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LPC660AIM中文资料

  • 制造商:

    National Semiconductor (TI)

  • 通道数量:

    4

  • 共模抑制比（最小值）:

    70 dB

  • 输入补偿电压:

    3 mV at 5 V

  • 工作电源电压:

    9 V, 12 V

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装 / 箱体:

    SOIC-14 Narrow

  • 转换速度:

    0.07 V/us at 5 V

  • 关闭:

    No

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 工厂包装数量:

    55

  • 电源电流:

    0.2 mA at 5 V

  • Supply Voltage - Max:

    15 V

  • Supply Voltage - Min:

    5 V

  • 技术:

    CMOS

  • 电压增益 dB:

    120 dB

  • LPC660AIM

    LPC660AIM引脚图满摆幅输出；微功耗操作：(1mW)；指定100kΩ和5kΩ负载；高电压增益120dB；低输入偏置电压3mV；低偏置电压漂移1.3μV/℃；超低输入偏置电流2fA；输入共模包括V－；操作范围为＋5～＋15V；在1kHz时低失真0．01％；转换速率0.11V/μs；完全军用温度范围

LPC660AIM替代型号

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