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，测量方法如图1—128所示。 测量后的数据可见下表所列。 发射极到两个基极的反向电阻应映了发射极的漏电流。这个电流是很小的，一般只有1—2μa，因此阻值应该很高，即使用高电压的电阻档量，阻值也很高。 (2)分压比的粗测方法 硅单结晶管是个负阻元件，它可以存在两种状态，一种是发射放电流极小的截止状态，一种是发射极电流较大的导通状态。 型 号 eθb1⊕ eθb2⊕ b1⊕b2θ b1 b2⊕ bt33b rx1ω 700ω 500ω ― ― rx10ω 1kω 900ω 10kω 10kω rx1kω 13kω 8.7kω 8.2kω 8.2kω rx10kω 10kω 8kω 8kω 8kω 所以要能找到截止和导通两种状态，才能表示管子是好的。图l—129所示是分压比的测量方法。 测量时，先用1.5v外加电源接通两基极(一定要先接通两基极电
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