32258
SOD5232/23+
现货、订货、调货
3000
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100%现货 买原装就找富士美 自营库存 可含税交易
3000
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3000
N/A/13+
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20000
SOD523/23+
原厂总代/国产替代/买UMW找友利创就购了
ESD5Z7.0T1G
900000
SOD523/2017+ROHS
主营TVS,ESD,高分子保护全系列,可供样品
ESD5Z7.0T1G
9162
SOD523/2023+
原装假一罚十
ESD5Z7.0T1G
32258
SOD5232/23+
现货、订货、调货
ESD5Z7.0T1G
32258
SOD5232/23+
现货、订货、调货
ESD5Z7.0T1G
8921000
SOD523/-
一级代理现货 专注电子元件十三年,只做原装现货
ESD5Z7.0T1G
18000
SOD523/22+
原装有货实单支持
ESD5Z7.0T1G
30000
SOD523/22+
原装现货,诚信交易,特价销售,0755-82532838
ESD5Z7.0T1G
33000
22+/SOD523
原装假一赔十现货
ESD5Z7.0T1G
368
SOD523/1422+
百分百原装,有挂有货,假一赔十
ESD5Z7.0T1G
200000
SOD523/19+
原装现货供应 欢迎来电咨询
ESD5Z7.0T1G
300000
SOD523/0603/23+
优势现货,支持月结,可提供样品
ESD5Z7.0T1G
50000
SOD523/23+
自主品牌,专注电源运算芯片,现货质优价美
ESD5Z7.0T1G
120000
SOD523/22+
十五年经验 优势原装渠道 服务客户 可含税
ESD5Z7.0T1
8963
SC79 SOD523/22+
只做原装,现货库存
安森美半导体(on semiconductor)推出全新高性能、微型封装的静电放电(esd)保护二极管系列,专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。 新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计,防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kv的输入波形(符合 iec61000-4-2 标准)将在几纳秒钟内被esd5z 系列器件钳制到7v以下 。这些器件尺寸小,便于放置在esd 可进入系统的输入/输出端口附近,因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下,这些esd5z器件的泄漏电流仅为5 纳安(na)之低,因此是极重要的节电应用的理想选择 。这些器件也适用于保护电压敏感元件,防止电源线上的负载开关产生瞬流,并且可以在8 x 20 微秒(μsec)的脉冲波形内耗散200 w。 esd5z 器件采用超小的sod-523
提供单线保护,具有优异的esd 钳制性能,占位面积仅1.6 mm x 0.8 mm 2005年2月28日-安森美半导体(on semiconductor,美国纳斯达克上市代号:onnn)推出全新高性能、微型封装的静电放电(esd)保护二极管系列,专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。 新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计,防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kv的输入波形(符合 iec61000-4-2 标准)将在几纳秒钟内被esd5z 系列器件钳制到7v以下 。这些器件尺寸小,便于放置在esd 可进入系统的输入/输出端口附近,因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下,这些esd5z器件的泄漏电流仅为5 纳安(na)之低,因此是极重要的节电应用的理想选择 。这些器件也适用于保护电压敏感元件,防止电源线上的负载开关产生瞬流,并且可以在
产品型号:ESD5Z7.0T1G
雪崩电压VBR Min.(V):7.500
雪崩电压VBR Nom.(V):-
雪崩电压VBR Max.(V):-
IT(mA):1
峰值反向工作电压VRWM(V):7
最大反向漏电流IR(uA):0.010
最大反向电压(钳位电压)VC(V):22.700
最大反向浪涌电...
近日,安森美半导体(on semiconductor,美国纳斯达克上市代号:onnn)推出全新高性能、微型封装的静电放电(esd)保护二极管系列,专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。 新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计,防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30 kv的输入波形(符合 iec61000-4-2 标准)将在几纳秒钟内被esd5z 系列器件钳制到7v以下 。这些器件尺寸小,便于放置在esd 可进入系统的输入/输出端口附近,因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下,这些esd5z器件的泄漏电流仅为5 纳安(na)之低,因此是极重要的节电应用的理想选择 。这些器件也适用于保护电压敏感元件,防止电源线上的负载开关产生瞬流,并且可以在8 x 20 微秒(μsec)的脉冲波形内耗散200 w。 esd
安森美半导体公司(on semiconductor)日前推出一款高性能、微型封装的静电放电(esd)保护二极管系列产品,专为手机、pda和mp3播放器等便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。 新系列中的五个esd5z器件包括esd5z2.5t1 (2.5v)、esd5z3.3t1 (3.3v)、esd5z5.0t1 (5.0v)、esd5z6.0t1(6.0v)和esd5z7.0t1 (7.0v)。这些器件为钳制快速上升的esd脉冲而设计,防止对板上的电压敏感元件造成损坏。30kv的输入波形(符合iec61000-4-2标准)将在几纳秒钟内被esd5z系列器件钳制到7v以下。 这些器件尺寸小,便于放置在esd可进入系统的输入/输出端口附近,因此可在瞬态电压耦合到板上其它部分之前将其抑制。在关闭状态下,这些esd5z器件的泄漏电流仅为5纳安(na),因此非常适合于节电应用。这些器件也适用于保护电压敏感元件,防止电源线上的负载开关产生瞬流,并且可以在8×20微秒(μsec)的脉冲波形内耗散200w。 esd5z系列的性能优于常用的多层变阻器(mlv),同时还保持