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36078
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2N5551
TO-92 Plastic-Encapsulated Transisto...
TRSYS
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2N5551
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GEN...
KEC
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NPN Silicon Expitaxial Planar Transi...
SEMTECH
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mplifier Transistors(NPN Silicon)
ONSEMI
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Amplifier Transistors
MOTOROLA
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Mini size of Discrete semiconductor ...
ETC
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NPN General Purpose Amplifier
FAIRCHILD
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General Purpose Si-Epitaxial Planar ...
DIOTEC
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Small Signal High Voltage Transistor...
TAITRON
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在电子制作时,经常涉及到需要控制蜂鸣器、继电器、电机等元件,发现晶体管负载的不同接法,效果差别很大,有的接法甚至会导致电路工作不可靠,下面将我的经验介绍给大家供讨论。 晶体管(又称三极管)可分为npn 型和pnp 型,目前常用的npn 型三极管有8050、9013、2n5551 等,pnp 型三极管有8550、9012、2n5401 等。 1、常见负载的驱动电路 图1 是npn 型、pnp 型晶体管驱动各种负载的典型电路。要求使负载上得到最大的功率,晶体管上消耗最小的功率。 图1 npn 型、pnp 型晶体管驱动各种负载的典型电路 2、驱动电路及元件选择 使用晶体管驱动负载主要利用晶体管的开关特性,也就是通过控制晶体管在饱和区和截止区之间切换来控制负载的接通和关闭。那么有的电子爱好者会问: 什么时候选择npn 型晶体管驱动电路?什么时候选择pnp 型晶体管驱动负载?对于相同类型的晶体管,该如何选择晶体管的具体型号?基极电阻应该如何选取?下面对这些问题作一下简要说明。 2.1. 负载驱动电路的选择 选用npn 型、还是pnp 型晶体管驱
其兼容低电压ttl电路,遵守jedec标准。8位串行输入、8位串行或并行输出,具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。移位寄存器和存储器是分别的时钟。输出寄存器可以直接清除,具有1oo mhz的移位频率,并行输出,总线驱动。数据在shcp上升沿进入移位寄存器后,在stcp上升沿输出到并行口进行驱动。串行移位输出电路原理如图3所示。 根据贾卡导纱针的工作原理,驱动电路要根据花型数据给压电陶瓷加正或负60 v直流电。驱动电路如图4所示,主要由74hc541为八缓冲器/驱动器、2个2n5551型三极管、2个2n5401等组成。 压电陶瓷驱动电路的工作原理为:由控制系统输出的脉冲信号din,一路输入到第一组由qa1和qa3组成的正电源开关电路,另外一路经过74hc541缓冲输入到第二组由qa2和qa4组成的负电源开关电路,这两组开关电路由din统一控制。当din为高时,第一组开关电路导通,第二组关断,正电压+v输出加到压电陶瓷端(vout);当din为低时,第二组开关电路导通,第一组关断,负电压-v输出加到电陶瓷端(vout)。这样通过系统输出的脉冲信号不断变化即能控制压
导通,输出的电压值为0v; 当单片机的口线输出电平为0时,三极管的be结不导通,ce结截止,输出的电压值为5v; 在这种数字电路的应用中,相当于三极管是一个反相开路门。 计算是否导通,公式如下: i=b(放大倍数,希腊字母的贝塔)×ibe 当ice<i时,即为饱和导通; 相差越大,饱和程度越深,vce越小,三极管的输出内阻越小; 这个概念要用到光电管中。 设计使用时大概算算,心里有个数;在电路板上试试,行的通,那就是它了。可以测量vce值,至少要小于0.1v就可以了。 常用的pnp三极管是2n5551,驱动40ma的led(电压在24v)、蜂鸣器等均没有问题。 2.6.2 三极管的具体应用 实际上,已经有象7407、uln2003可以取代三极管在数字电路中的作用;但是,有时是受到pcb面积的制约,有时是为了降低成本,有时是因为布局方便,在1~2个输出点时,还是可以使用三极管来做驱动的。 例如:驱动一个蜂鸣器;往往系统中的蜂鸣器跟其它驱动设备,继电器等,距离较远;这时,没有必要使用一片7407,或者uln2003来驱动;驱动的接口如下: re:从51初学者到电子工程师(转帖) 2.7 光电管
