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  • TD-LTE芯片:28nm工艺趋成熟

    本届展会上,各家芯片厂商也把着力点放在td-lte多模芯片的展示上。在td产业联盟的展台上,展讯展示了一款其开发的td-lte芯片sc9610。该单产品采用40nmcoms工艺,在单芯片内集成多模标准,包括多频段的td-lte和td-scdma,以及edge/gs/gprs,达到100mbps下行速度和50mbps上行速度,支持5m、10m、15m及20mhz信道带宽和2×2mimo,可用于高端智能手机和数据卡。此外,重邮信科也展出了支持td-lte/td-scdma/edge的多模终端解决方案c8310。联芯展出了支持td-lte/lte fdd/td-hspa/gge的多模终端解决方案等。 对此,marvell移动产品全球副总裁李春潮表示,多模芯片、多模平台是一个趋势。当然这个平台的实现还有很多挑战,如果想把多模产品做好,仅把一些ip堆起来是很难实现的,这样的话芯片面积就会很大,功耗也会增加。所以一定要进行优化,不同的模有一些可以复用。 单芯片成发展趋势 多模lte智能手机一般需要配备3g芯片和lte基带芯片,这样的架构为功耗优化带来很大挑战。系统集成的单芯片将是重要的解决

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