450k供应商_450k中文资料_450kPDF下载地址价格行情【维库电子市场网】

开关电源设计原理及全过程
有fg所以使用y2-cap,y-cap会影响emi特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电（leakage current ）必须符合安规须求（3pin公司标准为750ua max）。 3.3.5 cx1（x-cap）、rx1: x-cap为防制emi零件，emi可分为conduction及radiation两部分，conduction规范一般可分为： fcc part 15j class b 、 cispr 22（en55022） class b 两种 , fcc测试频率在450k~30mhz,cispr 22测试频率在150k~30mhz, conduction可在厂内以频谱分析仪验证，radiation 则必须到实验室验证，x-cap 一般对低频段（150k ~ 数m之间）的emi防制有效，一般而言x-cap愈大，emi防制效果愈好（但价格愈高），若x-cap在0.22uf以上（包含0.22uf），安规规定必须要有泄放电阻（rx1,一般为1.2mω 1/4w）。 3.3.6 lf1（common choke）： emi防制零件，主要影响conduction 的
Atmel利用基于ARM7的产品拓展了CAP系列可定制微控制器
atmel(r) corporation 宣布该公司已经利用 arm7 核拓展了基于 cap 系列可定制微控制器的系统芯片产品。新型 cap7 可定制微控制器在架构上与 atmel 各种现有的基于 arm7 的微控制器相兼容，同时采用了金属可编程单元结构 (mpcf) 技术，以便在一个金属可编程模块中整合高达 450k 等效的 asic（特定用途集成电路）门，用于定制的逻辑网表转换。atmel 灵活的设计流程提供了一条从 fpga（现场可编辑门阵列）网表转换到金属可编程模块的简单途径。 atmel 营销主管 jay johnson 表示："设计工程师们常常在门阵列技术中使用可编程集成电路 (ic) 来加快其专有的 dsp 运算。在数量无法预计时，许多人选择 fpga 这样一种针对市场测试新产品的灵活而具成本效益的解决方案。然而，一旦产量开始增长而且控制原材料成本成为需优先考虑的问题时，我们的 cap7 可定制微控制器可提供一种毫不费力的成本削减途径，并且无需常有的非重发性设计成本以及与标准单元 asic 相关的较长的开发周期。" 通过消除一个外部
一台110kV 变压器故障原因分析及处理
似故障的查找、原因分析及处理方法。 1995 年5 月4 日，在周期性预试时发现某变电站110kv 主变（以下简称p4 变）铁心绝缘为零，其他试验项目均合格。该主变型号为sfz7-31500/110，额定电压为110kv/10.5kv，1994 年4 月投运，1992 年10 月出厂。 2 带电测量及试验情况 p4 变铁心绝缘为零，绕组介质损耗因数、直流电阻、吸收比均合格，说明故障点不在电气回路和主绝缘部位。发现p4 主变铁心绝缘为零后, 用万用表测量铁心对地的阻值，其电阻为450kω，说明p4 主变铁心系高阻多点接地故障。随后用电容器充放电法进行处理，效果不明显，仍为高阻接地故障，说明该变压器铁心多点接地的故障点是稳定的。取油样进行色谱分析，没有发现乙炔，总烃42μl/l。将该变压器投入运行，用钳形电流表带电测量铁心接地引下线的电流，均在60ma～100ma 之间。铁心引下线的电流不大，暂时可以投入运行状态。经过分析判断，该变压器属于高阻接地，不需要立即进行大修，但需要加强铁心接地引下线电流和油色谱的监测，如果发现电流超过1a 或出现乙炔、总烃增加较快等异常
综合FPGAs、ASIC和ASSP优势，Atmel打造科定制处理器
基于arm9的at91cap9包含一个具有3个专门用于mp模块的总线主控单元的12层总线，该模块具有38.4gbps的最大片上带宽。金属可编程方法也非常适用于多核器件，特别是如果开发商有一个与标准arm配置及部分定制的内核变化都有关的设计时。johnson表示，cap9器件上的mp模块被设计用来实现具有高速缓冲存储器的第二个arm926ej-s内核。以arm7tdmi处理器核心为基础，包含可定制逻辑的at91cap7s mcu相当于约28k或50k fpga lut，或者是250k或450k可布线的asic门。基于arm9的at91cap9s把一个200mhz arm926ej-s与每一个都具有16kb容量的程序和数据高速缓冲存储器集成，并且可定制逻辑相当于约28k或56k fpga lut的(250k或500k可布线asic阵列)。 johnson表示，任何现有的arm7/9-plus-fpga的设计都能被移植到at91cap器件中，包括掩膜费、工程收费和原型建立在内，nre成本仅为15万美元。来源:零八我的爱

