160MK
Signal Conditioner
ETC
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160MT
Fuse
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THREE PHASE BRIDGE
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THREE PHASE BRIDGE
IRF [International Rectifier]
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pc 卡槽、usb 和单节锂离子或双节/三节碱性/镍镉/镍氢金属电池应用兼容。ltc3127 的电流模式降压-升压型拓扑通过所有工作模式提供连续传输模式，从而简化了设计并确保卓越的性能。ltc3127 的恒定 1.35mhz 开关频率提供低噪声工作，同时最大限度地减小所需为数不多的几个外部组件的尺寸。纤巧外部组件结合 3mm×3mm dfn 或 msop-12 封装为空间受限应用提供高度紧凑的占板面积解决方案。 ltc3127 含有两个 n 沟道 mosfet (分别为 140mω 和 160mω) 和两个 p 沟道 mosfet (分别为 160mω 和 190mω)，以提供高达 96% 的效率。该器件的可选突发模式 (burst mode) 工作仅需要 35ua 的静态电流，停机电流低于 1ua，从而进一步延长了电池运行时间。就需要最低噪声的应用而言，ltc3127 可以配置为以固定频率 pwm 模式运行，从而降低了噪声和潜在的 rf 干扰。其它特点包括热过载保护和输出断接功能。 ltc3127edd 采用 10 引线 dfn 封装，有现货供应，ltc3127emse 采用
通信体系结构。 软件无线电最早是应军队各个具有不同架构需求兵种的移动通信系统的要求而产生的。由于不同兵种的不同种类系统运行在各自独立的频带上，所以协调通信的能力、特别是在实际战争期间协调通信的能力，就显得非常必要。在商业方面，可实现移动通信的无缝接入和完全自由的个人通信，缩短系统的开发周期和降低运营商的成本，软件无线电技术现已成为3g和4g所采用的一项关键技术。 fft-sdr-v4高性能软件无线电解决方案集成了4路实时信号采集通道（每个通道105m， 14bit）和2路信号生成通道(每路160m， 16bit)；同时配备了2颗xilinx xc4vlx60 fpga（800-2000万门）和ti tms320c6416（1g）高速dsp芯片共同构成了高速实时信号处理单元；标准cpci接口，兼容pci2.2 64位/66mhz；6u标准尺寸；这些结构提供了强大的实时信号吞吐、处理和传输能力，是当今软件无线电的最佳解决方案之一。fft-sdr-v4的系统框图如下： 来源:零八我的爱
对于快速以太网来说，512位的时间槽内电波或光可以传输400m远，如果在千兆以太网中， 512位的时间槽内电波或光的传输距离则只有40m远，采用星型拓扑结构的半双工千兆以太网的 覆盖半径只有20m。这样的距离覆盖范围在实际中无法得到大规模推广。为了解决这个问题， ieee对以太网的mac层协议作了第一次重大修改：载波扩展和帧突发。 (1)载波扩展 为了使千兆以太网的距离覆盖范围达到实用标准，半双工千兆以太网时间槽长度扩展到了 4096位，这样半双工千兆以太网的距离覆盖范围扩展到了160m。为了兼容以太网和快速以太网 中的帧结构，半双工千兆以太网的最小帧长度仍需要保持为64byte。但考虑到时间槽长度为51 byte，为了能够匹配时间糟的长度，当某个dte发送小于512byte帧时，半双 工千兆以太网mac 将在正常发送数据之后发送一个载波扩展序列直到一个时间精结束。例如：某dte发送一个64 byte帧，mac将会在其后加入512-64=448byte的载波扩展序列。如果dte发送的帧长度大于512 byte，则mac不做任何改变。 在载波扩展的情况下，解决了半双工千兆以
高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些n及p信道器件的额定电压为70v，设有sot223和dpak封装，能在平面电视、5.1环回立体声系统等功率更高的音频应用中实现安全可靠的操作。各款器件皆可适配采用互补性或全n信道mosfet配置的单端及桥接式负载输出级。 据介绍，zxm n/p 7系列mosfet具有更高的漏源电压，相比于60v零件，能为设计人员提供额外空间，适应电源与门振铃的大幅变化。器件的导通电阻甚低，在10v电压下n、p信道器件的导通电阻一般分别只有130mω和160mω，因此可以经常保持低损耗，达到高效率操作和理想的散热效果。 该系列mosfet把低导通电阻rds(on)与快速切换及低闸电荷特性相结合，有助优化输出级效率，在设计完备的电路中效率可达90%以上。这些n信道和p信道器件，在10v操作环境中的关断时间和闸漏极电荷分别为17ns/1.8nc及35ns/3.6nc。 此外，新型mosfet能妥善处理高漏极电流，在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低，因此可在需要更高负载功率的应用中，把场效应管并行设置
