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引脚图及结构图
相关电路图

制造商:
Central Semiconductor
产品种类:
Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
6 V
最大直流电集电极电流:
0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
100
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92
封装:
Box
最小工作温度:
- 65 C
功率耗散:
625 mW
工厂包装数量:
2500

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0.03A/30V

带输出放大器和自动幅度控制电路的光电隔离电路
该电路具有长时间频率稳定性，可以忽略环境温度的变化，并且消除了脉动负载对频率的影响。振荡器采用发射极耦合电路，晶体管为低噪声2n3707。此外，还给出了输出放大器和自动幅度控制电路，本电路为业余无线电爱好者用设备而设计。来源:安静的云朵

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集电极—发射极最大电压 VCEO:

发射极 - 基极电压 VEBO:

最大直流电集电极电流:

直流集电极/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作温度:

安装风格:

封装 / 箱体:

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