寸、装配工艺以及mosfet的电气参数时都极为重要。类似地，封装热阻rθjc也会影响mosfet的性能。简单地说，由于较低的rθjc将会减小mosfet工作过程中的结温，从而将提供mosfet的可靠性和性能。 由于电路的杂散电感和电容将影响放大器的emi性能，内部封装电感将会对emi噪声的产生起很大贡献。图5中对利用相同的mosfet芯片但内部电感不同的两种封装的emi噪声进行了比较。例如，将directfet mosfet（<1nh）与to-220（~12nh） 进行比较，发现前者具有更好的emi性能。其噪声大约比to-220低9db,尽管其上升和下降时间比to-220大约快3倍。于是，对于d类放大器的可靠性，效率，噪声性能及成本的改善来讲，封装的选择是非常重要的。 最后，最高结温tj（max）也是非常关键的，因为它决定了散热器的大小。具有较高结温的mosfet可以承受较高的功耗，因此，需要较小的散热器。从而减小了放大器的尺寸和成本。 数字音频mosfet 综合考虑了上述各种参数，ir公司特别开发出了用于d类音频应用放大器的功率mos
），射频输出通道无匹配要求，所有端口都是单端形式。mrfic2002引脚封装形式如图3所示，各引脚功能见表1。mrfic2002的典型应用电路如图4所示。 图3 mrfic2002的引脚封装形式及内部结构 表1mrfic2002的引脚功能 mrfic2002的设计应用应该注意以下情况。 （1）本地振荡器和中频通道需要外部匹配。把本地振荡器通道匹配到50ω可以有几种方法。这里推荐一种方法，即把串连在输入端的电感器尽可能地靠近集成电路。这个电感器的电感值非常小（约8～12nh，取决于本机振荡器的振荡频率），它被设计印制在电路板上。本地振荡器输入端隔离直流是必要的，但不应该把隔直元件放在电感和集成电路之间，否则会妨碍电感器靠近集成电路，不能提供良好的匹配。 （2）中频输入阻抗匹配 在中频输入通道串连电感器前边的旁路电容可以提供大约50ω的阻抗变换，如图4中的并联电容c2。中频通道输入隔离直流也是必要的，隔直元件可以安排在匹配网络的任何一侧。 图4 mrfic2002的应用电路 （3）射频输入阻抗匹配 射频通道与小的感抗串联，约有50ω
max 1515 最大输出电流/a 40 80 120 160 200 磁芯截面积/cm2 0.68 1.36 2.04 2.72 3.4 磁路长度/cm3 2.8 磁芯体积/cm3 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 铁损（250khz，bm=80mt，vout=5v) 400mw 800mw 1.2w 1.6w 2.0w 泄漏电感（per turn sq.) 4nh 8nh 12nh 16nh 20nh 2 平面变压器的使用 平面变压器的使用主要有以下三个原则： （１）根据输出电压的大小来选用相应型号的平面变压器； （２）根据输出电流的大小来确定并联的平面变压器个数； （３）根据输入输出电压的大小来确定变比及原边绕组的匝数。 例如，开关电源输出电压５ｖ，输出电流１５０ａ。选用５ｖ系列的平面变压器ｆｔｉ－１２×２ａ－ｘｘ。如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－１ａ，就需要５个并联；如果用ｆｔｉ－１２×２ａ－５ａ（实际就是由５个ｆｔｉ
联系人：
联系方式：
