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本相同;to一220封装外形与国产管s一7b封装外形基本相同;t0一202封装外形与国产管s一6封装外形基本相同。 采用to系列封装的常用晶体管有:t0一3为:2sd869、2sd850、2sd951、2sd821、2sd871、2sd822;t0一92为:2sa562、2sa608、2sa1015、2sc388、2sc1815、2sc536;to一220为:2sa940、2sb546、2sc2073、2sc4004、2sd880、2sdl138、d880、3cg940、ds3l、bu406、bu407等。 来源:ks99
图:带阻尼行输出管的图形符号和外形 (a)图形符号;(b)外形 常用的带阻尼行输出管有2sd870、2sd869、2sd898、2sd900、2sd950、2sd1453、2sd1426、2sd1403、2sd1554、2sdl556、2sd1878、bu205、bu208、bu406、bu407、bu806等，它们的最高反向电压在1500v，最大集电极电流在3.5-6a，耗散功率都在50-80w。 来源:ks99
7.0A/330V
极偏置电流；（2）当盆景中水位低于设定值时，使振荡器停振，起保护作用。vt2、vt3接成复合管，通过l3、r3向vt1提供基极偏置电流，l3为高频扼流线圈，阻止超声波信号进入水位控制电路。调整r1的阻值，可改变vt1的基极电流，从而控制整机的工作电流。a、b为水位控制线，平时浸没在水中。雾化器正常工作时，若水位下降到一定限度，a、b脱离水面，vt2、vt3便截止，水位控制器停止向vt1提供基极电流，整机停止工作。 元器件选择： vt1的质量是制作成功的关键，最好采用意大利sgs产bu406、bu407或bu408等大功率高频三极管，要求ft≥100mhz；vt2、vt3可用9014型等npn型硅管，要求β≥100；vd1～vd4可用1n4002硅整流二极管。 所有电阻最好全部采用rj-0.25w金属膜电阻；电容采用cbb-100v聚苯电容；电感l1可用φ0.51mm漆包线在φ10×10mm磁芯上绕27匝，电感量约24μh；l2用φ0.69mm漆包线在φ6mm钻头绕2.5匝，然后脱胎取下，电感量约0.22μh；l3可用270μh色码电感器；换能器b是关键元件，应采用φ20×1.25mm/1.
振荡器。广泛用于电子工业、医疗、科学研究等方面。）停振，起保护作用。vt2、vt3接成复合管，通过l3、r3向vt1提供基极偏置电流，l3为高频扼流线圈，阻止超声波信号进入水位控制电路。调整r1的阻值，可改变vt1的基极电流，从而控制整机的工作电流。a、b为水位控制线，平时浸没在水中。雾化器正常工作时，若水位下降到一定限度，a、b脱离水面，vt2、vt3便截止，水位控制器停止向vt1提供基极电流，整机停止工作。 二、元器件选择 vt1的质量是制作成功的关键，最好采用意大利sgs产bu406、bu407或bu408等大功率高频三极管，要求ft≥100mhz；vt2、vt3可用9014型等npn型硅管，要求β≥100；vd1～vd4可用1n4002硅整流二极管。 所有电阻最好全部采用rj-0.25w金属膜电阻；电容采用cbb-100v聚苯电容；电感l1可用φ0.51mm漆包线在φ10×10mm磁芯上绕27匝，电感量约24μh；l2用φ0.69mm漆包线在φ6mm钻头绕2.5匝，然后脱胎取下，电感量约0.22μh；l3可用270μh色码电感器；换能器b是关键元件，应采用φ20×1.25mm/1.
阻器。 rp选用多圈精密电位器。 l使用黑白电视机行振荡线圈。 cl选用耐压值为1oov的铝电解电容器;c2选用高频瓷介电容器;c3选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c4、c5、c7和c8均选用独石电容器;c6选用耐压值为25v的铝电解电容器;c9选用瓷介微调电容器。 vdl-vd4均选用6a、loov硅整流二极管;vd5-vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 vl-v6选用2sdl403或bu508型高频大功率硅npn晶体管;v7和v8均选用3da87型硅npn晶体管;vg9选用bu407型硅npn晶体管。 ic选用lm7815或an7815型三端稳压集成电路。 pa选用0-5a的电流表。 tl选用5ow的电源变压器;倪使用e形磁心和φ0.33mm高强度漆包线绕制，wl绕250匝，w2和w3各绕25匝;t3使用小型磁罐和高强度漆包线制作，w4和w5用φ0.47mm的漆包线各绕30匝，w6用φ0.33mm的漆包线绕360匝。 b选用专用超声波振动头。 来源:university
选用多圈精密电位器。 l使用黑白电视机行振荡线圈。 c1选用耐压值为100v的铝电解电容器；c2选用高频瓷介电容器；c3选用耐压值为50v的铝电解电容器；c4、c5、c7和c8均选用独石电容器；c6选用耐压值为25v的铝电解电容器；c9选用瓷介微调电容器。 vd1～vd4均选用6a、100v硅整流二极管；vd5～vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 v1～v6选用2sd1403或bu508型高频大功率硅npn晶体管；v7和v8均选用3da87型硅npn晶体管；v9选用bu407型硅npn晶体管。 ic选用lm7815或an7815型三端稳压集成电路。 pa选用0～5a的电流表。 t1选用50w的电源变压器; t2使用e形磁心和φ0.33mm高强度漆包线绕制，w1绕250匝，w2和w3各绕25匝；t3使用小型磁罐和高强度漆包线制作，w4和w5用φ0.47mm的漆包线各绕30匝，w6用φ0.33mm的漆包线绕360匝。 b选用专用超声波振动头。
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