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是否有可能为3g手机制造一种低成本cmos pa？对于这个问题，法国acco半导体公司相信他们已经找到了实现途径。 但观察人士仍然质疑masmos技术是否能够兑现承诺。一位分析师认为cmos pa可能没有实际意义，因为市场上已经涌现出了封装在一起的前端模块。虽然cmos技术一直用于gsm手机功率放大器，但gaas或类似技术迄今为止都是必不可少的。 “gaas技术与cmos技术之间的主要区别在于器件的击穿电压，”acco的denis masliah解释道。“在饱和放大器中，对于极高效率的方式而言，在偏置电压为3v的情况下，通过器件的电压可达12v或更高。而在线性放大器中，由于远离饱和区，故必需一个等效电压偏移来限制最高功率等级时的失真。” “此外，还必须承受（阻抗）与器件天线的失配问题。这可能在器件上产生很大的电压，若其电压能力过低，就可能造成器件的损坏，”他还指出：“acco的masmos技术可以解决目前rf的击穿问题。的击穿电压一般可在14v以上。” masliah透露，acco公司正在为其cmos功率放大器概念“申请一系列专利”，但他不愿意详细谈及acco是如何提高cm
企业信息管理层it技术有机地融为一体，同时又完全保留了profibus现有的开放性。 profinet现场总线体系结构如图10所示，从图中看出，该方案支持开放的、面向对象的通信，这种通信建立在普遍使用的ethernet tcp/ip基础上，优化的通信机制还可以满足实时通信的要求。基于对象应用的dcom通信协议是通过该协议标准建立的。以对象的形式表示的profinet组件根据对象协议交换其自动化数据。自动化对象即com对象作为pdu以dcom协议定义的形式出现在通信总线上。连接对象活动控制（acco）确保已组态的互相连接的设备间通信关系的建立和数据交换。传输本身是由事件控制的，acco也负责故障后的恢复，包括质量代码和时间标记的传输、连接的监视、连接丢失后的再建立以及相互连接性的测试和诊断。 图10 type10 profinet现场总线体系结构 profibus可以通过代理服务器(proxy)很容易地实现与其它现场总线系统的集成，在该方案中，通过代理服务器将通用的profibus网络连接到工业以太网；通过以太网tcp/ip访问profibus设备是由proxy使用远方程序调用
射频系统小型化。 图3：通过使用集成模块替代多个分立模块，手机制造商可以节省大量空间用于功能设计， 如wi-fi、gps、蓝牙、照相机以及收音机等。 虽然cmos在具成本效益的整合方面有许多显著优点，但在手机应用中，cmos功率放大器一直无法匹敌或超过砷化镓(gaas)pa的性能。javelin semiconductor的营销副总裁patrick morgan解释说，“axiom microdevices开发出基于分布式有源变换器(dat)的2g pa架构，dat是一种模拟技术。acco semiconductor开发出一种用于pa的称为masmos的新晶体管技术。总之，各公司试图解决cmos pa的挑战的方法主要有以下三种：数字信号处理；新型的模拟架构衍生；对标准cmos工艺流程进行重大变革。” 针对w-cdma和hspa无线通信推出的jav5001 pa，是采用标准cmos工艺实现的。jav5001整合了基带和收发器。在3×3mm封装内，它集成了功率调节、pa偏置、输入和输出匹配以及功率控制电路。jav5001采用单电源供电。在w-cdma调制时，其线性输出功率可达2
是否有可能为3g手机制造一种能效与功能可媲美砷化镓功率放大器(gaas pa)的低成本cmos pa？对于这个问题，法国acco半导体公司相信他们已经找到了实现途径。 但观察人士仍然质疑该公司的masmos技术是否能够兑现承诺。一位分析师认为，面向3g手机的cmos pa可能没有实际意义，因为市场上已经涌现出了越来越多将功放、滤波和cmos控制器封装在一起的前端模块。虽然cmos技术一直用于gsm手机功率放大器，同时也用于满足蓝牙和无线局域网(wlan)的功放要求，但对于调制方案更复杂、频率更高的演进型3g(evolved 3g)及wimax而言，gaas或类似技术迄今为止都是必不可少的。 “目前功放所用的gaas技术与cmos技术之间的主要区别在于器件的击穿电压，”acco的创始人兼首席技术官denis masliah解释道。“在饱和放大器中，对于极高效率的方式而言，在偏置电压为3v的情况下，通过器件的电压可达12v或更高。而在线性放大器中，由于远离饱和区，故必需一个等效电压偏移来限制最高功率等级时的失真。” “此外，还必须承受(阻抗)与器件天线的失配问题。这可能在器
是否有可能为3g手机生产一种cmos功率放大器(pa)，具有和砷化镓(gaas)pa一样的功率效率和鲁棒性？法国公司acco semiconductor相信，它已找到了通向上述目标的途径，并希望利用它手中的专利应用在这个数十亿美元的市场中大赚一笔。 acco自1994年以来一直在rf ic领域从事设计服务。许多打着系统厂商和半导体厂商品牌销售的大量高频芯片，实际上都是由denis masliah组织的团队开发出来的。denis masliah是acco的创建者及首席技术官。 masliah表示，该公司最近在把cmos用于功率放大器方面取得“突破”。masliah找上了英国风险投资公司pond venture partners ltd.，他相信该技术带来了绝好的机会，可以使他的公司从设计服务转型为无厂半导体公司。 经过13年的发展，该公司已扩大到46人，其中约有40人是设计工程师。 pond被acco及其cmos pa深深打动，与partech international联手向其提供了1000万美元的风险投资。其中一半是在2007年初提供给
由于快速的电子迁移率特别适合于高频高速信号的处理，目前大部分手机中的功放(pa)都采用gaas来制造。不过这种材料居高不下的成本也一直为业界所诟病。最理想的办法是在12英寸晶圆上采用cmos工艺来大规模量产这种射频前端器件，而研究人员也已在实现这一目标方面投入了大量工作，但时至今日在高频高速性能的pa领域仍然还没有其他可量产的工艺可与gaas相媲美。 不过来自法国的acco半导体却在不久前宣布，他们已经找到了通往上述目标的方法。acco创始人兼首席技术官denis masliah表示，他们利用cmos硅工艺制造的pa有望在2009年进入手机应用。他宣称，cmos击穿问题一直都是阻碍上述进程的最大障碍，而由其开发的masmos工艺可以解决目前rf所用的从180nm到65nm所有cmos技术的击穿问题，masmos具有相当于gaas器件的增益能力，击穿电压14v以上，并可从90nm升级到65nm甚至45nm，适合于任何代工厂，可在绝缘硅(soi)上实现(详见本刊9b)。 intel也披露了其在实现cmos pa方面的最新进展。intel技术与制造部器件研究总监mike mayb
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