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csd17309q3供应商优质现货

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  • 空间受限应用中的PMBus热插拔电路基础介绍

    严重受限 ●组件规范:体积受限(尺寸和外形) ●热规范和散热属性:基本散热 电路原理图和组件选择 图3描述了建议热插拔电路的原理图。可以方便地将任何负载相关大容量存储电容器,靠近负载放置于主板上,无需放置在热插拔模块上。 图3:数字热插拔电路原理图 表2详细列出了最基本的电路组件的封装尺寸和厂商建议焊垫几何尺寸。 表2:热插拔电路组件封装尺寸和建议焊垫几何尺寸 mosfet, q1 在我们的例子中,我们使用了ti nexfet csd17309q3[3],它是一种25℃下4.9 mw开态电阻的30v 60a son器件。如果图4a的开态电阻温度系数约为0.3%/℃,则55℃工作结温下满负载传导损耗为0.6w。栅极到源极齐纳二极管将mosfet vgs维持在额定电平(正负极)。2℃/w的稳态结壳热阻抗rthj-c表明,壳结温升约为 1.2℃。最大额定mosfet结温为150℃。故障状态期间1 ms一次性脉冲时长条件下,图4b和4c的曲线图分别表示50a、12v时的安全工作区(soa) 大小,以及0.001的标准化结到环境瞬态热阻抗zthj-

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