英飞凌第五代CoolMOS MOSFET（C6彰显其在电源管理市场的领导地位
欧。如果其他厂商为实现同样的导通电阻需要应用to-247封装，成本将会贵许多。众所周知，在半导体的成本中，封装是很关键的问题。我们在to-247封装方面能做到最好的45毫欧，而其他品牌不能做到这么低，这也是infineon的区别之一。其次，在电源工作频率方面，infineon的mosfet开关频率可以提高到250khz~400khz。如果用其他品牌的超级结结构的mos，会产生大的损耗，很难去实现。但如果采用coolmos，可以实现频率超过250khz。当然开关频率越高，损耗越高，例如超过450k以上，就要采用零电流，零电压等软开关架构，就可以配合二极管去做。 thomas schmidt在发布会上毫不掩饰地表明，c6的推出就是未来取代先前流行的c3, 为了与竞争对手相抗衡，就应该降低产品成本，所以需要推出新的系列。为了避免被淘汰，也必须要朝着降低成本的方向进行，c3已经没有降价的空间，所以他们才推出了c6。成本主要来自晶圆的大小, coolmos c6采用的是新科技, 让里面的晶体变的更小, 并采取新的封装技术降低成本。类似的mosfet产品，infineon的竞争对手也有，像i
DRAM价格12月上旬续跌 2012有望回升
态度。 2011年全球dram产业在311日本大地震时期，ddr3 4gb价格五月回复至36.5美元，但随后一路走跌至今，12月最新合约价ddr3 4gb 16.5美元为基准，跌幅达55%；再dram厂纷纷启动减产机制或是转型下，根据集邦科技的统计，全球dram产业已自2008年全盛时期单月的1,500k投片下修至2012年最低单月的1,000k左右，投片减幅达33%，且12月的投片已经逼近2009年金融风暴时期的投片最低点986k，其中又以台系dram厂减幅最高，投片上从2011年的高点450k至12月仅剩250k投片，减幅达44%。故从供需面来观察，在今年下半年启动二次减产机制后，2012年上半年全球dram产业的供过于求已经从先前的17%下修至13%，加上减产皆是标准型dram商品，供需状况已从最严重的状态已经迅速朝向供需平衡在进行；而在价格方面，由于ddr3 2gb的现货价格亦逼近金融风暴的ddr2 1gb最低价0.6美元，虽有淡季影响与泰国洪灾冲击出货，但随着12月合约价格跌幅小幅收敛下，有机会让2012年的价格回复奠定契机，有机会让整体dram产业逐步走出阴霾。
检测达林顿管（DT）的方法
为叙述方便,现分别为三只脚管编上序号①、②、③（参见图2）。选择500型万用表r×10k档。由附录四中查出该档电压比例系数k′=0.18v/格，采用读取电压法时的计算公式为v=0.18n′(v)；电压比例系数k=1.8μa/格，读取电流法计算公式是i=1.8n(μa)。全部测量数据整理成表1。表是带括弧量为测试结论。分析表1可以判定②为基极，并且被测管属于pnp型。下面进一步识别e、c电极，同时检查管子的放大能力。首先将黑表笔接①，红表笔接③，并用两手分别捏住①、③两脚，电阻值为450kω；当用舌舔基极时，可以观察到表针向右侧作大幅度偏转，指于35kω处。然后交换两支表笔的位置，再用舌舔基极时，发现表针不动。由此判定：①为发射极，③为集电极，并且此管的放大能力很强。穿透电流iceo=9μa。注意事项：不宜用r×1k档检查达林顿管的放大能力。因该档电池电压仅1.5v，很难使管子进入放大区工作。测量时不得用手摸住管壳。 2．改进型达林顿管普通型达林顿管仍有不足之处。由于其电流增益很高，当温度升高时，前级晶体管的发射结漏电流①将被逐级放大。又因为此电流具有正温
瞄准FPGAs、ASIC和ASSP，Atmel打造新型可定制金属可编程处理器
t91cap9包含一个具有3个专门用于mp模块的总线主控单元的12层总线，该模块具有38.4gbps的最大片上带宽。金属可编程方法也非常适用于多核器件，特别是如果开发商有一个与标准arm配置及部分定制的内核变化都有关的设计时。johnson表示，cap9器件上的mp模块被设计用来实现具有高速缓冲存储器的第二个arm926ej-s内核。以arm7tdmi处理器核心为基础，包含可定制逻辑的at91cap7s mcu相当于约28k或50k fpga lut，或者是250k或450k可布线的asic门。基于arm9的at91cap9s把一个200mhz arm926ej-s与每一个都具有16kb容量的程序和数据高速缓冲存储器集成，并且可定制逻辑相当于约28k或56k fpga lut的(250k或500k可布线asic阵列)。 johnson表示，任何现有的arm7/9-plus-fpga的设计都能被移植到at91cap器件中，包括掩膜费、工程收费和原型建立在内，nre成本仅为15万美元。

