当前位置:维库电子市场网>IC>33pf 更新时间:2025-08-04 16:29:17

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  • 数字麦克风阵列在实际生活中的运用案例

    ,模数转换将放大的模拟信号转换成脉冲密度调制(pdm)信号,通常采用过采样的1位δ-σ模数转换(见图1b)。mems模拟麦克风主要由mems传感器,充电泵,缓冲放大器,屏蔽外壳组成。参照图1c, mems传感器由半导体工艺制成的振膜,背极板和支架构成,通过充电泵给背极板加上适当的极化偏压。缓冲放大器完成阻抗变换,放大信号。mems数字麦克风主要由mems传感器,充电泵,数字麦克风芯片和屏蔽外壳组成,参照图1d。为了提高麦克风抗干扰能力,麦克风内部电源和地之间都增加了小的滤波电容,通常是10pf和33pf并联。 图1a ecm模拟麦克风 图1b ecm数字麦克风 图1c mems模拟麦克风 图1d mems数字麦克风 麦克风偏置电路:通过手机中麦克风电路的典型应用,比较一下ecm模拟麦克风,mems模拟麦克风和数字麦克风的差异。图2a为ecm模拟麦克风的偏置电路。为了减小干扰,手机中的麦克风电路采用差分输出。麦克风电源经过r5电阻c9电容滤波以后,通过r6供给麦克风内部的场效应管,由r6、r9差分组成差分输出电路。c15和r6、r9以及麦克风的输出阻抗组成低通滤波器

  • 自制MP3播放器

    1m r0805r5,r8,r11 4k7 r0805r7 1k5 r0805r10 2k2 r0805r12 470 r0805r13 33k r0805r14,r15 27 r0805r16 51k r0805c1,c6,c7 100nf c0805c9-c11 100nf c0805c2-c5 33pf c0805c8 10uf/16 elna_rv2_4c14 10uf/16 tantal ! c6032c15 1uf/16 tantal c3528c12,c13 100uf/10 elna_rv2_63d1 bas32 sod80 *t2 bc817 sot23ic1 atmega161l tqfp44ic2 vs10

  • MC145163P型锁相频率合成器的原理与应用

    形,输出信号频率fo'。 对于vco频段控制引脚rng可以这样处理:通过集成数值比较器对bci)/n分频的最高位d3进行分档,例如可以通过dip开关设定数值比较器基准bcd(:b3一bo)为0100或0011,当d3小于或超过基准后分别得到高或低电位vrng信号。vrng接入vco的2脚,实现整个频率范围的覆盖。否则固定vrng不变的前提下,vco无法实现频率范围的覆盖,除非要求最终输出频率范围不宽.并在vco频率变化范围内。 3.5实测数据 (1)选用cext(图7中的c12)为33pf,数值比较器基准b3一b0设置为0011,测量输出信号fo',并与数码管显示的数值对比,在0.7mhz~9.999mhz时电路锁定。实际测量vfc与输出频率之间的关系,见表4。 (2)选用cext为20pf数值比较器基准b3一b0设置为0100,测量输出信号fco',与数码管显示的数值对比,在lmhz~9.999mhz时电路锁定。实际测量vfc与输出频率之间的关系,见表5。表4 vfc与输出频率的关系 说明 bcd最高位d3≤3(0011):vrng高电平 频点f0'

  • PIC单片机在电话远程控制器中的低功耗设计

    决定rs的大小。简单的办法是让系统工作在最低温度和最大电压情况下,此时得到的应该是时钟电路最大输出幅度。用示波器观察引脚osc2的输出波形(注意,示波器的探头将给电路引入一个电容,一般为几pf),如果发现正弦波的峰(接收vdd处)和谷(接收vss处)被削平或压扁,说明驱动过载,需要在osc2和c2间加入1个电阻rs,一般1kω左右或小于1kω。rs不宜过大,过大将使得输入和输出产生隔离,从而产生较大的噪声。当发现需要一个较大的rs才能消除过驱动时,可以增加负载电容c2来补偿。c2一般选择在15~33pf之间。 系统振荡电路的设计对系统的稳定性、功耗等影响很大。一般情况下,系统从sleep状态下唤醒时,振荡电路最难启动(尤其系统工作在高温、低压、低频的情况下)。此时,电阻rs有利于振荡电路的启动,因为廉价的碳膜电阻容易产生白噪声,从而帮助电路起振。此外,选择c2稍大于c1以增大相移,也有利于电路起振。2 具体应用例子 2.1 系统组成及框图 系统主要由pic单片机、双音频解码拔号电路、语音集成电路、接口电路、vcc电源控制电路、射频发射电路和eeprom组成,可完成对家用电器的控制和对报警

