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供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立rc振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。 功耗 选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf.在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma. 陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。 相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma至60ma. 硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375,工作在4mhz时只需不到2ma的电流。 结论 在特定的微控制器应用中，选择最佳的时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。下表给出了几种常用的振荡器
摘要：本文设计了一种低电压、恒定增益、rail-to-rail的cmos运算放大器，整个电路采用标准的0.6um cmos工艺参数进行设计，并经过hspice工具仿真，在3v的单电源工作电压情况下，静态功耗约为9.1mw，当电路同时驱动20pf电容和500ω电阻的负载时，电路的直流增益达到62db，单位增益带宽达到18mhz，相位裕度为50o。 关键词：模拟集成电路;cmos;运算放大器 引言 随着信息技术和微电子制作工艺技术的高速发展，器件的特征尺寸越来越小，由此构成的集成电路的电源电压也越来越低。1997年，半导体工业协会曾对未来十年cmos电路的电源电压发展趋势作了预测，如图1所示。预计未来十年集成电路的电源电压将降至1.5v，甚至更低。 形成这种发展趋势的原因很多。其中主要有以下三方面原因：1、随着集成制作工艺的发展，器件的特征尺寸将逐渐减小，相同工作电压下小尺寸器件所承受的电场将逐渐增高，器件工作的安全性要求迫使工作电压必须相应降低，而电路集成规模或集成密度逐步增大的事实，导致大功耗、大发热量的芯片出现，同样要求采用降低电源电压来降低功耗。2、便携式电子装置的迅速发展
的输出从待机起在50ms内保持稳定。降低功耗有助于延长电池使用寿命，简化热能管理，缩小外观尺寸。stcd1040的电流消耗比分立的四路时钟方案要低 30%，而且分立四路时钟方案需要五个独立的发射极跟随电路，印刷电路板占位更高出60%。高通道隔离度还确保通道之间的串扰降低，这是分立器件难以实现的。此外，低相噪还能直接提高信号质量。 这几款时钟分配芯片在设计上能够在10mhz到52mhz范围内传输一个单端正弦波或方波。为了进一步减少外部元器件的数量，芯片还集成交流耦合电容器，能够驱动高达20pf的负载，从而简化输出电路。标准电源电压范围为2.5v到3.6v，同时1.65v-2.75v电压选项还可以使用低压外设。-40℃到 +85℃的工作温度范围使新产品适用于各种商用产品和工业设备。 新产品采取tdfn小型封装节省更多的空间。stcd1020采用2 x 2mm 8引脚封装， stcd1030采用 2 x 2.5mm 10引脚封装， stcd1040采用2 x 3mm 12引脚封装。 来源:ks99
件。在lcd和用户之间只有ito和透光度几乎为100%的玻璃板。投影型电容式传感硬件包括一个玻璃顶层（见图2），下面是一个x传感器阵，一层绝缘玻璃，再下面是位于玻璃基片上的y传感器阵。面板连接到每一个x和y传感器，故5 x 6的面板共有11根连线（如下面的图3所示），而10 x 14面板则有24条传感器连线。 图2：用于“电阻式屏”（左）和“电容式屏”（右）的堆叠层 当手指或其他传到物体接近屏幕时，在传感器和手指之间产生一个电容。虽然该电容相对于系统中的其他电容比较小（大约是20pf中的0.5pf），但还是可以利用集中技术测量出来的。其中一种技术就是利用赛普拉斯半导体公司被称作为csd的psoc器件。它包括快速对电容器充电，然后测量对一个放电电阻的放电时间。 设计一个投影电容传感器阵列的目的是在同一时间使手指能够与多于一个的x传感器和一个以上的y传感器发生作用（见图3）。这是的软件能够通过内插来非常精确地确定手指的具体位置。例如，如果传感器1，2，3感应出的信号强度分别为3，10和7，则手指的中心位置应该位于(1*3+2*10+7*3) / (3+10+7) = 2.
