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高速数字信号处理器扩展存储空间的设计
2 扩展程序空间 tms320f206内置的32 k e2prom可以作为程序代码区，但其程序存储空间可达64 b×16 b，即可寻址的外部程序存储器达64 kb。在仿真时，f206可直接外挂2片64k×8b的ram，将dsp的引脚(控制程序存储器选择，53pin)，引脚，引脚连接到相应的ram芯片引脚。但静态的ram在断电时无法保存代码，而脱机时无法将64 k的程序写入f206片内的32 k e2prom区，故需要用非易失性的外部存储器扩展程序区，推荐使用的eprom有27c32，27c256，27c512，或者考虑选用低密度闪存主要供应商silicon storage technology生产的高速flash芯片28sf040，其可以同时兼作程序区扩展芯片和数据区扩展芯片，而且在掉电后已经写入的数据不会丢失。 ti公司的dsp芯片大多数具有片内引导加载程序。在复位时，当mp／mc引脚（微处理器／微计算机引脚）电平为低（dsp工作在微计算机模式），该程序执行片内程序存储器空间的程序代码；当mp／mc引脚为高电平（dsp工作在微处理器模式），则执行片外程序存储
高速数字信号处理器扩展存储空间的设计方案
。 2 扩展程序空间 tms320f206内置的32 k e2prom可以作为程序代码区，但其程序存储空间可达64 b×16 b，即可寻址的外部程序存储器达64 kb。在仿真时，f206可直接外挂2片64k×8b的ram，将dsp的引脚(控制程序存储器选择，53pin)，引脚，引脚连接到相应的ram芯片引脚。但静态的ram在断电时无法保存代码，而脱机时无法将64 k的程序写入f206片内的32 k e2prom区，故需要用非易失性的外部存储器扩展程序区，推荐使用的eprom有27c32，27c256，27c512，或者考虑选用低密度闪存主要供应商silicon storage technology生产的高速flash芯片28sf040，其可以同时兼作程序区扩展芯片和数据区扩展芯片，而且在掉电后已经写入的数据不会丢失。 ti公司的dsp芯片大多数具有片内引导加载程序。在复位时，当mp／mc引脚（微处理器／微计算机引脚）电平为低（dsp工作在微计算机模式），该程序执行片内程序存储器空间的程序代码；当mp／mc引脚为高电平（dsp工作在微处理器模式），则执行片外程序存储器内的代码
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接到相应的数据线上。 2 扩展程序空间 tms320f206内置的32 k e2prom可以作为程序代码区，但其程序存储空间可达64 b×16 b，即可寻址的外部程序存储器达64 kb。在仿真时，f206可直接外挂2片64k×8b的ram，将dsp的引脚(控制程序存储器选择，53pin)，引脚，引脚连接到相应的ram芯片引脚。但静态的ram在断电时无法保存代码，而脱机时无法将64 k的程序写入f206片内的32 k e2prom区，故需要用非易失性的外部存储器扩展程序区，推荐使用的eprom有27c32，27c256，27c512，或者考虑选用低密度闪存主要供应商silicon storage technology生产的高速flash芯片28sf040，其可以同时兼作程序区扩展芯片和数据区扩展芯片，而且在掉电后已经写入的数据不会丢失。 ti公司的dsp芯片大多数具有片内引导加载程序。在复位时，当mp／mc引脚（微处理器／微计算机引脚）电平为低（dsp工作在微计算机模式），该程序执行片内程序存储器空间的程序代码；当mp／mc引脚为高电平（dsp工作在微处理器模式），则执行片外程序存储器内的代码

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