  • 跟我学51单片机(一):单片机最小系统组成与I/O输出控制

    ,在xtal1、xtal2 的引脚上外接定时元件(一个石英晶体和两个电容),内部振荡器便能产生自激振荡。一般来说晶振可以在1.2 ~ 12mhz 之间任选,甚至可以达到24mhz 或者更高,但是频率越高功耗也就越大。在本实验套件中采用的11.0592m 的石英晶振。和晶振并联的两个电容的大小对振荡频率有微小影响,可以起到频率微调作用。当采用石英晶振时,电容可以在20 ~ 40pf 之间选择(本实验套件使用30pf);当采用陶瓷谐振器件时,电容要适当地增大一些,在30 ~ 50pf 之间。通常选取33pf 的陶瓷电容就可以了。 另外值得一提的是如果读者自己在设计单片机系统的印刷电路板(pcb) 时,晶体和电容应尽可能与单片机芯片靠近,以减少引线的寄生电容,保证振荡器可靠工作。检测晶振是否起振的方法可以用示波器可以观察到xtal2 输出的十分漂亮的正弦波,也可以使用万用表测量( 把挡位打到直流挡,这个时候测得的是有效值)xtal2 和地之间的电压时,可以看到2v 左右一点的电压。 2. 复位电路 在单片机系统中,复位电路是非常关键的,当程序跑飞(运行不正常)或死机(停止运行

  • VISHAY推出薄膜电容器NC系列

    路上,它们使rfi 和emi滤波器、旁路电容、cmos数字滤波器、和智能卡、无源电子身份牌以及其它混合产品中使用的低通滤波等的布局方式具有高度的灵活性。 新型的nca、ncb、ncc、ncd和nce器件可以配置一个复合二氧化硅/氮化硅电介质(mnos),用于要求电介质吸收较低的关键微波或者高频应用,也可以配带二氧化硅电介质(mos)。 nca电容器的尺寸为0.020英寸×0.020英寸,电容量为0.5pf至51pf;ncb电容器的尺寸是0.030英寸×0.030英寸,电容量为33pf至100pf;ncc装置的尺寸是0.040英寸×0.040 英寸,电容量范围为56pf至220pf;ncd装置的尺寸是0.055英寸×0.055英寸,电容量为150pf至510pf; nce电容器的尺寸为0.060英寸×0.060英寸,电容量范围为360pf至1000pf。该系列的容差低至±2.5%。 nca、ncb和ncc电容器都有一个顶部触点,但稍大的ncd和nce型号电容器有三个平行相连的顶部触点,主要是为了方便焊接。五个型号的电容器均带有一个半导体硅基片、一个尺寸为0.005英

  • 单片机入门的几点建议

    器都有排斥,其实没仿真器也有好处的,我的几个比较大的项目就是在没仿真器的情况下完成的。学习知识动手是少不了的,特别是应用性的知识,不多动手绝对是行不通的。 我学习单片机真正的动手是从工作后开始,自己学protel,然后用公司的钱画了板(花了400元,深圳价),接着找现成的程序编译后烧进单片机里验证,不过这时候已没人教你了,工作后就是这样,虽然公司招人时说有培训,但那只限于特定的知识。我第一次实验就连晶振都不起震,对着书画的板的,一切没错啊,弄了两天,问了很多人,跳了几条线,最后把书上画的33pf的电容换成22pf的就ok了,就这么简单的问题却搞的我灰头灰脑的,后来照书上的程序又运行了几个,很少有现成就能用的,花的时间不少,倒是有一个和我一起进公司的同事,他没有基础,所以买了一个学习开发板,最后学起来入门的好象比我快,可能是我比较笨吧:) 可是在买开发学习板时也是出了问题的。下面就是我针对自己和别人在学习中出现的问题向初学者提几个建议: 1、 学好单片机要花多少钱? 这个是大家关心的问题,现在没钱就做不了事的,大学的学费都会使某些家庭家破人亡呢(说笑了)。总体来说学习单

