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t;300 3dg111 si-npn 0.4 100 >20 >100 3dg112 si-npn 0.4 100 60 >100 3dg130c si-npn 0.8 300 60 150 3dg201c si-npn 0.15 25 45 150 c9011 si-npn 0.4 30 50 150 c9012 si-pnp 0.625 -500 -40 c9013 si-npn 0.625 500 40 c9014 si-npn 0.45 100 50 150 c9015 si-pnp 0.45 -100 -50 100 c9016 si-npn 0.4 25 30 620 c9018 si-npn 0.4 50 30 1.1g c8050 si-npn 1 1.5a 40 190 c8580 si-pnp 1 -1.5a -40 200 2n5551 si-npn 0.625 600 180 2n5401 si-pnp 0.625 -600 160 100 2n4124 si-npn 0.625 200 30 300 四、用万用表测试三极管（1） 判别基
.15 25 45 150 c9011 si-npn 0.4 30 50 150 c9012 si-pnp 0.625 -500 -40 c9013 si-npn 0.625 500 40 c9014 si-npn 0.45 100 50 150 c9015 si-pnp 0.45 -100 -50 100 c9016 si-npn 0.4 25 30 620 c9018 si-npn 0.4 50 30 1.1g c8050 si-npn 1 1.5a 40 190 c8580 si-pnp 1 -1.5a -
0.15 25 45 150 c9011 si-npn 0.4 30 50 150 c9012 si-pnp 0.625 -500 -40 c9013 si-npn 0.625 500 40 c9014 si-npn 0.45 100 50 150 c9015 si-pnp 0.45 -100 -50 100 c9016 si-npn 0.4 25 30 620 c9018 si-npn 0.4 50 30 1.1g c8050 si-npn 1 1.5a 40 190 c8580 si-pnp 1 -1.5a -
基极击穿电压bvcbo=50v 集电极发射极击穿电压bvceo=45v 发射极基极击穿电压bvebo=5v 集电极发射极饱和压降vce(sat)=0.3v (ic=100ma; ib=5ma) 基极发射极饱和压降vbe(sat)=1v (ic=100ma; ib=5ma) 特征频率ft=150mhz hfe： a=60~150; b=100~300; c=200~600; d=400~1000 用途：作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、vcd、 dvd、电动玩具等电子产品（与c9015互补） 来源:admin
npn型小功率三极管，集电极最大耗散功率pcm＝0.4w（tamb=25℃）；集电极最大允许电流icm=0.1a；集电极基极击穿电压bvcbo=50v；集电极发射极击穿电压bvceo=45v；发射极基极击穿电压bvebo=5v；集电极发射极饱和压降vce(sat)=0.3v (ic=100ma; ib=5ma)；基极发射极饱和压降vbe(sat)=1v (ic=100ma; ib=5ma)；特征频率ft=150mhz；作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、vcd、dvd、电动玩具等电子产品（与c9015互补）。 来源:lidy
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相关元件pdf下载：kl-3 lm324 c3355 tlc336 78l12 c9015 kl3型微波电子开关是利用电磁波多普勒效应原理制作而成的,整个电路封装在塑料壳中,外部有四条引线,其中两条红色引出线接交流220v电源,两条绿色引出线接被控负载,适合用于照明自动控制或防盗报警装置.
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