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  • PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

    /(n2o+nh3)=0),采用pecvd工艺制成的sioxny薄介质膜,从测得的aes谱图曲线及红外吸收光谱图[9]联合分析判断,形成的是富氮贫氧型薄膜,膜中组分均匀分布,氮原子约占55%,硅原子约占35%,氧原子占10%。椭圆光谱仪测试指出,研制成膜的厚度在30nm右,说明研究的对象是纳米级膜。对大量实验中带代表性薄膜样品的结果进行分析,仅改变反应室气压,其他皆按常规标准工艺形成薄膜样品(以p-si衬底为例),其中,7号样品气压33.25pa;11号样品气压39.90pa;2号样品气压46.55pa;9号样品气压53.20pa;10号样品气压59.85pa。相应的准静态c-v、高频c-v特性测试,得到膜的电学参数列在表1。分析发现,薄膜样品i-v击穿特性并不是随反应室气压增加而单调变化,相对来说,2号样品的i-v特性最好,开始时随电压增大电流几乎为零并保持不变,当电压增大到200v左右时,电流突变急剧上升,曲线上升陡直,击穿“硬”,击穿电场eb高(约6.7×107v·cm-1)。结合表1结果分析看出,该薄膜样品各项电学参数都比较好,同时其抗热电子注入等物理电学性能也较好[10]。11号样品

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