于ne564的13脚电压为1．3v，i2一般为几百毫安，调节电位器rp使环路增益和vco的锁定范围达到最佳值。r4是vco输出端必须接的上拉电阻。c3、c4与内部两个对应电阻(阻值r=1．3kω)分别组成一阶rc低通滤波器。其截止角频率为： 滤波器的性能对环路入锁时间的快慢有一定影响，可根据要求改变c3、c4的值。vco的固有振荡频率fv与定时电容ct的关系为： 工作频率为41．4mhz时，由式(3)或振荡频率fv与ct的关系曲线图5，得出ct≈11pf，可用6pf和3／20pf电容并联使用。c5和c6用来滤除电源中的高低频交流分量。c7、c8和r5组成π型滤波器，用来滤除输出信号中的谐波分量。 该电路通过调试，中心频率工作在41．4mhz，频偏可达1mhz以上，输出电压在o．4v以上。 来源:2008前进
调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。 7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）
3、 调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。 5、 老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容，通常用c0表示。 7、 负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容，通常用cl表示。负载电容系列是：8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值：10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率（fl）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl＝r1（1+c0/cl）2 1
4-2），针对 vcc 线的一线泡罩包装 esd 保护，以及用于卡检测等相关功能的两个额外的不连续 esd 二极管。此外，cmd 已经整合了 25k ohms 上拉电阻，帮助侦测存储卡的存在。 电容有限情况下的 emi 滤波 随着用于生产基带和应用处理器的工艺几何转向日益缩小的规模，系统工作电压也变得更低，因此数据线上的电容负载量成为手机设计人员面临的主要问题。microsd 接口规格使得总电容负载达到 40 pf，而传统的滤波器架构占据了有限的设计空间的大部分。cm1624 具有 20pf 的规格 0v dc 电容，并在工作电压下低于 12 pf--针对 microsd 接口设计的 emi 滤波器中可用的最低电容。更低的滤波器线路电容使手机设计人员在 pcb 布线和改进设计方面获得更大的设计自由。 cm1624-08de 特征 -- 工作电压下极低的线路电容 (12 pf) -- 卓越的信号完整性，5 nsec 的上升时间，50 ohms 环境中 75 mhz 时钟频率 -- 所有端口上业界领先的 >15 kv 接触 esd 保护 -- 完美匹配 micr
度水平。由于温度或湿度的变化，pcb材料的特性将会发生变化，因此，印刷电路电容传感器的输出水平将发生漂移。例如，当用户从开着空调的汽车中来到一个湿热环境中时，就可能出现上述情况。为了避免发生断续接触错误，cdc必须包括实时的漂移补偿。 随着环境条件的变化(例如，温度或湿度上升)，传感器的环境参数会发生漂移。在用户没有与传感器接触期间，由cdc对环境参数加以测量。为了进行补偿，需对高端和低端阈值水平进行动态调整，以确定有效的传感器接触。 pcb还可能受到寄生电容的困扰，这种电容最大可达20pf，它会使阈值发生偏移。当电容处于阈值时，电容触摸传感器就被视为遭到按压，因此阈值偏移改变了它的灵敏度。为了对寄生电容进行补偿，可以采用对dac编程的方法，以抵消进入cdc的输入。对于各pcb来说，这种寄生电容是一致的，因此可以在制造pcb的时候进行简单的调整，这样就不需要外部rc调谐元件，从而使材料、装配和测试方面的成本最小化。单独调整每个传感器的偏移，使设计者可以充分利用转换器的分辨率。 此外，主机处理器板发射的电磁噪声如果耦合进入电容传感器和传感器线迹之中，将导致不可预知的传感器动作。
据介绍，东芝的1ss420二极管在反向电流(ir)最大为5μa (电压为30v)时，与传统产品1ss388 (40v/100ma)相比，正向电压(vf)约减少17% (@100ma)。 这款肖特基势垒二极管的泄漏电流、正向电压较小，有助于系统降低功耗。其反向电压=30v时，最大反向电流=5μa，正向电流=200ma时，最大正向电压=0.6v；可搭载于小型封装(esc)，实现系统小型化；并提供无铅型产品。该器件的平均整流电流为200ma，反向电压为0v且f=1mhz时，端子间容量为20pf。
