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,支持在系统编程,最高工作频率达12mhz[3]。在本系统中,它负责完成a/d器件的初始化,地址发生器、数据存储器的控制,以及计数统计和报警触发。 a/d转换器选用philips公司的saa7111,其初始化通过i2c总线进行。利用at90s2313的两个通用i/o引脚,就可以产生i2c总线的时序信号,完成对saa7111的初始化。片内的16位计数器用以进行计数统计,并产生中断报警信号。阈值判别和临界面积的设定以及dram参考帧的定期刷新都通过对at90s2313的编程来实现。 at29c512高密度flash 本系统根据差值数据宽度的需要,选择at29c512(64k×8)boot flash,其读周期长度为70ns,完全满足实时处理的要求。选用flash的优点是可以进行在系统改写,这在使用环境复杂,需要大量动态调整处理的情况下是非常有利的。可以通过at90s2313对flash中的差值算法进行修改以适应实际环境的需要。 atf1500a高密度cpld dram的操作时序信号包括行、列地址产生、刷新控制、读写控制等全部由地址信号发生器来产生,这里选用了atf1
接到c5402的复位信号引脚/rs上,由用户程序通过pci2040控制c5402的复位,并且把c5402的/hint引脚和/int2引脚相连接,保证接收中心的dsp在复位时正确选择hpi自举加载的方式。异步串行接口及eprom模块设计异步串行通信接口模块采用max232将c5402输出的ttl电平转换为符合rs-232标准的电平,可以与遵循该标准的器件进行通信。本方案利用了c5402的缓冲串口mcbsp0的两个引脚——dr0和dx0作为通用的输入和输出引脚,用来模拟异步串口。eprom芯片采用了at29c512,其存储容量为。在用户端要把dsp的复位信号/rs通过开关和dvdd连接,手动地产生复位信号,并断开 /hint和/int2的连接,以便在复位时程序可以由eprom正确地加载。 系统软件设计信号检测算法流程设采样率为f,码元速率为r,则对每个码元采样得到的点数为:n=f/r。在dsp的ram中设置一个滑窗,其长度为n,用来保存采样结果,每次采样后用新样本覆盖滑窗中最老的样本,实现数据的更新。在ram中预先保存了对导频信号进行数字化处理所得到的n点本地导频序列,以及对mfsk信号进行数字化处理所
某节点发送数据时,它向sja1000的一些缓冲器写数据和命令。数据通过sja1000处理后,合成can帧格式,通过6n137至82c250,由82c250的差分端canh和canl传送到物理总线。外部节点发送过来的数据通过82c250经光电隔离器6n137后被sja1000接收,存放在sja1000相应的寄存器中。c8051f120就可以读取这些can帧格式数据。lon模块由mcl43150、ftf-10a、mc145407以及外扩sram储存器is61c256ah-15n和外扩flash存储器at29c512组成。mc143150是lonworks控制芯片,含有lontalk协议的固态软件,主要用于lonworks数据的处理。ftt-10a是lonworks收发器,它是一种变压器耦合收发器,支持网络的自由拓扑结构,作为lon网的网络介质的接口。mc145407是电平转换芯片,负责mc143150与rs232之间的电平转换。当c8051f120要向mc143150发送数据时,c8051f120把数据发送到串口缓冲区,通过mc145407将i/o引脚输入的ttl电平和输出的cmos电平转换为eia232
线标准,包括ata、utopia、epp和pcmcia。它完全适用于usb2.0,并向下兼容usb1.1。 3150芯片选用toshiba公司生产的tmpn3150。3150片内存储器的地址范围是e800h~fffh,包括2kb的sram和512b的eeprom。3150可以外接存储器,如ram、rom、eeprom或flash,其地址范围是0000h~7ffh。根据一般应用的性能和成本要求,3l50的外部存储器采用flash和ram。flash选用is61c256ah-15n,ram选用at29c512。61c256和29c512的地址范围通过逻辑门电路根据neuron芯片的地址线和控制线e来确定。51与3l50采用3150的并口通信方式,将neuron芯片的io0~io7作为8根数据线与51cpu的pb(pb0-pb7)口相连-108作为片选信号线e§)与51cpu的pco口相连.io9作为数据读/写信号线(r/w)与51cpu的pc6口(写信号)相连。io10作为握手信号线(hs)与51cpu的pc1口相连。 为提高增加接口卡的可靠性及稳定性,本设计增加了一个锁存器,完成复位接口的
1.1 硬件技术背景 单片机的频率越来越高,ram的访问速度也来也快,但单片机系统的效率并不一定成比例的提高。 目前,使用的主流单片机有80386ex(50mhz,外部地址/数据总线16位)、mpc860t(66mhz,外部地址/数据总线32位)以及ds80c32(25mhz,外部地址/数据总线8位);使用的sdram有hy57系列、k416系列(访问速度100mhz或133mhz);使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz);使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可见,sdram,sram的速度和单片机是匹配的,甚至比单片机的速度更快一点,不需要单片机插入等待状态。而flash的访问频率则比单片机慢2~6倍,单片机往往要通过插入多个等待状态来和它相匹配,况且flash多为8位,而当前单片机多为16,32位,更多的降低了单片机的工作性能。 根据上述分析,如果提高flash的访问速度,扩展flash为16位或32位,那么程序执行的速度就快了,单片机的性能也就提高了。如果能够将这一想
石玉泽引 言:1 问题的提出1.1 硬件技术背景 单片机的频率越来越高,ram的访问速度也来也快,但单片机系统的效率并不一定成比例的提高。目前,使用的主流单片机有80386ex(50mhz,外部地址/数据总线16位)、mpc860t(66mhz,外部地址/数据总线32位)以及ds80c32(25mhz,外部地址/数据总线8位);使用的sdram有hy57系列、k416系列(访问速度100mhz或133mhz);使用的sram 如idt71024、idt7256(50mhz);使用的flash有at29c512、sst39vf040、at29c010(8mhz或15mhz)等。可见,sdram,sram的速度和单片机是匹配的,甚至比单片机的速度更快一点,不需要单片机插入等待状态。而flash的访问频率则比单片机慢2~6倍,单片机往往要通过插入多个等待状态来和它相匹配,况且flash多为8位,而当前单片机多为16,32位,更多的降低了单片机的工作性能。 根据上述分析,如果提高flash的访问速度,扩展flash为16位或32位,那么程序执行的速度就快了,单片机的性能也就提高了。如果能够将这一想法变成事
or 4.5v - 5.5v read and write flash, bottom boot 5v, x8 small sectored flash : at29c256 (18 pages, revision r, updated 9/06)256k, 5-volt read and 5-volt write flash at29c257 (16 pages, updated 9/97)256k, 5-volt read and 5-volt write flash at29c512 (18 pages, revision h, updated 2/05)512k, 5-volt read and 5-volt write flash at29c010a (18 pages, revision h, updated 2/05)1m bit, 5-volt read and 5-volt write flash at29c020 (17 pages, revision q, updated 11/05)2m bit, 5-volt read and 5-vol