470PWC
LED
HB
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 19 BOHR 3 MAL ...
ETC
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 19 BOHR 3 MAL ...
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 19 BOHR 3 MAL ...
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 19 BOHR 1/8 MA...
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 19 BOHR 1/8 MA...
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 26 BOHR 6 MAL ...
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 26 BOHR 6 MAL ...
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KUPPLUNG FLEX LANG GR 26 BOHR 6 MAL ...
ETC
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以上都为x7r材质，耐125度高温 无极灯 生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用（代替cbb） 规格主要有： 1kv np0 101 221 331 471 102。 100p 3kv np0 1808/1812封装 220p 3kv np0 1808或1812封装- 820p 2kv np0 1812封装 102 2kv np0 1812封装 100p 1kv np0 1206封装 220p 1kv np0 1206封装 470p 1kv np0 1206封装 102 1kv np0 1206封装 0.47u 100v x7r 1206封装 0.68u 100v x7r 1206封装 更多规格欢迎查询和索样！ 节能灯 高压贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积（节能灯专用） 规格主要有： 223/100v 1206封装 102/1kv 1206封装 152/1kv 1206封装 332/1kv 1206封装 222/1kv 1206封装 25
ctf 容量：10000-47000p 允差：+80-20% 工作电压：160v cc53,cc52,ct53,ct52穿心式瓷介电容 该类电容使用于vhf,uhf调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。 cc52e-1c 容量：2-33p工作电压：63v 绝缘电阻：10000mohm cc53-2c 容量：1000-1500p工作电压：160v 绝缘电阻：1000mohm ct87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。cc87-1 容量：470p工作电压：10kv 绝缘电阻：10000mohm ccg81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000p 工作电压20kv(高频15kv) 额定无功功率：100kva最大电流：25a 最大重量：1.3kg 更多关于瓷介电容器的介绍请参考：http://www.dzsc.com/product/searchfile/1271.html
可以用移相的方法消除。可以用移相的方法消除。在反相输入端和输出端间并一个20p~470p的电容即可。
特别关注！我用过的容量最大的npo电容是470p，不知道有没有更大容量的
c8051f系列抗干扰性确实不太好用过c8051f040,开始的时候做了一个双面板，连2级emc都没过；后面费了好大劲改造才过了4级；感觉主要在于电源部分，可试着采用如下措施（仅供参考）：1、板子入口处的直流电源加共模扼流圈，供cpu的最好用好一点的dc-dc芯片；2、进cpu的电源串10欧与470p电容的并联网络；3、复位引脚就近接10u与104电容；4、晶振外壳接地；5、下载程序后jtag口按它说明处理；6、i/o如能光隔最好隔离，特别是做控制用的。
以前一个同事试过，最后数据我记不住了好像两个电容分别是470p和1000p，虽然起振了，但功耗却不比1mhz 低多少，于是转而去整430了。2051看来功耗没有低频优化
mc34063做的电源自激，有什么解决办法没有。用onsemi的mc34063外加pmos管做扩流做个7到16伏输入，5v、1.5a输出的电源，在调试的过程中电路总是自激，表现好的时候为开关管波形为间隔的脉冲簇。这时纹波还算小，不好时就是波形乱，纹波也大。pmos 用的是ntgs3455。续流二极管是mbra340。电感用的是直径10的工字芯，100微亨的，也两个串联用过。输入电容为270微法电解并10微法多层陶瓷。输出电容为10微法陶瓷并容值从50微法到1000微法都试过。震荡电容为470p震荡频率约50k。在调试过程中发现在分压电阻的上面的电阻上并103的电容时情况要好些。 如果不并的话就自激的很大。有没有真正做过这种电源的朋友来说说情况，有没有什么解决方法。这个方案不会采用别的芯片，要的就是便宜。谢了。
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