产品型号:2n5551类型:npn集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):160集电极最大电流ic(max)(ma):0.600直流电流增益hfe最小值(db):80直流电流增益hfe最大值(db):250最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):to92/-55~150价格/1片(套):¥.35 来源:零八我的爱
产三极管受管面积较小的限制,为打印型号的方便,往往把型号的前两个部分2s省掉。如zsa733型三极管可简化为a733,2sd8砂型可简写为d869,2sd的3型可简写成d903等。 3)表面封装的三极管因受体积微小的限制,其型号是用数字表示的,使用时应将数字表示的型号与标准型号相对应,以防用错。 4)美国产的三极管型号是用2n开头的,n表示美国电子工业协会注册标志,其后面的数字是表示登记序号。从型号中无法反映出管子的极性、材料及高、低频特性和功率的大小。如2n6275、2n5401、2n5551等。 5)欧洲国家生产的三极管各部分字母和数字所表示的含义见表1所示。 表1所示欧洲国家产三极管型号中字母与数字的含义 如: bu408d、 bu607d、 bu2o6a、 bc548、 bd234、bd410、bf458等。 6)韩国三星电子公司产的三极管在我国电子产品中应用也很多,他是以四位数字表示管子的型号。常用的有9011-9018等儿种型号。 9011、9013、9014、9016、9018为npn型三极管。9012、9015为pnp
产品型号:2N5551RLRMG
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):160
集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.600
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
功率耗散PD(W...
产品型号:2N5551RLRAG
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):160
集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.600
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
功率耗散PD(W...
产品型号:2N5551G
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):160
集电极最大电流Ic(max)(mA):600
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积fT(MHz):100
封装/温度(℃):TO92/-55...
产品型号:2N5551RL1G
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):160
集电极最大电流Ic(max)(mA):600
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):TO92/...
产品型号:2N5551
类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):160
集电极最大电流Ic(max)(mA):0.600
直流电流增益hFE最小值(dB):80
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):TO92/-5...
6.0A/180V
* npn 2n2369 40v 0.5a 0.3w * 800mhz npn 2n2907 60v 0.6a 0.4w 200 * npn 2n3055 100v 15a 115w * * npn 2n3440 450v 1a 1w * * npn 2n3773 160v 16a 150w * * npn 2n5401 160v 0.6a 0.6w * 100mhz pnp 2n5551 160v 0.6a 0.6w * 100mhz npn 2n5685 60v 50a 300w * * npn 2n6277 180v 50a 300w * * npn 2n6678 650v 15a 175w * * npn 2sa1009 350v 2a 15w * * pnp 2sa1012y 60v 5a 25w * * pnp 2sa1013r 160v 1a 0.9w
