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当前位置：维库电子市场网>IC>bsn254 更新时间:2024-04-28 06:28:12

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  • 能改进动圈表头对小电流测量的MOSFET

    ma的表头，则最小b时的满量程基极电流将达0.375 ma。从集电极电流中减去基极电流会产生2.5%的误差。 但是，假如你使用一个满量程偏转只要150ma 的动圈表头，则测量误差将大大增加，因为当集电极电流减小时,b也在减小。对bc182来说，当集电极电流从数毫安降至 200ma 时，电流增益b也会降低 0.6倍，因而影响到表头读数的准确性。 530)this.width=530"> 为解决这一问题，改进电路的准确性，可以用一支 n 沟道 mosfet 代替 bc182，如 bsn254（图 1）。由于 mosfet 管不需要栅极电流，因此它吸入的电流id 就等于其源极电流is。当为这个电路选择 mosfet 管时，要注意管子的栅-源阈值电压应尽可能低。例如，bsn254在室温下的栅-源阈值电压范围为0.8v至2v。电路的其余部分的处理与原设计实例相同，即要在 r1 上获得最大1v电压降，就要按下列方法计算rsense2：rsense2 = (1v/imeter)，其中 rsense的单位为欧姆，1v表示r1 上的压降，imeter 为电表满量程读数，单位为安培。注意，1kω阻

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