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估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升
我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。一种估算热插拔mosfet 温升的简单方法进行研究根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。本文中，我们把图1 所示模型的瞬态响应与图3 所示公开刊发的安全工作区域（soa 曲线）部分进行了对比。图1 将散热容加到dc 电气模拟电路上根据csd17312q5 mosfet、引线框以及贴装mosfet 的印制电路板（pwb）的物理属性，估算得到图1的各个值。在查看模型时，可以确定几个重要的点。要使增强型n沟道mosfet工作，要在g、s之间加正电压vgs及在d、s之间加正电压vds，则产生正向工作电流id。改变vgs的电压可控制工作电流id。若先不接vgs（即vgs＝0），在d与s极之间加一正电压vds，漏极d与衬底之间的pn结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极g与源极s之间加一电压vgs。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上vgs时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和p型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和p型衬底中的多数载流子（空穴
估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分
在本《电源设计小贴士》中，我们将最终对一种估算热插拔 mosfet 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。本文中，我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域（soa 曲线）部分进行了对比。图 1 将散热容加到 dc 电气模拟电路上根据 csd17312q5 mosfet、引线框以及贴装 mosfet 的印制电路板 (pwb) 的物理属性，估算得到图 1 的各个值。在查看模型时，可以确定几个重要的点。pwb 到环境电阻（105oc/w）为到环境的最低电阻通路，其设定了电路的允许 dc 损耗。将温升限制在 100oc，可将电路的允许 dc 损耗设定为 1 瓦。其次，存在一个 10 秒钟的 pwb 相关时间恒量，所以其使电路板完全发热的时间相当长。因此，电路可以承受更大的电脉冲。例如，在一次短促的脉冲期间，所有热能对芯片热容充电，同时在更小程度上引线框对热容充电。通过假设所有能量都存储于裸片电

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估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升

估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 2 部分

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