  • GSM前端中下一代CMOS开关设计

    线亦已试制成功。示范成品率可与其它cmos工艺相媲美。 尽管单个开关器件的bvdss相对低些,但将多个fet串联堆叠仍能承爱高电压。为了确保电压在器件堆上的合理分压,fet至衬底间的寄生电容与fet的源与漏间寄生电容相比应忽略不计。当器件外围达到毫米级使总电阻较低时,要保证电压的合理分压,真正的绝缘衬底是必不可少的。 ultra cmos 开关插入损耗低,隔离度高。sp6t结构消除了双工器,大大地减少了总插入损耗。为了满足iec1000-4-2esd要求,天线处并联一个27nh电感再串联一个33pf电容已绰绰有余。这些元件也可集成在ltcc中,增加的插入损耗不到0.1db。 gsm开关设计,特别是采用低压工艺,最困难之处在于满足线性度要求。上面已提及,只要将多个器件按需堆叠,就能实现任意高功率要求,然而在满足规范的同时,还要优化器件堆结构以减少芯片尺寸。已设计了一个示范性开关,当电源电压为2.4v时,其谐波功率对输入功率的关系和压缩性能示于图3中。在最大工作功率+35dbm处,ultra cmos开关相对于gsm规范-30dbm要求还有6db的余量。采用ultra cmos工艺,畸变对正

  • 感应探测器电路图

    。由74hc04与晶振构成1mhz方波信号,一路送至单片机pic16c71作为振荡信号,另一路送到接近感应探测电路,并分两路送入异或门(xor),两路信号通过几乎相同的比较器传输到xor输入端,其中一路通过比较器直接进入异或门的一个输入端,另一路被延时0.693r1c1秒并由比较器整形后送入另一输入端,r6和c4对xor输出滤波后产生与距离成正比的电压。由于xor输出信号的占空比正比于r1、c1延时与比较器传输延时的总和,所以比较器延时的微小变化会掩盖感应电容的微小变化。图2中的延时电容包括一个33pf电容和15p屏蔽线电容以及门头锁(或200cm2敷铜板)的感应电容。在输入方波的正半周,通过r1将等效的延时电容充电至5v。当无人接近探测器时,该电容等于48pf,在上面一路xor输入产生16.5ns的延时。当人体距探测器20cm处时,电容增加到50pf,产生17.3ns延时,这样就产生了一个0.8ns的时间差。要检测出如此小的时间差,且在整个温度范围内要保证精度,比较器必须具有非常稳定的失调电压和传输延时(延迟时间同时受失调电压和传输延时的影响)。因此,我们采用高速、高精度电压比较器max91

  • RF2155构成的915MHz功率放大器应用电路图

    所示为由rf2155构成的915mhz功率放大器应用电路。射频信号(rf)由7脚输入,经过前置放大器、末级功率放大器放大后由11脚输出。7脚与内部放大器是直接耦合,因此建议在7脚外加一个uhf隔直耦合电容。由于有4个增益可以设置,所以在输入端串联一个6.8nh电感。末级功率放大器为不匹配集电极晶体管,输出端11脚和14脚在芯片内部已连接,14脚作为末级功率放大器电源供电端,通过这些脚向末级功放提供偏置电流。14脚也作为二次谐波的滤波电路,能有效地短接二次谐波,采用约500mils传输线作为电感与33pf电容构成滤波器(在靠近vcc处可放置一个钽电容)。8脚接功率控制脚(pc),可以控制该脚电压从而控制电源功率。当电压为低电平时(0v时),放大器电源处于关断状态;当电压为高电平时(3v时),放大器处于全功率工作状态。8脚外接uhf或hf电容滤波。15、16脚为rf功率增益控制端,分别控制输出功率增益为8db bit步长和16db bit步长,这些脚高电平至少2.7v,不得超过3.3v,同时外接一个uhf旁路电容。 来源:与你同行

