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氧化物半导体甲烷敏感元件的研究进展

其重要的作用, 能有效地提高半导体元件的灵敏度和响应时间，因此被广泛地用于掺杂以提高元件的敏感特性。a.licciulli［2］等利用溶胶－凝胶法制备sno2薄膜的过程中，发现薄膜在掺锇（os）后明显地提高了灵敏度，其最佳灵敏度的工作温度为250℃，比纯sno2薄膜对甲烷的工作温度要低220℃，降低了能耗和燃烧爆炸的危险。 据报道，jae chang kim［3］等在以al2o3为助催化剂的情况下，在sno2（ca ，pt）的气敏半导体材料掺入pd催化剂，大大提高了气敏传感器的性能。在685k工作温度下，其对甲烷的灵敏度超过了含同样数量的pt、rh或ni催化剂的sno2，同时也超过了直接掺入同样数量的pd 的sno2气敏材料。这主要是由于pd或pdo颗粒在助催化剂al2o3的作用下高度分散，充分发挥了pd对甲烷气体氧化的催化作用。通常在氧化物半导体中加入稀土金属元素对甲烷的灵敏度、选择性等性能没有提高，甚至具有抑制的作用[4]。而在半导体氧化物中加入金属氧化物可以改善其电性能和稳定性。在sno2加入少量的sb2o3可以稳定其电阻[5]，这样就保证了半导体氧化物在热处理和加热工作中稳定