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BSM150GT120DN2 EUPEC 专营全系列模块 N/A 368 2013/4/23 10:17:01 750.0000/pcs
BSM150GT120DN2 EUPEC IGBT 11+ 980 2013/4/23 10:16:54 750.0000/pcs
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BSM150GT120DN2 Infineon 标准封装 11+ 880 2015/12/3 10:17:59 1300.0000/pcs
BSM150GT120DN2 SIEMENS 150A1200V6U 05+ 2007/2/6 0:00:00 1350.0000/pcs
BSM150GT120DN2 模块 2 2015/11/20 9:56:12 1450.0000/pcs
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相关资讯

制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 模块
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1200 V
集电极—射极饱和电压:
2.5 V
在25 C的连续集电极电流:
200 A
栅极—射极漏泄电流:
320 nA
功率耗散:
1.25 KW
最大工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
EconoPACK 3A
栅极/发射极最大电压:
20 V
安装风格:
Screw
工厂包装数量:
10

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集电极—射极饱和电压:

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