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意法半导体（st）推出一系列新的通信线路保护器件。trisil产品为保护adsl/vdsl调制解调器和类似的用户终端设备（cpe）高数据传输速率的通信设备而专门设计。 smp80mc系列微电容瞬变避雷器完全符合数字传输标准如adsl2和adsl2+，是第一个结电容与器件击穿电压无关的trisil产品，是第一个反复峰值脉冲电流额定值达到80a而典型电容只有12pf的系列产品。 因为容易遭到雷电浪涌的攻击，电信系统通常需要两级保护单元:安装在每条线路上的吸收大部分瞬间过压的主浪涌抑制器和安装在每个pcb电路板上的消除残余峰值过压的辅助保护器件。主抑制器的浪涌电流处理能力必须很高，并能够承受很高的电压。与非硅保护产品（如气体放电管）相比，st的trisil技术具有更加优异的性能，包括使用寿命长而无老化现象、紧公差、响应时间快速和失效保护操作。此外，当出现极大的雷电浪涌时，故障模式可导致短路，以保护设备和人员的安全。 这个扩展的产品系列符合主要的国际标准如gr-1089 core、itu-t-k20/k21、vde0433、vde0878、iec6100
max12557可以接受差分或单端模拟输入信号。差分输入可提供最佳性能。 转换器的裸露垫盘(ep)作为器件的主要接地途径，必须正确连接到指定地平面。 在adc电路和同一块板上的其他相邻电路之间放置一块“地岛”进行隔离。例如，如果同一块pcb上有多个adc电路，在它们之间放置一块地平面，将各个adc的相关电路隔离开来。 原理设计建议(图2-5) (引脚2和3，inap和inan)：为了获得最佳的总体交流性能，根据具体应用，这些引脚与地之间应并联一定的电容，容值范围在5.6pf到12pf之间。这些电容有可能被包含在驱动adc的抗混叠滤波器中，且应放在电路板的顶层。 (引脚6，coma)：coma通过一个高频性能良好的2.2µf陶瓷电容旁路至gnd。 (引脚7，refap)：通过一个位于pcb顶层的高频陶瓷电容(最大1.0µf)，将refap旁路至gnd。所有refap连线应尽可能短。 (引脚8，refan)：通过一个位于pcb顶层的高频陶瓷电容(最大1.0µf)，将refan旁路至gnd。所有refan连线应尽可能短。 (引脚
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出采用小型塑料sod923封装的新型esd单线路保护二极管。 凭借0.6 毫米×1.0毫米的占位面积以及0.4毫米的超薄厚度，vesd05a1b-02z可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的电子设备中的应用，且节省板面空间及提供esd保护。 该新型器件在2.5v时具有12pf的低典型电容，在0v（接地电平）时具有19pf的典型电容，在5v时具有0.1μa的较低最大漏电流。该esd保护二极管在1ma时可提供7.5v（最大）及6.8v（典型）的击穿电压，在3a及1a时分别可提供11v及9.5v的最大钳位电压。 该vesd05a1b-02z为一条数据线提供了符合iec 61000-4-2 (esd)规范的在20kv（空气及触点放电）瞬态保护，以及符合iec 61000-4-5（雷电）规范的3a (tp = 8/20μs)瞬态保护。该新器件还符合rohs 2002/95/ec及weee 2002/96/ec规范。 目前，采用小型sod923封装的新型esd
品。这些新的双向瞬态电压抑制器扩大了电压提供范围并降低了电容值，可用于保护高速adsl/vdsl调制解调器、以太网和以太网供电电路和其他高速通信设备，防止它们因为过电压而受到损坏。 新的sibar浪涌抑制器符合gr-1089 core、itu k.20/k.21、iec61000-4-5、fcc第68章以及ul60950等主要标准，并能对行业标准中的50a、80a、100a(10/1000μs)系列的浪涌电流提供快速的双向保护。器件的关键性参数：电压范围从6v至400v，电容低至12pf，最大漏电流仅2μa，最小保持电流为150毫安。器件有smb(jedec do-214aa)和sma(jedec do-214ac)两种表面贴装封装可供选择。 sibar浪涌抑制器能够保护敏感的电信设备和数据通信设备，防止包括雷击在内的瞬态过电压事件造成的损坏，在浪涌电压超过器件击穿电压时起分流作用。当浪涌电压超过击穿电压时，sibar工作在保护特性曲线的低阻区，形成一个低阻通路，有效地降低过电压。sibar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压事件过去之后，
vishay intertechnology, inc.宣布推出采用小型塑料sod923封装的新型esd单线路保护二极管。 凭借0.6 毫米×1.0毫米的占位面积以及0.4毫米的超薄厚度，vesd05a1b-02z可在面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的电子设备中的应用，且节省板面空间及提供esd保护。 该新型器件在2.5v时具有12pf的低典型电容，在0v（接地电平）时具有19pf的典型电容，在5v时具有0.1μa的较低最大漏电流。该esd保护二极管在1ma时可提供7.5v（最大）及6.8v（典型）的击穿电压，在3a及1a时分别可提供11v及9.5v的最大钳位电压。 该vesd05a1b-02z为一条数据线提供了符合iec 61000-4-2 (esd)规范的在20kv（空气及触点放电）瞬态保护，以及符合iec 61000-4-5（雷电）规范的3a (tp = 8/20μs)瞬态保护。该新器件还符合rohs 2002/95/ec及weee 2002/96/ec规范。 目前，采用小型sod923封装的新型esd单线路保护二极管的样品现有提供。大宗订
的频率。 3、 调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。 7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl＝r
路共同产生的频率。 3、 调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。 7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl＝r1（1+