2sd1275 60 2 35 npn 2sd1330 25 0.5 0.6 npn 2sd2033 120 1.5 1.8 2n2222 60 0.8 0.5 45 npn 2n2369 40 0.5 0.3 800 npn 2n2907 60 0.6 0.4 200 npn 2n3440 450 1 1 npn 2n5551 160 0.6 0.3 100 npn 2n5401 180 0.6 0.3 100 pnp 2n5685 60 50 300 npn 2n6678 650 15 175 npn
.45 -100 -50 100 c9016 si-npn 0.4 25 30 620 c9018 si-npn 0.4 50 30 1.1g c8050 si-npn 1 1.5a 40 190 c8580 si-pnp 1 -1.5a -40 200 2n5551 si-npn 0.625 600 180 2n5401 si-pnp 0.625 -600 160 100 2n4124 si-npn 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管 (1) 判别基极和管子的类型 选用欧姆档的r*100(或r*1k)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一
晶体管的品种繁多,不同的电子设备与不同的电子电路,对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以,应根据应用电路的具体要求来选择不同用途,不同类型的晶体管。 1.一般高频晶体管的选用 一般小信号处理(例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等)电路中使用的高频晶体管,可以选用特征频率范围在30~300mhz的高频晶体管,例如3dg6、3dg8、3cg21、2sa1015、2sa673、2sa733、s9011、s9012、s9014、s9015、2n5551、2n5401、bc337、bc338、bc548、bc558等型号的小功率晶体管,可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性,还要考虑被选晶体管的耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。 2.末级视放输出管的选用 彩色电视机中使用的末级视放输出管,应选用特征频率高于80mhz的高频晶体管。 21in(in=0.0254m)以下的中小屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管,其耗散功率应大于或等于750mw,最大集电极电流应大于或等于50ma,最高反向电压应大于200v,一般可选用3d
.45 -100 -50 100 c9016 si-npn 0.4 25 30 620 c9018 si-npn 0.4 50 30 1.1g c8050 si-npn 1 1.5a 40 190 c8580 si-pnp 1 -1.5a -40 200 2n5551 si-npn 0.625 600 180 2n5401 si-pnp 0.625 -600 160 100 2n4124 si-npn 0.625 200 30 300
塑料片上放一些诱饵,再接通电源即可。 调整rp的阻值,可以改变ic内部振荡器的频率,从而调节vl导通与截止的时司。 元器件选择 rl-r6选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用有机实心可变电阻器。 cl选用独石电容器;c2选用耐压值为400v的cbb电容器或涤纶电容器;c3选用耐压值为63cv的cbb无感电容器。 vdl和vd2均选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ3mm的红色发光二极管。 vl选用c8050或s8050型硅npn晶体管;v2选用3cgl70c或2n5551、2n5415等型号的硅pnp晶体管。 ic选用cd4060或mcl4060型14级二进制计数分频器集成电路。 k选用4098系列的6v直流继电器。 电极网a、b可用两根们mm的裸铜线在绝缘板上布线而成,也可用敷铜板制作。 t用小型变压器铁心绕制。一次绕组用φo.2lmm的高强度漆包线绕制,wl绕组绕15匝,wz绕组绕80匝;二次绕组 (w3绕组)用φ0.08mm的漆包线绕1800-2000匝。 来源:university
为了在较宽的通带内使功率放大器增益相对稳定,电路由甲类、丙类两级功率放大器组成。甲类功率放大器的输出信号作为丙类功率放大器的输入信号,丙类功率放大器作为发射机末级功率放大器以获得较大的输出功率和较高的效率。电路原理如图所示。 根据设计要求和晶体管实际参数,采用philips公司的npn型高压晶体管2n5551作为放大管,三极管q1、电感l1、电容c2组成甲类功率放大器,工作在线性放大状态。三极管q2和由电感l3、电容c7、c6构成的负载回路组成丙类功率放大器。r1、r2、r3、r4组成第1级静态偏置电阻,调节r2、r3可改变放大器的增益。l1、c2组成一级调谐回路,l2、r5、c4组成的部分在丙类功率放大器基极处产生负偏压馈电,r7为射级反馈电阻,调整r7 可改变丙类功率放大器的增益。c6、c7、l3组成末级调谐回路,c6用来微调谐振频率以获得最佳工作状态。c8、c9和l4组成滤波回路,起到改善波形的作用。r9和c10、r11和c11以及r8和c12均为负载回路外接电阻。集电极可选择连接不同的负载。 当基极输入的正弦信号频率取值在l1、c2 谐振频率附近时,集电极输出正弦信号电
