当前位置:维库电子市场网>IC>30pf 更新时间:2024-04-22 02:00:48

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  • 浅谈电路中晶振的常见问题

    小在osco管脚的电容可以获得更接近实际的振荡波形)。工作良好的振荡波形应该是一个漂亮的正弦波,峰峰值应该大于电源电压的70%.若峰峰值小于70%,可适当减小osci及osco管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变,则可适当增加负载电容。 用示波器检测osci(oscillator input)管脚,容易导致振荡器停振,原因是: 部分的探头阻抗小不可以直接测试,可以用串电容的方法来进行测试。如常用的4mhz石英晶体谐振器,通常厂家建议的外接负载电容为10~30pf左右。若取中心值15pf,则c1,c2各取30pf可得到其串联等效电容值15pf.同时考虑到还另外存在的电路板分布电容,芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实际配置c1,c2时,可各取20~15pf左右。并且c1,c2使用瓷片电容为佳。 问:如何判断电路中晶振是否被过分驱动? 答:电阻rs常用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升。可用一台示波器检测osc输出脚,如果检测一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合时钟

  • 利用超声波和红外线实现综合测距定位

    (b)。但为了精简系统电路,在电路系统设计中,还是采用了图5(b)所示的复位电路。 4.1.2 振荡器电路设计 晶振设计是单片机系统设计的重要环节之一,通常可用两种方式产生单片机所需的时钟信号。一种为内部方式,主要利用单片机内部的反相器作振荡电路,具体接法如图6所示。 图6 晶体振荡/陶瓷振荡电路 该方式利用外接晶体作定时单元。晶体的频率范围在112~12mhz之间任选。电阻rs用来防止晶振被过分驱动。 在晶体振荡下,电阻rf≈10mω。图中并联的两个小电容可在5~30pf之间选择,起频率微调的作用,当vdd>415v时,建议c1=c2≈30pf(c1为相位调节电容;c2为增益调节电容);另一种为外部方式,此方式的时钟源直接来自外部硬件电路(见图7)。对此电路来说,mcs-51系列单片机可使用已集成在片内的振荡器,亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。由于内部时钟发生器是一个二分频的触发器,所以对外部振荡源要求不严,通常是产生112~12mhz的方波。当外接振荡器时,外部振荡信号从xtal1端,即内部三相波形发生器的输入端输入,xtal2端可浮空。

  • 基于CH372的CAN总线适配器系统的设计

    为命令码写入ch372芯片中。ch372芯片的ud+和ud-引脚应该直接连接到usb总线上。如果为了芯片安全而串接保险电阻或者电感,那么交直流等效串联电阻应该在5ω之内。ch372芯片内置了电源上电复位电路,一般情况下,不需要外部提供复位。 ch372芯片正常工作时需要外部为其提供12mhz的时钟信号。一般情况下,时钟信号由ch372内置的反相器通过晶体稳频振荡产生。外围电路只需要在x1和x0引脚之间连接一个标称频率为12mhz的晶体,并且分别为x1和x0引脚对地连接一个容量为30pf的高频振荡电容。ch372芯片支持5v电源电压或者3.3v电源电压。当使用5v工作电压时,ch372芯片的vcc引脚输入外部5v电源,并且,v3引脚应该外接容量为0.1μf左右的电源退耦电容。当使用3.3v工作电压时,ch372芯片的v3引脚应该与vcc引脚相连接,同时输入外部的3.3v电源,并且与ch372芯片相连接的其它电路的工作电压不能超过3.3v。接口电路如图2所示。 图2 can总线接口电路这部分由can控制器、can接口芯片和光耦组成

  • 基于嵌入式系统的CAN模块设计与实现

    sja1000工作在intel的模式。 can收发器与can总线接口 can收发器与can总线的接口如图2所示,其中sja1000的tx0,rx0分别与can收发器的txd,rxd相连,为提高can收发器82c250与can总线的接口部分的抗干扰能力,特在82c250 的canh 和canl 引脚串接一个共模扼流圈,以消除一定的共模干扰,而使得总线差分信号能够顺利通过。并且canh和canl分别通过一个磁珠与总线相连,以起到消除一定的高频干扰。同时canh 和canl与地之间并联了两个30pf 的小电容,可以起到滤除总线上的高频干扰和一定的防电磁辐射的能力。另外在两根can总线接入端与地之间分别接了一个tvs,当can 总线有较高的电压时通过tvs的击穿而接地,可起到一定的过压保护作用。82c250 的rs引脚上接有一个斜率电阻以降低can总线的向外辐射。 对于其他无内置can控制器的能够承受5v的ttl电平的处理器来说,只需改变与sja1000的数据端口ale/as,rd/e,wr,cs,int,rst相连接的引脚即可完成外扩can接口的硬件设计工作,否则在两者之间加一个逻辑电

