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POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
MOSPEC
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POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
MOSPEC [Mospec Semiconductor]
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON T...
WINGS
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POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWE...
STMICROELECTRONICS
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Silicon NPN Power Transistors
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
MOSPEC [Mospec Semiconductor]
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON T...
WINGS [Wing Shing Computer Components]
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWE...
STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
MOSPEC
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8.0A/1500V
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)。 元器件选择 rl-r6选用lw的金属膜电阻器;r7-r13均选用1/4w酌金属膜电阻器。 rp选用多圈精密电位器。 l使用黑白电视机行振荡线圈。 cl选用耐压值为1oov的铝电解电容器;c2选用高频瓷介电容器;c3选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c4、c5、c7和c8均选用独石电容器;c6选用耐压值为25v的铝电解电容器;c9选用瓷介微调电容器。 vdl-vd4均选用6a、loov硅整流二极管;vd5-vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 vl-v6选用2sdl403或bu508型高频大功率硅npn晶体管;v7和v8均选用3da87型硅npn晶体管;vg9选用bu407型硅npn晶体管。 ic选用lm7815或an7815型三端稳压集成电路。 pa选用0-5a的电流表。 tl选用5ow的电源变压器;倪使用e形磁心和φ0.33mm高强度漆包线绕制，wl绕250匝，w2和w3各绕25匝;t3使用小型磁罐和高强度漆包线制作，w4和w5用φ0.47mm的漆包线各绕30匝，w6用φ0.33mm的漆包线绕360匝。 b选用专用超声波振动头。 来源:university
r1～r6选用1w的金属膜电阻器；r7～r13均选用1／4w的金属膜电阻器。 bp选用多圈精密电位器。 l使用黑白电视机行振荡线圈。 c1选用耐压值为100v的铝电解电容器；c2选用高频瓷介电容器；c3选用耐压值为50v的铝电解电容器；c4、c5、c7和c8均选用独石电容器；c6选用耐压值为25v的铝电解电容器；c9选用瓷介微调电容器。 vd1～vd4均选用6a、100v硅整流二极管；vd5～vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 v1～v6选用2sd1403或bu508型高频大功率硅npn晶体管；v7和v8均选用3da87型硅npn晶体管；v9选用bu407型硅npn晶体管。 ic选用lm7815或an7815型三端稳压集成电路。 pa选用0～5a的电流表。 t1选用50w的电源变压器; t2使用e形磁心和φ0.33mm高强度漆包线绕制，w1绕250匝，w2和w3各绕25匝；t3使用小型磁罐和高强度漆包线制作，w4和w5用φ0.47mm的漆包线各绕30匝，w6用φ0.33mm的漆包线绕360匝。 b选用专用超声波振动头。
晶体管tipl765a请教各高手，我用在超声波电路中的tipl765a目前正品难求，曾用bu508、bu508a代替过，效果都不是很好，望大家指点！
就是用一个光耦输出控制一个高压晶体管，比如a42，bu508什么的
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