图：CN5610应用电路图
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图：cn5610应用电路图 其中： l1 为电感 流经电阻r6 的电流应该能够满足稳压二极管击穿的需要，也要为cn5610 提供大约1 毫安的工作电流。 c1 是vdd 滤波电容，电容值为10uf d1 是稳压二极管，因为d1 的击穿电压即是cn5610 的工作电压，所以击穿电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管m1。对高压场效应晶体管，击穿电压应该在5.8v 左右。 d2 为整流二极管，采用肖特基二极管可以提高转换效率 q1 和q2 是通用pnp 三极管，其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压大于200v 的应用，可以选择a94。 m1 是n 型场效应晶体管，其型号的选择主要根据漏-源承受的最高电压确定的，使导通电阻和开启电压尽量低。对于高于200v 的输入电压，可以选择irf840 等型号。 r2 用来设置q2 的集电极电流，该电流可设置在100 微安左右。 r3 设置三极管q1 的集电极电流，使得该电流等于q2 的集电极电流。 r4 用来调整最小电感电流。 r5 用来调整最大电感电流。 r1,r3, r4 和 r5 共同决定了最
图：采用cn5610的dcdc升压电路 来源:与你同行
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