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足导通di/dt 的需求,可能需要进行电路内部测试与验证,然后根据mosfet转换曲线可以确定大概的值 (见图3)。 图3 mosfet的转移特性 假定在导通时,fet电流上升到10a,根据图3中25℃的那条曲线,为了达到10a的值,栅极电压必须从5.2v转换到6.7v,平均gfs为10a/(6.7v-5.2v)=6.7mω。 公式1 获得所需导通di/dt的栅极驱动阻抗 把平均gfs值运用到公式1中,得到栅极驱动电压vdrive=10v,所需的 di/dt=600a/μs,fcp11n60典型值vgs(avg)=6v,ciss=1200pf;于是可以计算出导通栅极驱动阻抗为37ω。由于在图3的曲线中瞬态gfs值是一条斜线,会在eon期间出现变化,意味着di/dt也会变化。 同样的,igbt也可以进行类似的栅极驱动导通阻抗计算,vge(avg) 和 gfs可以通过igbt的转换特性曲线来确定,并应用vge(avg)下的cies值代替ciss。计算所得的igbt导通栅极驱动阻抗为100ω,该值比前面的37ω高,表明igbt gfs较高,而cies较低。 传导损耗需谨慎 在