  • 指纹识别的硬件电路设计

    独设计成一块电路板连接在扩展板上面。 fps200接口电路如图2所示。 fps⒛0和arm cpu接线(布线要求)建议如下: (1)为了减少干扰,arm输出到fps、arm的rd/wr输出到fps,这些数据线段中间不能再接其他线,即其他器件的数据线和 rd线不能和fps共用。 (2)这些线周围0.5cm左右不能有敷铜或者其他导线。这样来减少数据线和地之间的电容。 (3)其中的数据线应并排走,长度相等。这些线应尽量短,导线较粗。 (4)驱动输入引脚和地之间接一个30pf的电容。尽量贴近管脚。 图2 fps200接口电路 (5)fset引脚和指纹自动探测有关。fset引脚的干扰将触发指纹采集,所以“fset引脚”和“接在fset引脚上的电阻”之 间的引线要尽量短,并且引线和周围引线之间有较大距离。 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源

  • 石英晶体谐振器术语以及应用指南

    在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。 5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用c0表示。 7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容,通常用cl表示。负载电容系列是:8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值:10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率(fl):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl=r1(1+c0/cl)2 1

  • 石英晶体谐振器

    整频差:在规定条件下,基准温度(25±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 4、 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25±2℃)时工作频率的允许偏差。 5、 老化率:在规定条件下,晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。 6、 静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用c0表示。 7、 负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率fl的有效外界电容,通常用cl表示。负载电容系列是:8pf、12pf、15pf、20pf、30pf、50pf、100pf。只要可能就应选推荐值:10pf、20pf、30pf、50pf、100pf。 8、 负载谐振频率(fl):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为 电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,则是两个频率中较高的一个。 9、 动态电阻:串联谐振频率下的等效电阻。用r1表示。 10、 负载谐振电阻:在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用rl表示。 rl=r1(1+c0/cl)2 11、 激励

  • Vishay推出采用LLP1713封装的8二极管ESD保护阵列

    vishay推出在超小型无铅 llp1713 封装中整合了八个二极管的esd 保护阵列。 凭借 0.55mm 的超薄厚度,vesd05a8a-hnh在提供 esd 保护的同时可节省面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的便携式电子设备中的板面空间。 这种新型器件可在双向非对称 (bias) 模式下保护八条信号或数据线,并且还可在双向对称 (bisy) 模式下作为七线保护器件。该 esd 二极管阵列具有 30pf 的低典型电容,以及在 5v 时不到 1ua 的低最大漏电电流。 该vesd05a8a-hnh为一条数据线提供了符合 iec 61000-4-2 (esd) 规范的 25 kv(空气及触点放电)瞬态保护,以及符合 iec 61000-4-5(雷电)规范的 4.5a (tp = 8/20us) 瞬态保护。该器件还符合 rohs 2002/95/ec 及 weee 2002/96/ec规范。 目前,采用小型 llp1713 封装的新型 8 二极管保护阵列的样品已可提供。量产批量将于 2007 年第二季度提供

  • Vishay新推超小型ESD保护阵列,整合八个二极管

    日前,vishay intertechnology, inc.(威世)宣布推出业界首款在超小型无铅llp1713封装中整合了八个二极管的esd保护阵列。 凭借0.55mm的超薄厚度,vesd05a8a-hnh在提供esd保护的同时可节省面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的便携式电子设备中的板面空间。 这种新型器件可在双向非对称(bias)模式下保护八条信号或数据线,并且还可在双向对称(bisy)模式下作为七线保护器件。该esd二极管阵列具有30pf的低典型电容,以及在5v时不到1μa的低最大漏电电流。 该vesd05a8a-hnh为一条数据线提供了符合iec 61000-4-2(esd)规范的25kv(空气及触点放电)瞬态保护,以及符合iec 61000-4-5(雷电)规范的4.5a(tp=8/20μs)瞬态保护。该器件还符合rohs 2002/95/ec及weee 2002/96/ec规范。 目前,采用小型llp1713封装的新型8二极管保护阵列的样品已可提供。量产批量将于2007年第二季度提供,大宗订单的供货周期为10~12周。

