年，通常为5v、3.3v、3v、2.7v、2.5v或1.8v单电源供电。saifun提出的quad nrom新技术，使传统存储单元上存储的数据信息扩大了一倍，同时也大大提高了读/写访问速度。该项技术应用于e2prom产生了很多大密度、高速度、小体积存储器件。 常用e2prom器件有8位并行的e.prom和spi、i2c、1-wire等串行e2prom.器件命名常带"c",如"25c".并行e2prom容量在2~512 kb,速度为100~300 ns,如atmel公司的5 v/512 kb的at28c020、3.3 v/128 kb 的 at28lv010、 3 v/64 kb 的at28bv256,以及mcrochip公司的28c04/16/17/32/64a等。 1一wire串行e2prom多为低功耗器件，6或8脚的so、sot、tsoc或csp封装，容量为256位~4 kb,"页"模式写操作，具有wp或sha一1数据写保护机制。 maxim公司供应不同规格的该类器件，型号为ds243x,如电源电压为2.8~5.5 v、容量为1 kb的ds2432. i2c串行e2prom容量为1
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