如图所示的高频振荡器，可作为高频信专发生器，选择不同的电容值能够在56～484khz范围内产生一个高频正弦波。该电路具有剃出波形好、频率稳定度高，输出阻抗低等特点。 元器件选择： 三极管vtl、vt2：3dg6d,65≤β《115，vt3、vt4：3dgl308、60≤β≤85。半可调电容c4：ccwx-3-5／20pf。石英晶体sjt：be-42型。k：jzx-10m(小型继电器)。发光二极管vd4：bt-605(红、绿双色)。变量器t：选用mxd-2000型铁氧体、gv-30×19磁芯。ll-2φ0．21mm高强度漆包线，绕制l33匝，l3-4φ0．21mm高强度漆包线，绕制11匝，l5-6φ0．21mm高强度漆包线，绕制80匝。电阻标称功率除r27采用l／2wrj型号外，别的均采用1／8wrj型电阻。其它元器参数值如图标注，无特殊要求。 频率与电容值的关系如下表所示。 来源:university
荡信号由tl的6～7绕组输出。其中，c6是频率微调电容。vd3稳定振荡级工作电压，稳定电压为6．8v±0．2v。 元器件选择： 三极管vt1：3dg6c、β=65～85。二极管vd1、vd2：2cpl4，vd5：2ck18。稳压二极管vd3：2cwl4。变容二极管vd4：2cc5。电阻r1：3．6k，r2：3．3k，r3：5．1k，r4：510ω，r5：3．9k，r6：3k，r7：100k，其型号均为rtx-0．125w。电容cl、c2：5μf30v，c3：51pfl00v，c4：820pfl00v，c5：(调测时选配)，c6：20pf。变量器t1：型号为l22、a=100。l1-4：φ0．29mm，绕27匝，l2-3：φ0．29mm，绕l8匝，l4-2：φ0．29ram，绕9匝，l5-8：φ0．29mm，绕7匝，l6-7：φo．29mm，绕6匝。l1-3=292μh，允许误差范围：0～10μh。
和晶体管串联的c1可用来调整振荡器的输出频率。频率可以在20pf到0.01μf的范围内变化，或者用作调整电容器，并且与晶体管负载电容近乎相等。x的值是一个近似值，可以为了大多数电路和频率改变。 来源:zhenglili
00k，r40：1m，r42、r46：9．1k，r44：4．3k，r45：5．1k，r51：100k。电阻型号均采用rtx-0．125w即可。电位器rpl：4．7k，rp2：150ω，rp3：680ω，rp4：2．2kω。电容cl、c3、c7、cl5、cl6、c26～c29：0.047pf，c2、cl9、c30：0．1μf，c4：510pf，c5、c8、c9、c20、c21～c24：5μf30v，c6：2400pf，cl0(调测时选用)，cll、cl4、cl7、c21、c25，参考下表，cl2：20pf，cl3：680pf，cl7：5500pf，cl8，c31、c32：50μf30v，c33、c34：0．22μf。二极管vdl、vd2、vd5、vd7～vdll、vdl4、vdl5：2ckl8或2ck72c，vdl2、vdl3、vdl7、vd20：2cpl4。稳压管vd3、vdl6：2cw5(工作电流6ma，稳压12．5±0．5v)，vd4：2cwl4(电压6.8±0.2v)，vdl9：2dw7c。变容二极管vd6i 2cc5。发光二极管vdl8：bt-201。三极管vtl、vt4～vt6、vt
如图所示的高频振荡器，可作为高频信专发生器，选择不同的电容值能够在56～484khz范围内产生一个高频正弦波。该电路具有剃出波形好、频率稳定度高，输出阻抗低等特点。元器件选择：三极管vtl、vt2：3dg6d,65≤β《115，vt3、vt4：3dgl308、60≤β≤85。半可调电容c4：ccwx-3-5／20pf。石英晶体sjt：be-42型。k：jzx-10m(小型继电器)。发光二极管vd4：bt-605(红、绿双色)。变量器t：选用mxd-2000型铁氧体、gv-30×19磁芯。ll-2φ0．21mm高强度漆包线，绕制l33匝，l3-4φ0．21mm高强度漆包线，绕制11匝，l5-6φ0．21mm高强度漆包线，绕制80匝。电阻标称功率除r27采用l／2wrj型号外，别的均采用1／8wrj型电阻。其它元器参数值如图标注，无特殊要求。频率与电容值的关系如下表所示。 来源:university
要是用20pf 的电容可以吗？要是用20pf 的电容可以吗？
20pf ，对应的信号频率是？弱弱的问：20pf ，应用在什么样的频率范围内
起振电容在实际中12m晶振用30pf ，6m晶振用20pf
是否你的复位没有接好与一般cpu的低电平复位方式比较，他是高电平复位。另外加两个20pf的匹配电容试试。
关于tms320lf2407a的时钟问题我想用有源晶振来驱动tms320lf2407，对于从市面上买的有源晶体振荡器能否可用？？感觉市面上的有源晶振都是5v供电的。请推荐一下。如果用无源晶振，震荡电容一般取多大，以10m为例，20pf可以吗？？
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