／(n2o+nh3)=0)，采用pecvd工艺制成的sioxny薄介质膜，从测得的aes谱图曲线及红外吸收光谱图[9]联合分析判断，形成的是富氮贫氧型薄膜，膜中组分均匀分布，氮原子约占55％，硅原子约占35％，氧原子占10%。椭圆光谱仪测试指出，研制成膜的厚度在30nm右，说明研究的对象是纳米级膜。对大量实验中带代表性薄膜样品的结果进行分析，仅改变反应室气压，其他皆按常规标准工艺形成薄膜样品(以p-si衬底为例)，其中，7号样品气压33．25pa；11号样品气压39．90pa；2号样品气压46.55pa；9号样品气压53．20pa；10号样品气压59.85pa。相应的准静态c-v、高频c-v特性测试，得到膜的电学参数列在表1。分析发现，薄膜样品i-v击穿特性并不是随反应室气压增加而单调变化，相对来说，2号样品的i-v特性最好，开始时随电压增大电流几乎为零并保持不变，当电压增大到200v左右时，电流突变急剧上升，曲线上升陡直，击穿“硬”，击穿电场eb高(约6．7×107v·cm-1)。结合表1结果分析看出，该薄膜样品各项电学参数都比较好，同时其抗热电子注入等物理电学性能也较好[10]。11号样品
联系人：
联系方式：
