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2n3789中文资料

  • 制造商:

    Central Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    PNP

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    60 V

  • 发射极 - 基极电压 VEBO:

    7 V

  • 最大直流电集电极电流:

    10 A

  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:

    25

  • 最大工作频率:

    4 MHz

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-3

  • 封装:

    Sleeve

  • 集电极连续电流:

    10 A

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    150 W

  • 工厂包装数量:

    20

  • 2N3789

    10.0A/60V

  • 晶体管断路点

    该电路采用德州仪器buy23/23a高压晶体管，该晶体管能够轻易地承受高达300v的电压，该电压超越了现代汽车的分布器的断路点。该电路用作电子开关，它能隔离大型中断电路和点火线圈的高压回摆，因此几乎完全消除了磨损点。数值如下：tr2 2n3789；tr3 (对于正向接地版)2n3055；d1-d4 1n4001；d5 18v 400mw齐纳管；r1 56 ω；r2 1.2ω；r3 10ω。 来源:zhengpingping

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