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百分百深圳现货，收购库存IC
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进口原装，北京现货
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特价热销原装现货
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只售原装，假一罚十。
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原装 支持实单
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中国区代理全新原装假一罚十
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进口原装
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原装现货，全新渠道优势专营进口品牌
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[摘 要] 介绍了一种新型铁电存储器fm18l08，同时还分析了tms320vc5402 dsp的并行引导装载模式，给出了一种基于铁电存储器fm18l08的dsp脱机独立运行系统的设计方案，并且该方案已成功的应用到一种语音门锁系统中。 [关键词] dsp；铁电存储器；并行引导装载模式 1 引 言 铁电存储器（fram）是ramtron公司近年推出的一款掉电不挥发存储器，它结合了高性能和低功耗操作，能在没有电源的情况下保存数据。fram克服了eeprom和flash写入时间长、擦写次数低的缺点，其价格又比相同容量的不挥发锂电sram低很多，已在地铁系统、抄表系统及it工业中得到了广泛的应用。 tms320vc5402（以下简称c5402）是美国德州仪器公司（ti）推出的一款性价比极高的16bit定点数字信号处理器（dsp），操作速率可达100mips，它丰富的内部资源配置为用户构造系统提供了很大便利，已经在通信、电子、图象处理等领域得到了广泛的应用。但是，c5402是ram型器件，掉电后不能保持任何用户信息，所以需要用户把程序代码放在不挥发的存储器内
下，最大串行时钟频率为2.1mhz。支持64字节的页写方式以及字节写方式。另外，at25256还可以通过设置写保护引脚/wp的电平来设置芯片的只读或可写状态。 530)this.width=530" border=0> vc5509采用spi接口eeprom模式加载时，默认同步串口0的信号引脚来模拟spi接口，gpio4作为eeprom片选输入。 vc5509具有128k字节内ram，为扩展数据存储备份，外部扩展了两片铁电存储器作为数据存储器，如图5所示。这里选用的是ramtron公司的fm18l08。铁电存储器具有非易失性存储器的特征，同时具有类似ram的读写操作（非常方便），近两年应用越来越广泛。fm18l08内部按照32k×8位组织，访问周期为70ns，读写操作周期相同，易于使用。同时它也是一款支持低电压工作的芯片，3.3v时典型工作电流为5ma，典型静态电流为7μa。 2．2 高效率电源的设计 vc5509工作在双电源电压下，其核心电压为1.6v，i/o电压为3.3v。对双电压电源系统，常用的是有线性稳压电源以及开关稳压电源，根据两者对电压转换的原理的不同，电压的转换效率
020与其它v系列f-ram一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，并采用业界标准28脚soic封装，具有快速访问、无延迟(nodelay?) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。fm28v020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的sram的兼容替代产品。 ramtron市场拓展经理mike peters称：“fm28v020相比现有256kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的fm18l08比较之下，fm28v020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2v的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40mhz，是需电池供电的sram或nvsram的简便升级产品。” 关于fm28v020 fm28v020是配置为32k x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram)，读写操作与标准sram相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的sram (bbsram) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除
×106≈1.63s。 针对以上两种加载方式存在的问题，提出了利用二次引导加载方式来解决的办法。 二次引导加载是采用引导加载的原理，在上电复位时，dsp内部固化的引导程序将一个自编的引导程序加载到片内，然后通过二次引导加载程序将最终需要执行的程序加载到dsp中，从而实现更加灵活的程序加载。 2 并行方式下的二次加载设计 针对16位并行加载方式中存在的加载程序容量有限的问题，并行二次加载方案中利用dsp的gpio口来扩展地址线，解决大于16k字程序的加载问题。这里使用两片铁电存储器fm18l08（32k×8位）作为32k字外扩程序存储器，55509地址线a[l3：1]与铁电存储器地址线a[12：0]相连，扩展5509的通用i／o口gpio[7：6]，用作高位地址线与铁电存储器地址线a[14：1 3]相连。在二次引导加载程序中，利用软件控制gpio[7：6]输出高低电平，来达到控制高位地址线的目的，电路如图2所示。general purpose input output （通用输入/输出）简称为gpio，或总线扩展器，利用工业标准i2c、smbus?或spi?接口简化了i/o口的扩展。当
f5282以单片方式运行，mcf5282采用i／o端口或功能端口，与外部进行信息交换。系统的复位电路采用带电源监视的复位电路芯片imp706r，在装置上电、电源电压异常、手动复位和程序运行混乱或超时而产生“死锁”时可使系统复位，其电路如图2所示。 2.2.2 存储器和数据采样电路 存储器选用2片fml8l08，数据采样选用ad976a，两种器件的数据线、地址线共用，控制线除片选线外，其他线共用，如图3所示。mcf5282微处理器中的软件以i／o端口方式操作这些信号线。 fm18l08是采用先进的铁电技术制造的32 kb非易失性铁电随机存储器fram，其数据掉电后可以保存10年之久。它的高速写操作以及擦写次数多使得它比其他非易失性存储器具有更高的优势。fml8l08与mcf5282的连接如图3所示，2片fml8l08采用并联的方式构成32 k×16位的存储器．它可以进行8位和16位的数据操作。mcf5282片内已有64 kb的随机存储器，足以存放嵌入式系统中软件处理的各种数据，扩展fml8l08的主要目的是实现数据录波和动作参数的存放。 mcf5282中有8路10位队列
[摘 要] 介绍了一种新型铁电存储器FM18L08，同时还分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式，给出了一种基于铁电存储器FM18L08的DSP脱机独立运行系统的设计方案，并且该方案已成功的应用到一种语音门锁系统中。 ...