  • ST全新倒装片封装提高滤波和保护功能的集成度支持10条高速数据线

    导体在一个1.98 x 2.08 mm的倒装片封装内整合了10条高速信号线emi滤波和esd保护电路。与等效的分立网络相比,新产品 emif10-lcd03f3节省电路板空间高达80%,节省49个元器件,阻带衰减度更高。 在900mhz 到3ghz的手机通信频带内,emif10-lcd03f3 的衰减度优于-40db,滤波性能优于分立器件,降低摄像机、手机、便携媒体播放器、gps接收机、家庭娱乐产品、数字显示器等产品的尺寸和成本,提高可靠性。在-3db时达到带宽 200mhz,最大线路电容30pf ,最大升降时间6ns,新产品为高速信号提供透明的emi滤波功能。 emif10-lcd03f3的输入输出引脚可承受+15kv接触放电,超出最高的 esd防护标准iec61000-4-2 的4级标准。新产品的低钳位电压还高于普通分立网络的性能,在保证信号完整性的同时,还能进一步提高保护功能和可靠性。 这款二阶rlc低通滤波器利用st的lc (电感/电容)单元制造工艺,在比同类品更小的硅面积上实现了更高的滤波器性能。在24焊球、0.4mm节距、0.6mm倒装片封装内,emif10-lc

  • Easy-Downloader V1.1 with SDCC

    ny small signal transistors to replace them. vb1 is male type! all resistors can be 1/4w or 1/8w 5%. bill of materials january 4,2004 10:44:35 page1 item quantity reference part ______________________________________________ 1 2 c1,c2 30pf disceramic 2 2 c8,c3 10uf 16v electrolytic 3 1 c4 10uf 10v electrolytic 4 5 c5,c6,c7,c12,c13 10uf electrolytic 5 1 c9 470uf 25v electrolytic 6 2 c10,c11 0.1uf multilayer 7 2 c14,c15 0.1uf multilayer 8 1 d1 power small red led for power indicator 9 1

  • 如何计算耦合电容

    软件能自动分析吗?例如一般的器件会给出如下的参数。输出脚8ma驱动,30pf负载。这样的话,pcb布线的耦合电容就应该小于30pf。问题是如何知道小于30pf.

  • 晶振要用33PF的电容,能用30PF或40PF的代替吗?

    晶振要用33pf的电容,能用30pf或40pf的代替吗?晶振要用33pf的电容,能用30pf或40pf的代替吗差点行吗?

  • 请问各位熟悉单片机的问题?

    晕,你改得还蛮快的嘛,我还在怀疑我以前看到的那些是错的呢^_^刚吃饭去了,吃完饭回来,想想一直没试验过,都是看资料这么说,不如自己来测试一下。马上烧热烙铁,试了试,测试如下:测试条件:at89s52单片机,标称16mhz晶振,使用两只标称值33pf的启振电容,电源电压5v。测试仪器:自制频率计(见http://www.21icbbs.com/club/bbs/showannounce.asp?v=&id=1443685) 未接30pf电容时,测得频率为: 15.999222mhz~15.999239mhz之间在52的晶振输出脚跟地之间接上标称值为的30pf电容后,频率为: 15.998891mhz~15.998906mhz之间 在52的晶振输入脚跟地之间接上上述电容后,频率为: 15.998475mhz~15.998491mhz之间 在晶振两端并联上述电容后,频率为: 15.997699mhz~15.997715mhz之间正如我预料的那样,接在out端,对频

  • 请问P89LPC922的外部晶振为什么没有起振,急!!!

    请问p89lpc922的外部晶振为什么没有起振,急!!!我用10k将reset脚拉倒3.3v电源,10uf电容拉到地,用的11.0592m的晶振,旁路电容用的30pf,用的miniicp编程器时配置字选的是外部复位,振荡器类型选的是4m~12m那一项,但上电后发现晶振根本没有振,是怎么回事啊,请各位大虾指教,急!!!

  • 请教crystal osc设计问题!

    netlist这个是电路的网表:x_cry xin xout xt32768k c_cd xout 0 60pf c_cg xin 0 30pf r_rf xin xout 10meg m_m1 xout xin vdd vdd pmos w=18u l=2um_m2 xout xin 0 0 nmos w=5u l=2u请教 asunmad:为什么会和仿真参数有关呢?我的步长.1u,我先试一下。3q~

30pf替代型号

30P5.0-JMDSS-G-1-TF 30N03 30MHZ 30INCH-D-4V 30F6014 30F4011 30F3012 30F3011 30F2010 30CTT045

30R-JMDSS-G-1-TF 30WQ03FN 30WQ04FN 30WQ06FN 30WQ10FN 30XX 310C 310K 311A 311D

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3SK240 3LP01C-TB 3SK195 30BQ040TRPBF 3SK232 3LN01C-TB-E 30BQ040TR 3LP01SS-TL-E 30BQ015TRPBF 32CTQ030S

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