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活。 采样发射模块电路设计如图3所示。传感器sp12将采集到的数据发送给at48，at48将数据通过spi口送给cc1100，再由cc1100转换成数据帧发送给主机接收模块。 模块发射频率由发射芯片cc1100的晶振及外部元件决定，本系统选择发射频率433 mhz，这时引脚8和引脚10接26 mhz晶振。c2为（3.9±0.25）pf，c3为（3.9±0.25）pf，c4为（8.2±0.5）pf，c5为（5.6±0.5）pf，c6为220pf±5％，c7为220pf±5％，l2为27nh±5％，l3为27nh±5％，l4为22nh±5％，l5为27nh±5％。电阻r2用来设置一个精确的偏置电流。c3、c2、l2和l3形成一个平衡转换器，用以将cc1100上的微分rf端口转换成单端rf信号。cc1100支持振幅、频率和移相调制格式，可以通过寄存器mdm-cf2.mod_format进行配置。 通过设置cc1100寄存器worctrl将其配置为wor（电磁波激活）方式，并设置寄存器位mcs1.rx-off_mode。当采样发射模块接收到有效数据包后，cc1100被激活并进入发
-输出端口阻抗的实部； xout -输出端口阻抗的虚部； 图3 lc 巴伦电路的等效电路 图3 中，从单端或输入端口向右侧或者左侧看进去的阻抗为： 如果要使功率高效地从单端端口传输到平衡端口或从平衡端口传输到单端端口，就必须使ω 2lc = 1,此时巴伦的核心电路达到谐振状态。 可以得到两个非常重要的表达式： 这样可以很容易根据给定的阻抗zout和zin算出l和c ,在本设计中zout和zin的阻抗为50 欧姆，使电路达到谐振的l和c 的值分别为27nh、3.9pf.当芯片处于接收模式时，lc 巴伦电路作为一个合路器，把接收到的信号送到芯片的rf_p 和rf_n 两个引脚。 3 采集器软件设计 采集器软件设计按照模块化设计，总体可分为主程序模块、规约解析模块、存储模块、端口设备模块和时钟模块等。软件处理事件可以分为两个部分：一是采集器响应集中器命令做出相应的处理；二是采集器空闲时刻冻结数据部分，包括月冻结、日冻结和整点冻结。 3.1 采集器响应集中器命令流程 图5 采集器响应集中器命令流程图。 采集器响应集中
一般情况下，工作温度为- 40 ° c至+85 ° c，额定电压为0.3v至+4.0 v，储存温度为- 60℃至+150 ° c，连续耗散的功率为1039mw，采用一个28引脚tssop封装。 图1所示为基于max1470的典型电路，为了改善rf性能，可以对三部分电路进行调整： ● lna槽路调整 ; ● 输入匹配和电感 ; ● 晶振牵引 。 调整lna槽路 连接在lnaout的lc槽路滤波器由l1和c9组成，选择l1 = 27nh，c9 = 4.7pf，使槽路谐振在315mhz rf输入频率。谐振频率由下式确定： ltotal和ctotal包括l1、c9以及pcb引线、封装引脚的寄生电感和寄生电容，另外还包括混频器输入阻抗、lna输出阻抗等，这些寄生参数对槽路滤波器的中心频率影响较大，不可忽略。 为了获得电路的最高灵敏度输出，需要使槽路谐振频率尽可能接近315mhz （或其它目标频率）。因此，用户需要确定电路板的实际谐振频率，然后调整元件参数。最好先去掉晶体，直接由信号发生器产生晶振频率，幅度
电感器，它是一种高频薄膜型电感器，尺寸仅为0603，现已形成规模生产。这种用薄膜微处理技术制造的电感器lqp03t系列具有以下特征： ·宽的电感量范围：lqp03t系列能提供从0.6到10nh的感量范围，并且在0.6到3.9nh之间感量差距只有0.1nh，3.9nh到10nh之间感量差距是按e24系列。 ·很窄的感量偏差：用村田公司自主开发的线圈图形薄膜微处理技术，电感器线圈的图形可以做得很精细，从而感量的精度可以做到很小。比如0.6到3.9nh的电感，其感量偏差为±0.1nh，4.3到27nh其感量偏差为±3%。而通常情况下，对于工业用片式多层型高频电感器，感量低于或等于5.6nh的其偏差为±0.3nh，感量大于或等于6.8nh的其偏差为±5%，这主要是因为它的内部线圈图形是通过丝网印刷上去的，从而精度不及lqp系列。 ·高q特性：lqp系列是高频电感线圈的代表，它主要用于手机和模块中的射频电路中，主要作用是电路的阻抗匹配和电源线的高频扼流。在工业应用中，此类电路日益追求完美的品质、低功耗和小尺寸化。在此系列中村田重点开发了一种高q型的lqp03t产品。
设备上生产的，8寸生产线亦已试制成功。示范成品率可与其它cmos工艺相媲美。 尽管单个开关器件的bvdss相对低些，但将多个fet串联堆叠仍能承爱高电压。为了确保电压在器件堆上的合理分压，fet至衬底间的寄生电容与fet的源与漏间寄生电容相比应忽略不计。当器件外围达到毫米级使总电阻较低时，要保证电压的合理分压，真正的绝缘衬底是必不可少的。 ultra cmos 开关插入损耗低，隔离度高。sp6t结构消除了双工器，大大地减少了总插入损耗。为了满足iec1000-4-2esd要求，天线处并联一个27nh电感再串联一个33pf电容已绰绰有余。这些元件也可集成在ltcc中，增加的插入损耗不到0.1db。 gsm开关设计，特别是采用低压工艺，最困难之处在于满足线性度要求。上面已提及，只要将多个器件按需堆叠，就能实现任意高功率要求，然而在满足规范的同时，还要优化器件堆结构以减少芯片尺寸。已设计了一个示范性开关，当电源电压为2.4v时，其谐波功率对输入功率的关系和压缩性能示于图3中。在最大工作功率+35dbm处，ultra cmos开关相对于gsm规范-30dbm要求还有6db的余量。采用ultra
厚着脸皮请教。上图是某cdma模块参考设计方案中的天线部分。我理解两个电容（22p） 和电感（27nh）组成一个滤波电路，天线焊到1点，天线的屏蔽层焊到2点。还有一个防雷电感，132-14smj，我在google里搜到国外的网站上有它的pdf资料，但不对外提供下载。有大侠了解它功能的吗？能有替代品么？图上的一句话是“地阻焊进行开窗和射频顶针要求的一致”，对这句话我一点都不明白。找生产商，服务电话转了n回；找代理商，他们的技术人员也不懂；加上我简直是“三不知”了。
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