在消费电子和计算机外设应用中减少系统成本和线路板空间，提供常用的诸如如打印机和高清电视(hdtv)等系统所需通用功能，而且无需使用分立器件。 ramtron市务副总裁mike alwais称：“fm3130专为价格敏感的应用而优化，这款“嵌入了铁电存储器fram的处理器外围芯片”亚洲主要的消费电子市场广受欢迎，并经过开发能支持多个现已就绪的特定客户设计，包括hdtv和打印机。” fm3130将64kb fram与rtc相结合，这个rtc集成了一个报警器和一个可编程频率时钟输出，支持常用的12pf时钟晶体。报警器将用户编程的报警值与相应的rtc时间/日期值进行比较，从而为高端电视机的自动开/关、频道切换、监护控制及个人视频录像机(pvr)功能提供解决方案。该器件采用工业标准2线总线来访问存储器并控制rtc，其封装是与tssop8接脚兼容的8脚tdfn (薄型双平面无铅)，或标准的8脚、150 mil soic封装。工作电压为2.7至3.6v，可在整个工业温 度范围 (-40至85度) 内操作。 fm3130特性如下 ?8kx8 fram ?c 真正的64kb非易失性fram(无需
这些新的双向瞬态电压抑制器扩大了电压提供范围并降低了电容值，可用于保护高速adsl/vdsl调制解调器、以太网和以太网供电电路和其他高速通信设备，防止它们因为过电压而受到损坏。 新的sibar浪涌抑制器符合gr-1089 core、itu k.20/k.21、iec61000-4-5、fcc第68章以及ul60950等主要标准，并能对行业标准中的50a、80a、100a（10/1000μs ）系列的浪涌电流提供快速的双向保护。 器件的关键性参数：电压范围从6v至400v，电容低至12pf，最大漏电流仅2μa，最小保持电流为150毫安。器件有smb（jedec do-214aa）和sma（jedec do-214ac）两种表面贴装封装可供选择。 sibar浪涌抑制器能够保护敏感的电信设备和数据通信设备，防止包括雷击在内的瞬态过电压事件造成的损坏，在浪涌电压超过器件击穿电压时起分流作用。当浪涌电压超过击穿电压时，sibar工作在保护特性曲线的低阻区，形成一个低阻通路，有效地降低过电压。sibar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压事件过去之后，s
加了新的产品。这些新的双向瞬态电压抑制器扩大了电压提供范围并降低了电容值，可用于保护高速adsl/vdsl调制解调器、以太网和以太网供电电路和其他高速通信设备，防止它们因为过电压而受到损坏。 新的sibar浪涌抑制器符合gr-1089 core、itu k.20/k.21、iec61000-4-5、fcc第68章以及ul60950等主要标准，并能对行业标准中的50a、80a、100a(10/1000μs)系列的浪涌电流提供快速的双向保护。器件的关键性参数：电压范围从6v至400v，电容低至12pf，最大漏电流仅2μa，最小保持电流为150毫安。器件有smb(jedec do-214aa)和sma(jedec do-214ac)两种表面贴装封装可供选择。 sibar浪涌抑制器能够保护敏感的电信设备和数据通信设备，防止包括雷击在内的瞬态过电压事件造成的损坏，在浪涌电压超过器件击穿电压时起分流作用。当浪涌电压超过击穿电压时，sibar工作在保护特性曲线的低阻区，形成一个低阻通路，有效地降低过电压。sibar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压事件过去之后，si
这个电路用于业余无线电发射机。电位计调整以获得最大想要的显示波段。对于20-10米，6pf的电容已足够。在低波段（80-40米），则使用7或12pf的电容。 来源:zhenglili
尝试结果=============================================================我把那个连接vco和i/q调制器（三个输入端：两个正交信号输入端，一个载波输入端）的102电容换成12pf的，现象和先前的情况差不多，载波信号幅度变小了。在此基础上我又从12pf电容的一个管腿接了一个12pf的电容到地，结果信号反而出不来了:(=============================================================
求教，如何将反向器加晶体产生的方波变为正弦波低通滤波基本无效，因为输入信号频率很高（12mhz），手头没有合适的运放大概解释一下这个电路：r1为负反馈电阻，引入合适的工作点让反向器内部工作于强放大状态r2为微调电阻。外部振荡器电容c3 c4，调整起振时间，值为12pf。从反向器出来的波形是标准方波，如果取晶振两边，也是一种类似于三角波和正弦波合体的波形。我现在需要一个同频率的正弦波，应该如何处理？除了低通滤波以外ps：图中后级晶体作为晶体滤波器。滤波出来的波形很难看。 * - 本贴最后修改时间：2005-7-31 2:01:34 修改者：雷风
ds1302.html">ds1302的晶振没有起振我使用ds1302时除了接32.768khz晶振，还接了两个12pf的电容，但是没有起振，请问大侠们是什么原因呢？ * - 本贴最后修改时间：2005-8-8 13:31:15 修改者：feifan570
建议电容用12pf，晶振用12mhz
rce code for ia4220 registervoid setup_tx (void){ set_tx_config (); set_tx_freq (0); set_tx_pwr (); tx_pwr_mng_start_osc (); cchipstatus = 0x00; low_batt_cntl(); wakeup_time_cntl();}void set_tx_config () { send_spi_cntl(0x9f71); // clk 10m, cap 12pf; deviation 60k/90 //915 century frequece //}void set_tx_freq (unsigned char i){ int cntl; cntl = freqgroup[i]; send_spi_cntl (cntl);}void set_tx_pwr (void){ unsigned char c0; c0 = tx_buf[0]; tx_buf[0] = 0xb0; spi_master (1); tx_buf[0] = c0;}void tx
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