h,00h,04h,00h,1fh,0ffhdb 0e2h,00h,22h,00h,22h,0fch,26h,88hdb 2ah,88h,0f2h,88h,2ah,0fah,26h,01hdb 63h,0feh,26h,00h,02h,00h,00h,00h;以下分别输入天,一,出, 宝,刀,屠,龙,的代码,略。end 电路中行方向由p0口和p2口完成扫描,由于p0口没有上拉电阻,因此接一个4.7k*8的排阻上拉。 如没有排阻,也可用8个普通的4.7k 1/8w电阻。为提供负载能力,接16个2n5551的npn三极管驱动。列方向则由4—16译码器74ls154完成扫描,它由89c51的p1.0---p1.3控制。同样,驱动部分则是16个2n5401的三极管完成的。电路的供电为一片lm7805三端稳压器,耗电电流为100ma左右。 采用一块12*20cm的万能电路板,应当选用质量好些的发光管,(否则有坏点现象, 更换起来较麻烦)首先将256个发光管插入电路板,注意插入方向,同时使高度一致,行方向直接焊接起来, 列方向则搭桥架空焊接,完成后用万用表测试一下如有不亮的更换掉。 然后找一个电脑硬
小型带开关 (电源开关sl)线性合成碳膜电位器。 cl选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2、c6均选用高频瓷介电容器;已选用耐压值为160v的铝电解电容器;c4和c5选用涤纶电容器或独石电容器;c7选用耐压值为160v的cbb电容器。 vdl-vd3均选用1n4148型硅开关二极管。 vsl选用1/2w、33v的硅稳压二极管;vs2选用1/2w、47v的硅稳压二极管。 vl选用φ3mm的绿色发光二极管。 vl选用3dgl80n或bclo0、2n5058型硅npn晶体管;v2和v4选用2n5551或3dg84g型npn晶体管;v3和v5选用2n5401或3ca3f型硅pnp晶体管。 icl选用cd4093型四与非门施密特触发器集成电路;lc2选用cd40106b型六非门施密特触发器集成电路。 l选用小型铁氧体电感线圈。 s2选用小型拨动式开关。 gb选用9v叠层电池。
调节rp2的阻值,可改变定时器的定时时间。 调节rp3的阻值,可改变超声波振荡器的振荡频率。 元器件选择 rl-r5和r7-r9均选用1/4w金属膜电阻器;r6选用1/2w金属膜电阻器。 rpl-rp3选用小型有机实心电位器或可变电阻器。 cl和c3均选用耐压值为25v的铝电解电容器;c2、c4和c5选用独石电容器或涤纶电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ3mm的发光二极管。 vs选用lw、9v的稳压二极管。 vl选用s9013型硅npn晶体管;v2选用2n5551型硅npn晶体管。 ic选用cd4066或mcl4066型电子开关集成电路。 t使用黑白电视机的行输出变压器或高压电击器的脉冲变压器。 s1选用动合按钮;s2选用单极双位开关;s3选用单极电源开关。 gb使用l5v叠层电池。 hl选用普通氖指示灯。 来源:university
我认为lai832说得不对黑圈内的电路作用,wangfyfe的分析很对,就是模拟稳压管,目的是设置2n5551、2n5401的直流工作点,10ma的电流就是靠5k电位器调出来的。模拟稳压管的作用是使8050的c-e之间产生一定的压降而动态电阻很小,使得2n5551、2n5401的基极对交流信号而言相当于短接。lai832说的组成平衡桥,桥的一端在220欧姆电阻与两个2k电阻的结合点,另一端在哪里呢?难道在8050的基极吗?8050基极与那个结合点平衡没有什么意义;如果说是输出端与那个结合点平衡,那这种平衡也不是靠5k电阻调节出来的,5k电阻调大些或调小些,平衡关系都成立。所以平衡桥的说法是讲不通的。另外,“利用这关系,左边输入的信号映到另一端,三极管变成两个反相信号,大小相等”这句话也是错的,后面两级都是互补射极跟随器,不存在倒相的关系。互补管的作用,是使交流信号的正半周,由2n5551和c207跟随输出,负半周由2n5401和a940跟随输出。2n5551、2n5401的基极之间接入动态电阻很低的模拟稳压管,可以在两管交替工作时减小“交越失真”。是否正确,欢迎批评。 * - 本贴最后修改时间:2
mmbt5551、2n5551的区别请问mmbt5551、2n5551有什么区别呀??都是什么公司的?找不到相关的资料,谢谢.
借人气问问2n5551(贴片)的管脚分布借人气问问2n5551(贴片)的管脚分布,从哪里可以下到资料啊谢谢,急啊
关于2n5551雪崩三极管请问各位高手,2n5551雪崩三极管的上升时间是多少阿? 需设计一电路,但查不到该三极管的参数!
信号控制在公共广播系统中,经常要在放送背景音乐时插播话筒讲话,同时降低音乐音量.这就需要检测到一个话筒信号,产生控制信号,去打开音乐通道的分流开关.在这个电路中,op放大mic信号;2*1n4148倍压产生直流信号;2n5551为受控的电子开关.