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2N5655G的技术参数
产品型号:2N5655G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):250
集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500
直流电流增益hFE最小值(dB):30
直流电流增益hFE最大值(dB):250
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):10
功率耗散PD（W）@25...

2N5655
0.5A/275V

超声波雾化器二
均选用2w金属膜电阻器;r2、r5-r7选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电陆器;r3选用lw金属膜电阻器。 rpl选用实心电位器或合成膜电位器;rp2选用可变电阻器。 cl、c5-clo均选用耐压值为160v的涤纶电容器或独石电容器;c2选用耐压值为63v的铝电解电容器;c3和c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vs选用lw、l2.6v的硅稳压二极管。 ur选用3a、loov的整流桥堆。 vl选用2sd401或3da4o1a、2sdi138、2n5655、bd4i0等型号的硅npn晶体管;v2和v3选用2sdl163或3dk2o6f、bu406等型号的硅npn晶体管。 ic选用ne555型时基集成电路。 t选用30-40w、二次电压为36v的电源变压器。 kl和k2均选用l2v直流继电器。 b选用压电式超声波雾化头。 ha选用电磁式蜂鸣器。
电脉冲治疗仪十二
频器的工作频率，从而改变按摩动作的节奏。调节rp2的阻值，可以改变脉冲电压的幅度，从而改变按摩或敲击的强度。元器件选择 rl-r5选用1/4w或1/8w的碳膜电阻器。 rpl选用小型合成膜电位器;r陀选用带开关的小型合成膜电位器 (与s3为一体)。 cl和c5选用独石电容器或涤纶电容器;c2-c4均选用耐压值为l6v的铝电解电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ5mm的发光二极管。 vl选用s9014型硅npn晶体管;v2选用3da4o1a或2sd401、2n5655、mje5655型npn晶体管。 ic选用cd4060型时序分频器集成电路。 s1选用小型拨动式开关;s2选用双极双位开关。 xs和xp选用φ3.5mm的耳机插座和插头。 t使用φ3omm的磁罐和φo.14mm的高强度漆包线制作。wl绕组绕16匝，w2绕900匝，w3绕组绕10匝。电极a、b使用成品导电橡胶电极。

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

晶体管类型:

电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

电流 - 集电极截止（最大）:

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

功率 - 最大:

频率 - 转换:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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2n5655替代型号

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电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

电流 - 集电极截止（最大）:

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

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安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

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