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semistart，一款来自赛米控(semikron)的新型反并联可控硅模块(w1c开关)。该模块被设计用于过载情况，它有三种不同的尺寸和五种不同的电流等级。尺寸最小的模块可承受560a的过载电流，最大的则能够承受最高3,000a的过载电流长达20秒(在启动阶段)；最大阻断电压为1,400v和1,800v。 与采用传统的平板可控硅的设计不同，semistart模块中的可控硅芯片是采用压接技术直接压在两个散热器之间。通过使用优化过的芯片冷却技术，从而可以实现结构高度紧凑且稳健可靠的系统。此外，散热器除用于散热还作为电气连接器。使用semistart模块，软启动器的结构可以更为紧凑，从而带来更高的性价比。 由于可控硅芯片被直接压置在散热器之间，所以这些模块拥有更少的热电阻rth(j-s)。总体上，新模块的接触层很少，这意味着与传统方案相比新模块的热阻更小，举例来说，这种新模块的总热阻只相当于传统方案中平板可控硅和散热器之间的热接触热阻的一半多，这主要是由于新模块中去掉了阻碍热量从芯片向散热器传输的电气绝缘物质。
semistart，一款来自赛米控(semikron)的新型反并联可控硅模块(w1c开关)。该模块被设计用于过载情况，它有三种不同的尺寸和五种不同的电流等级。尺寸最小的模块可承受560a的过载电流，最大的则能够承受最高3,000a的过载电流长达20秒(在启动阶段)；最大阻断电压为1,400v和1,800v。 与采用传统的平板可控硅的设计不同，semistart模块中的可控硅芯片是采用压接技术直接压在两个散热器之间。通过使用优化过的芯片冷却技术，从而可以实现结构高度紧凑且稳健可靠的系统。此外，散热器除用于散热还作为电气连接器。使用semistart模块，软启动器的结构可以更为紧凑，从而带来更高的性价比。 由于可控硅芯片被直接压置在散热器之间，所以这些模块拥有更少的热电阻rth(j-s)。总体上，新模块的接触层很少，这意味着与传统方案相比新模块的热阻更小，举例来说，这种新模块的总热阻只相当于传统方案中平板可控硅和散热器之间的热接触热阻的一半多，这主要是由于新模块中去掉了阻碍热量从芯片向散热器传输的电气绝缘物质。 semistart模块安装便
去年11月在德国纽伦堡一款来自赛米控的新型反并联可控硅模块（w1c 开关）semistart问世。这款专为软启动设备设计的反并联非绝缘型可控硅模块，其主要优点在于紧凑的结构。该模块被设计用于过载情况，它有三种不同的尺寸和五种不同的电流等级，尺寸最小的模块可承受560a的过载电流，最大的则能够承受最高3000a的过载电流长达20秒（在启动阶段），最大阻断电压为1400v 和1800v。 由于采用了压接和双面芯片冷却技术，新模块能够承受电流高达3000a、时间长达20秒的过载能力。与采用传统的平板可控硅的设计不同，全新的semistart模块中的可控硅芯片是采用压接技术直接压在两个散热器之间。通过使用优化过的芯片冷却技术，从而可以实现结构高度紧凑且稳健可靠的系统。此外，散热器除用于散热还作为电气连接器。一个采用全新的semistart模块的400kw软启动器的尺寸只相当于采用传统的平板可控硅装置的六分之一。来自塞米控的产品工程师说：“使用semistart模块，软启动器的结构可以更为紧凑，从而带来更高的性价比。” 由于可控硅芯片被直接压置在散热器之间，所以这些模块拥有更少的热电阻rt
semistart，一款来自赛米控(semikron)的新型反并联可控硅模块(w1c开关)。该模块被设计用于过载情况，它有三种不同的尺寸和五种不同的电流等级。尺寸最小的模块可承受560a的过载电流，最大的则能够承受最高3,000a的过载电流长达20秒(在启动阶段)；最大阻断电压为1,400v和1,800v。 与采用传统的平板可控硅的设计不同，semistart模块中的可控硅芯片是采用压接技术直接压在两个散热器之间。通过使用优化过的芯片冷却技术，从而可以实现结构高度紧凑且稳健可靠的系统。此外，散热器除用于散热还作为电气连接器。使用semistart模块，软启动器的结构可以更为紧凑，从而带来更高的性价比。 由于可控硅芯片被直接压置在散热器之间，所以这些模块拥有更少的热电阻rth(j-s)。总体上，新模块的接触层很少，这意味着与传统方案相比新模块的热阻更小，举例来说，这种新模块的总热阻只相当于传统方案中平板可控硅和散热器之间的热接触热阻的一半多，这主要是由于新模块中去掉了阻碍热量从芯片向散热器传输的电气绝缘物质。 semistart模块安装便利，不需要诸如安装平板
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