3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： -节省空间，因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功率开关体积减小20% -确保在低至1.5v栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求 -出色的电气性能和热性能 - 160m @ vgs = -2.5v - 热阻89 c/w 飞兆半导体提供业界最为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件，瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能mosfet适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。 fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用无铅 (pb-free) 端子，潮湿敏感度符合ipc/jedec j-std-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (rohs) 的要求。 供货：现提供样品 交货期：收到
c 卡槽、usb 和单节锂离子或双节/三节碱性/镍镉/镍氢金属电池应用兼容。ltc3127 的电流模式降压-升压型拓扑通过所有工作模式提供连续传输模式，从而简化了设计并确保卓越的性能。ltc3127 的恒定 1.35mhz 开关频率提供低噪声工作，同时最大限度地减小所需为数不多的几个外部组件的尺寸。纤巧外部组件结合 3mm x 3mm dfn 或 msop-12 封装为空间受限应用提供高度紧凑的占板面积解决方案。 ltc3127 含有两个 n 沟道 mosfet (分别为 140mω 和 160mω) 和两个 p 沟道 mosfet (分别为 160mω 和 190mω)，以提供高达 96% 的效率。该器件的可选突发模式 (burst mode?) 工作仅需要 35ua 的静态电流，停机电流低于 1ua，从而进一步延长了电池运行时间。就需要最低噪声的应用而言，ltc3127 可以配置为以固定频率 pwm 模式运行，从而降低了噪声和潜在的 rf 干扰。其它特点包括热过载保护和输出断接功能。 ltc3127edd 采用 10 引线 dfn 封装，有现货供应，ltc3127emse 采用
4/mpeg-2视频解码，及云计算功能。 海尔、银河、明新视讯（winsome）也基于富士通半导体mb86h06-l芯片开发出了低成本有线双向交互机顶盒，支持vod和ip双模业务。 意法半导体将于2012年底上市的第二代机顶盒芯片stih273，主打中低端（有线和卫星）市场。“其与上一代产品的区别是，只需换一下调谐器即可。”展厅负责人表示。 docsis eoc有线电视架构解决方案 博通基于docsis的eoc有线电视架构解决方案现在支持1gbps的下行宽带速率，及160m的上行速率。该架构包括同轴缆媒体转换器（cmc）、docsis2.0和3.0有线电视调制解调器、机顶盒soc等解决方案。docsis3.0无头（headless）网关参考设计如图7所示。 “docsis的eoc有线电视架构将促进视频会议/聊天和ip电视等应用的普及。”博通执行副总裁兼宽带通信部总经理dan marotta表示。 目前，拥有180万有线用户的杭州华数部署蓝联的基于docsis的eoc设备。北京数码视讯也推出了基于该方案的cc8800系列产品。 数码视讯总公司鼎点视
通过自主研发，成功完成了低温加压氢化技术的研究。严大洲介绍说：“目前，该项目已经在1000t/a和2000t/a多晶硅等项目上运行，四氯化硅经过几次循环后，几乎可实现全部回收利用。” 而天威英利六九硅业现在采用的新硅烷生产多晶硅工艺耗电少，生产成本比同行业低24%，产量同比提高30%，副产品无污染并且可全部出售再利用。 王占国院士称，对目前占据光伏市场90%的晶体硅太阳电池来讲，转换效率的提高和硅片的薄型化是降低成本的主要途径。 据江西赛维公关部总监姚伟介绍，该公司最薄的硅片为160m左右，达到了世界领先的产业化水平。 2007，我国成为生产太阳电池最多的国家 严峻的晶硅短缺使很多太阳能电池生产设备处于停产状态；不断上涨的晶硅价格一步步蚕食着太阳能电池生产商的利润。因此，寻找晶硅或减少对晶硅的依赖成为太阳能电池企业不得不面临的选择。非晶硅薄膜太阳能电池跃入了人们的眼球，获得了难得的发展机遇。 王占国告诉记者，薄膜电池不用硅片，而是在玻璃等廉价衬底上沉积薄膜半导体有源层，可望大幅度降低材料消耗和成本。他呼吁，国家应该多多重视薄膜太阳能电池的研究。 薄膜电
m ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括： -节省空间，因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功率开关体积减小20% -确保在低至1.5v栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求 -出色的电气性能和热性能 - 160m @ vgs = -2.5v - 热阻89 c/w 飞兆半导体提供业界最为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件，瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能mosfet适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。 fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用无铅 (pb-free) 端子，潮湿敏感度符合ipc/jedec j-std-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (rohs) 的要求。
体系结构。 软件无线电最早是应军队各个具有不同架构需求兵种的移动通信系统的要求而产生的。由于不同兵种的不同种类系统运行在各自独立的频带上，所以协调通信的能力、特别是在实际战争期间协调通信的能力，就显得非常必要。在商业方面，可实现移动通信的无缝接入和完全自由的个人通信，缩短系统的开发周期和降低运营商的成本，软件无线电技术现已成为3g和4g所采用的一项关键技术。 fft-sdr-v4高性能软件无线电解决方案集成了4路实时信号采集通道（每个通道105m， 14bit）和2路信号生成通道(每路160m， 16bit)；同时配备了2颗xilinx xc4vlx60 fpga（800-2000万门）和ti tms320c6416（1g）高速dsp芯片共同构成了高速实时信号处理单元；标准cpci接口，兼容pci2.2 64位/66mhz；6u标准尺寸；这些结构提供了强大的实时信号吞吐、处理和传输能力，是当今软件无线电的最佳解决方案之一。
我有一个160m的lvttl时钟信号，请问如何端接？我有一个160m的lvttl时钟信号，请问如何端接？
请教高频电路信号转换的问题在电路中，我看到用那种带中间抽头的变压器来讲双路差分信号转变为单端信号输出，请问这是什么变压器？在北京那里可以买到阿？信号的上限频率为160m。这种变压器怎么使用？谢谢
80mad和80m的da在同一块板上，怎么布线？我这块板前段有模拟射频部分，然后是一个80m的ad和80m的da，然后后面以大堆数字电路，数字电路里还有160m的dsp和两片fpga。使用的电源包括5，3.3 2.5 1.8多种，这样一块电路板怎样布线啊？1，使用多少层为好呢？怎样规划这些层？2，ad da都需要多种电源，按照他们各自的要求，这些电源应该是隔离的，比如da吧，它需要3.3v的电源就有三种，在pcb上这要怎么处理呢？我刚参加工作不久，就接到这样的活真是头晕啊~
再次发问：fpga如何倍频？首问;小弟初入门，现在用actel的fpga学习板做一个小东西，可现在遇到一个问题，系统的晶振是40m，可我需要一个160m的输出信号，怎么才能在fpga内部实现倍频呢？我看了它的说明书，上面说可以实现倍频，有pll功能可是却没有具体的说明怎么实现倍频，用什么方法实现，能实现多少倍频？用软件实现，还是硬件实现？……等等，我没法了解不知道大侠们是怎么实现倍频的，能否告知一二？不胜感谢！期待中……2天过了,无人问津----------------------------------再问;是否问题太弱了,21ic的网友没有太多兴趣-----???
不管你是否知道,请留个信-----------首问;小弟初入门，现在用actel的fpga学习板做一个小东西，可现在遇到一个问题，系统的晶振是40m，可我需要一个160m的输出信号，怎么才能在fpga内部实现倍频呢？我看了它的说明书，上面说可以实现倍频，有pll功能可是却没有具体的说明怎么实现倍频，用什么方法实现，能实现多少倍频？用软件实现，还是硬件实现？……等等，我没法了解不知道大侠们是怎么实现倍频的，能否告知一二？不胜感谢！期待中……2天过了,无人问津----------------------------------再问;是否问题太弱了,21ic的网友没有太多兴趣-----???
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