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AT28C010
快速读取时间：120ns；自动页写操作：用于128字节内部地址和数据锁存，内部控制计时器；快速写周期时间：页写周期时间：10ms（最大值），1～128字节页写操作；低功耗：正常工作时电流：40mA，CMOS待机电流：200μA；硬件和软件数据保护；高可靠性CMOS技术：104或105次循环擦写周期，10年数据保留；单电源电压：5V±0.5V；全部输入输出支持CMOS和TTL兼容；商业级和工业级温度范围

请教一个简单的问题
请教一个简单的问题现在8031，怎样读写at28c010，主要是地址线怎么处理
怎样能实现将数据每1ms内存到外部memory？
怎样能实现将数据每1ms内存到外部memory？我的程序思想是用1ms的中断去处理数据，需要将大量数据存储起来进行分析但是eeprom写需要大量时间，如at28c010采用polling去检测是否写好，即使写1byte数据也会超过1ms，所以中断系统就破坏了。我也看了内部eeprom，flash rom，时间很长，不知道大家有什么办法能在1ms内将数据储存起来（只存1byte也行）又不破坏中断的好办法？谢谢了！
单片机系列/液晶/开关/集成电路/电子元件、电子器件、...
广的产品中：包括电信、航空电子和军事应用。爱特梅尔提供世界上唯一的4 mb单片eeprom, 被应用于军事和商业航空电子上。设备描述 at28bv256 256k eeprom with 64-byte page & software protection, 2.7-volt at28bv64 64k eeprom, 2.7-volt at28bv64b 64k eeprom with 64-byte page & software protection, 2.7-volt at28c010 1m bit eeprom with 128-byte page & software data protection at28c040 4m bit eeprom with 256-byte page & software data protection at28c256 256k eeprom with 64-byte page & software protection at28c64 64k eeprom with ready/busy at28c64b 64k ee

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