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LPC660IM Low Power CMOS Quad Operational Ampl... NSC [National Semiconductor] LPC660IMPDF下载
LPC660IMX Voltage-Feedback Operational Amplifi... ETC LPC660IMXPDF下载
LPC660IM/NOPB General Purpose Amplifier 4 Circuit ... LPC660IM/NOPBPDF下载
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LPC660IM价格行情

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历史最低报价：￥1.2000 历史最高报价：￥30.0000 历史平均报价：￥5.8026

型号厂家封装批号数量日期价格
LPC660IM NS SOP14 06+ 2008/12/3 0:00:00 1.2000/pcs
LPC660IM SZ SOP-14 2007/12/10 0:00:00 1.5000/pcs
LPC660IM NS 06+ 2008/12/3 0:00:00 2.0000/pcs
LPC660IM NS SOP-14 06+ 2008/12/3 0:00:00 2.5000/pcs
LPC660IM NS SOP14 07+ 2008/6/30 0:00:00 3.0000/pcs
LPC660IM NSC SO-14 07+ 2008/6/30 0:00:00 3.5000/pcs
LPC660IM NS SOP-14 2007/12/10 0:00:00 3.5000/pcs
LPC660IM SOIC NS 03+ 2007/12/10 0:00:00 3.5000/pcs
LPC660IM NSC SOP-14 2003 2007/12/4 0:00:00 3.5000/pcs
LPC660IM NSC SOP 07+ 2007/11/14 0:00:00 3.5000/pcs

LPC660IM中文资料

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引脚图及结构图

制造商:
National Semiconductor (TI)
通道数量:
4
共模抑制比（最小值）:
63 dB
输入补偿电压:
6 mV at 5 V
工作电源电压:
9 V, 12 V
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-14 Narrow
转换速度:
0.05 V/us at 5 V
关闭:
No
最大工作温度:
+ 85 C
封装:
Tube
最小工作温度:
- 40 C
工厂包装数量:
55
电源电流:
0.24 mA at 5 V
Supply Voltage - Max:
15 V
Supply Voltage - Min:
5 V
技术:
CMOS
电压增益 dB:
120 dB

LPC660IM
满摆幅输出；微功耗操作：(1mW)；指定100kΩ和5kΩ负载；高电压增益120dB；低输入偏置电压3mV；低偏置电压漂移1.3μV/℃；超低输入偏置电流2fA；输入共模包括V－；操作范围为＋5～＋15V；在1kHz时低失真0．01％；转换速率0.11V/μs；完全军用温度范围

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制造商:

通道数量:

共模抑制比（最小值）:

输入补偿电压:

工作电源电压:

安装风格:

封装 / 箱体:

转换速度:

关闭:

最大工作温度:

封装:

最小工作温度:

工厂包装数量:

电源电流:

Supply Voltage - Max:

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技术:

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