电容感应按键的设计（牛啊）
好图不触摸时输出一高电平，450k脉冲耦合后给二极管后现的104电容充电。触摸时弱化450k脉冲，相当于加了一个大电容到地，输出电平变低
收音机模块控制的问题，有遇到过的大哥帮忙看看！
收音机模块控制的问题，有遇到过的大哥帮忙看看！我的收音机模块使用的是lc72131+la1823的模块，fm自动搜台一直没有问题，10.7m中频一直很稳，但是am自动搜台不能锁定，450k的中频读出不稳，信号强度和频率大小都会影响读出的中频数据，不知道怎么回事，哪位大虾有知道的，请帮帮小弟！谢谢！
发发谬论：数字功放的音质和基频的关系
的pwm频率都是工作在300k~500k.html">500k范围，有些低音跑甚至工作在100k以下的频率。工作频率越高，越难选择开关管，开关的速度如果变慢了，容易发热，想减轻发热，就需要把死区调大，死区调大了，就导致失真变大。这个是一个两难的选择。于是选用极端快速的开关管，是数字功放第一要务。数字功放的采样频率，直接决定了音质，这个是我们在开发数字功放的过程中发现的一个重要现象。举个简单的例子，应该可以很好理解这个原理。假设pwm的开关频率为300k（300~450k是现在市面上的数字功放的最常见的频率），1: 如果输入一个20hz的低频信号进入，那么等于把一个20hz的低频信号周期分割为15000个采样点，这个采样点足够在输出的时候完美表达一个正玄波的波形，低音可以得到很好的表现。2: 如果输入一个1k的中频信号，那么他就产生300k/1k , 也就是一个周期300个采样点，这个还是可以接受的，但是已经开始恶化了。3: 如果输入一个20k的中频信号，那么只产生300k/20k ，也就是一个周期60个采样点，已经不能完整表达一个正玄波了，个人认为，这就是高
如果您希望得到进一步的服务与软件升级，您将需要向我们注册。
并不需要每台交钱，关键是不要断了我们的财路！提供源码，但需要尊重我们的劳动成果，如果象pdiusbd12 usb1.1器件那样，我们以后再不愿意在软件上将最新版本提供给客户，同时也不愿意再开发新的软件支持任何客户，我们只好用于自有产品的开发。事实上，我们目前开发的d12固件程序2.6k，使用80c51单片机usb通信速度达到450k以上，win98/2000/xp/me都可以使用同一个驱动软件，现在到处是盗版，而却来我们这里做服务，大家说一说还有什么意思？连200元都赚不到，还做什么服务呢？还有必要象“雷锋叔叔”那样“为人民服务”吗？所以这就是我们公司为什么转向产品的开发与生产，可以说这是逼出来的。我想，如果有一天中国市场缺少“周立功”的参与，可能没有现在这么好，因为每个公司都会“心有余悸”而后怕。
谈谈我对对讲机电路的理解
后，由于信号非常微弱，需要将信号放大，这就需要lna（低噪声放大器）。然后通过一个射频段的带通滤波器，这里标注为image filter（镜像频率抑制滤波器），镜像频率指以载频为中心，与有用信号对称的频率，该频率上的噪声通过混频后会进到中频频率中。2.通过image filter后，信号进入mixer(混频器)中与lo(本地振荡器)进行混频，并通过一个saw（表面声波滤波器），只保留中频点的信号，其他频率点的进行衰减。ifamp(中频放大器)将中频信号恢复并放大后，再次通过第二个混频器将频率降至450k低频，这时信号就容易被基带部分处理。3.基带部分:fmdet,鉴频器，将调制信号恢复出音频信号，但这时的信号效果很差，需要送到音频处理部分处理一下才能得到较好的音效。这部分包括de-emphasis(去加重)，audio filter(音频滤波器)，adder(暂时没搞清楚),volume(调节音量),sp amp(扬声器放大器，提供大功率，推动大负载)，speaker（扬声器）。4.发送部分，人的话音被mic(麦克风)转成电信号，通过pre-emphasis(预加重)和mic amp后送到au

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DRAM价格12月上旬续跌 2012有望回升

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电容感应按键的设计（牛啊）

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