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基于USB2.0的高性能移动存储设备的设计
摘要：简单介绍了atmel公司的usb接口芯片at89c5131和samsung公司的nand flash芯片k9k2g08u0a,详细讨论了基于该芯片的高性能移动存储设备的硬件接口设计和相关的固件程序设计。 1．引言闪存盘（flash memory）是usb接口的一种典型应用，1999年朗科研发出全球第一款usb闪存盘，成功启动了全球闪存盘行业。由于闪存是一种基于半导体的存储器，信息在断电后可以保存，并且还具有低功耗、速度快、可擦写性、高可靠性、低成本等特点，是高数据存储密度的最佳选择，在外部存储领域、嵌入式系统、工控行业和信息家电业得到广泛使用，如手机、数码相机、mp3等。市场上的flash有多种技术来实现，其中最常用的有nand（与非）和nor（异或）两种。武汉电离层观象台的高频多普勒与到达角探测分析系统在投入实际观测后，获得了一些很重要的观测数据[1]，该系统的数据采集单元采用闪存作为数据移动存储设备，实现与计算机的信息交互，完成数据的分析与处理。本文所讨论的nand flash存储器与usb2.0控制器的硬件连接和软件编程方法，在研究开发usb移动存储器使其更稳定安全地

K9K2G08U0A
电源电压：Vcc＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(256M十8192K)X8位﹐数据存储器：(2K+64)X8位﹐缓存存储器：(2K+64)X8位；自动编程和擦除：页编程：(2K+64)字节﹐块擦除：(128K+4K)字节；页读操作：页大小：2KB﹐随机存取：25μs(最大值)﹐串行访问：30ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)﹐块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术﹐100k次编程/擦除周期﹐10年的数据保留时间；指令存储器操作；上电自读操作；封装：48引脚的TSOP封装

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