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当前位置：维库电子市场网>IC>2n5087 更新时间:2024-04-30 01:09:02

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2n5087中文资料

  • 制造商:

    Central Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    PNP

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    50 V

  • 发射极 - 基极电压 VEBO:

    3 V

  • 最大直流电集电极电流:

    0.05 A

  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:

    250 at 100 uA at 5 V

  • 配置:

    Single

  • 最大工作频率:

    40 MHz

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-92

  • 封装:

    Reel

  • 集电极连续电流:

    0.05 A

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    625 mW

  • 工厂包装数量:

    2500

  • 2N5087RLRAG的技术参数

    产品型号:2N5087RLRAG
    类型:PNP
    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):50
    集电极最大电流Ic(max)(mA):50
    直流电流增益hFE最小值(dB):250
    直流电流增益hFE最大值(dB):800
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200
    封装/温度(℃):TO92/...

  • 2N5087G的技术参数

    产品型号:2N5087G
    类型:PNP
    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):50
    集电极最大电流Ic(max)(mA):50
    直流电流增益hFE最小值(dB):250
    直流电流增益hFE最大值(dB):800
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):200
    封装/温度(℃):TO92/-55~...

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