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官网可查icscjh.com
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MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
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Fairchild
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分离式半导体产品
FET - 单
SupreMOS™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
600V
16A
199 毫欧 @ 8A,10V
4V @ 250µA
52.3nC @ 10V
2170pF @ 100V
134.4W
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来supremos新一代600v超级结mosfet系列产品。包括具有165mω最大阻抗的 fcp22n60n、fcpf22n60nt 和 fca22n60n,以及具有199mω最大阻抗的fcp16n60n和fcpf16n60nt。supremos系列器件兼具低rds (on) 和低总栅极电荷,相比飞兆半导体的600v superfet mosfet,品质因数(figure of merit, fom,即 rds (on) × qgd )降低了40%。supremos器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt,可以提高开关电源(smps)中谐振转换器、llc和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性。 相比superfet mosfet器件,supremos600v超级结mosfet在相同rds(on)下提供了更低的栅级电荷,并且具有出色的开关性能,能够将开关和传导损耗减少20%,从而提高效率。另外,supremos器件具有较低的输入和输出电容,能够提高轻负载条件下的