  • 时间继电器 二

    ,在c2两端产生+l2v电压,作为ic2的工作电源。+l2v电压还经rl加至kl两端,使kl通电吸合,其常闭触头断开,c3通过rp缓慢充电。 刚接通电源时,ic2的2脚、6脚为低电位,3脚输出高电平,k2不动作,vl不发光。当c3两端电压充至8v以上时,ic2内电路翻转,3脚变为低电平,k2通电吸合,其常开触头接通,同时vl点亮。 改变rp的阻值和c3的容量,可改变时司继电器的延时时间 (在rp的阻值为l5mn下c3的容量为33μf时,延时时司为9min;在rp的阻值为lomn、c3的容量为33pf时,延时时间为6mω;在rp的阻值为1.5mω、c3的容量为22μf时,延时时间为1-30s)。 元器件选择 rl选用1/2w金属膜电阻器;饱选用1/4w金属膜电阻器。 rp选用有机实心可变电阻器。 cl选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c2和c3均选用耐压值为13v的铝电解电容器;c4选用独石电容器或涤纶电容器。 vdl-vd4均选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ3mm的高亮度发光二极管。 icl选用lm7812型三端集成稳压器;ic2选用ne罚5型时基集成电路。 t

  • 由RF2155构成的915MHz功率放大器应用电路

    所示为由rf2155构成的915mhz功率放大器应用电路。射频信号(rf)由7脚输入,经过前置放大器、末级功率放大器放大后由11脚输出。7脚与内部放大器是直接耦合,因此建议在7脚外加一个uhf隔直耦合电容。由于有4个增益可以设置,所以在输入端串联一个6.8nh电感。末级功率放大器为不匹配集电极晶体管,输出端11脚和14脚在芯片内部已连接,14脚作为末级功率放大器电源供电端,通过这些脚向末级功放提供偏置电流。14脚也作为二次谐波的滤波电路,能有效地短接二次谐波,采用约500mils传输线作为电感与33pf电容构成滤波器(在靠近vcc处可放置一个钽电容)。8脚接功率控制脚(pc),可以控制该脚电压从而控制电源功率。当电压为低电平时(0v时),放大器电源处于关断状态;当电压为高电平时(3v时),放大器处于全功率工作状态。8脚外接uhf或hf电容滤波。15、16脚为rf功率增益控制端,分别控制输出功率增益为8db bit步长和16db bit步长,这些脚高电平至少2.7v,不得超过3.3v,同时外接一个uhf旁路电容。

  • 晶振要用33PF的电容,能用30PF或40PF的代替吗?

    晶振要用33pf的电容,能用30pf或40pf的代替吗?晶振要用33pf的电容,能用30pf或40pf的代替吗差点行吗?

  • 请教关于振荡问题

    请教关于振荡问题pic16c57c采用4mhz晶振,振荡型式选用xt,振荡脚与地间用33pf电容,做成产品,测试过程中有时有部分有不起振现象,换晶振即可起振,但此晶振用于其它上也ok,有哪位大吓有这方面的经验?

  • LPC9xx到底如何使用外部晶振?专家们,给个明确的指导吧!

    我要买房开店,philips却给告我设计房子需要考虑的问题!crystal两端可接 15pf-->33pf的电容。到底是15还是33,我是否可以把这个数值写到我的材料单中?zlg老板不开了我才怪的。

  • 第一次做的最小系统,老是不行.

    同意楼上的我以前也是不小心看错了电容,也是这样,快换电容啊选13~33pf的

  • 老外做的时钟

    nical things. prior electronic experience. a dead vcr or floppy drive or other source of a suitable motor and miscellaneous parts. a programmer that will program a pic16c84 or 16f84 microprocessorthe propeller clock parts list capacitors:c1, c2 - 33pf ceramicc3, c6 - 0.1uf ceramicc4 - 47uf electrolyticc5 - 47,000uf supercap(memory cap) diodes:d1-d7 - light emitting diodesd8-16 - 1n4001 general purpose 1 amp rectifiers resistors:r1 - 120 ohm dip array or seven 120 ohm resistorsr2-r6 - 10k ohm misc

33pf替代型号

33NF 33MHZ 33DB 339A 338M 338K 338B 338A 3362P-1-204LF 336-2.5

33UF 33UH 34.368MHZ 34.51 34.6 34.81 3403A 34063A 34063AP1 340A

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3LN01C-TB-E 31512-1 3LP01C-TB 30CPQ045 3SK320 30BQ015TR 30BQ015TRPBF 3SK199 3LN01M-TL-E 30BQ040TR

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