摘要：ＦＭ１８Ｌ０８是Ｒａｍｔｒｏｎ公司新近推出的一种新型铁...
256K位非易失性铁电存储器，结构容量为32768×8位，读写次数无限制，写数据无延时，采用先进的高可靠性的铁电制造工艺，数据保留45年；相对于有电池后各的SRAM组件，不涉及电池，单片可靠性，真正表面贴装解决方案，抗负脉冲能力；兼容SRAM和EEPROM，符合JEDEC标准32K×8SRAM，存取时间70ns，周期时间：140ns低功率操作：工作电压3.0～3.6V，工作电流15mA，待机电流15μA；工业级标准配置：工业级温度－40～＋85℃
以下将对mcf5282与各个部分的连接及工作原理加以叙述。 2.2.1 mcf5282电路 为提高主模板的可靠性，应尽量减少mc5282的外围器件，设计mcf5282以单片方式运行，mcf5282采用i/o端口或功能端口，与外部进行信息交换，系统的复位电路采用带电源监视的复位电路芯片imp706r，在装置上电，电源电压异常，手动复位和程序运行混乱或超时而产生"死锁"时可使系统复位，其电路如图2所示。 2.2.2 存储器和数据采样电路 存储器选用2片fm18l08，数据采样选用ad976a，两种器件的数据线、地址线共用，控制线除片选线外，其他线共用，如图3所示，mcf5282微处理器中的软件以i/o端口方式操作这些信号线。 fm18l08是采用先进的铁电技术制造的32kb非易失性铁电随机存储器fram，其数据掉电后可以保存10年之久。它的高速写操作以及擦写次数多使得它比其他非易失性存储器具有更高的优势。fm18l08与mcf5282的连接如图3所示，2片fm18l08采用并联的方式构成32k×16位的存储器，它可以进行8位和1
020与其它v系列f-ram一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，并采用业界标准28脚soic封装，具有快速访问、无延迟(nodelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。fm28v020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的sram的兼容替代产品。 ramtron市场拓展经理mike peters称：“fm28v020相比现有256kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的fm18l08比较之下，fm28v020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2v的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40mhz，是需电池供电的sram或nvsram的简便升级产品。”
020与其它v系列f-ram一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，并采用业界标准28脚soic封装，具有快速访问、无延迟(nodelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。fm28v020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的sram的兼容替代产品。 ramtron市场拓展经理mike peters称：“fm28v020相比现有256kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的fm18l08比较之下，fm28v020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2v的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40mhz，是需电池供电的sram或nvsram的简便升级产品。” 关于fm28v020 fm28v020是配置为32k x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram)，读写操作与标准sram相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的sram (bbsram) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。
求救，把变量移到铁电ram中时，总执行到“b dataabort”，啥原因 系统在bank1扩展了铁电ram fm18l08 ，当通过分散加载文件把 * (+rw,+zi)移到0x81000000时，程序总执行到 “b dataabort”，啥原因？分散加载文件为：rom_load 0x0{ rom_exec 0x00000000 { startup.o (vectors, +first) * (+ro) } iram 0x40000000 { ;* (+rw,+zi) startup.o (mystacks) } stacks_bottom +0 uninit { startup.o (stackbottom) } stacks 0x40004000 uninit { startup.o (stacks) } eram 0x81000100 { * (+rw,+zi) } he
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