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原装现货库存原厂原包渠道可追溯原型号开票
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ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。ramtron的v系列f-ram产品的首款器件fm25v10,是1兆位 (mb)、2.0至3.6v、具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,其特点是快速访问、无延迟(nodelay?) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1mb串行闪存和串行eeprom存储器的理想代替产品。此外,ramtron已计划在2008年陆续推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“我们的v系列f-ram产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求,比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度f-ram生产工艺已经扩展了产品的性能特性,使到v系列f-ram产品可在很宽泛的电压范围工作。” 关于fm25v10 与串行闪存或串行eeprom不同,fm25v10以总线速度执行
ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。ramtron的v系列f-ram产品的首款器件fm25v10,是1兆位 (mb)、2.0至3.6v、具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,其特点是快速访问、无延迟(nodelay™) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1mb串行闪存和串行eeprom存储器的理想代替产品。此外,ramtron已计划在2008年陆续推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“我们的v系列f-ram产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求,比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度f-ram生产工艺已经扩展了产品的性能特性,使到v系列f-ram产品可在很宽泛的电压范围工作。” 与串行闪存或串行eeprom不同,fm25v10以总线速度执行写操作,无写入延迟
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。ramtron的v系列f-ram产品的首款器件fm25v10,是1兆位 (mb)、2.0至3.6v、具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,其特点是快速访问、无延迟(nodelay) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1mb串行闪存和串行eeprom存储器的理想代替产品。此外,ramtron已计划在2008年陆续推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“我们的v系列f-ram产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求,比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度f-ram生产工艺已经扩展了产品的性能特性,使到v系列f-ram产品可在很宽泛的电压范围工作。” 关于fm25v
ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。ramtron的v系列f-ram产品的首款器件fm25v10,是1兆位 (mb)、2.0至3.6v、具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,其特点是快速访问、无延迟(nodelay) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1mb串行闪存和串行eeprom存储器的理想代替产品。此外,ramtron已计划在2008年陆续推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“我们的v系列f-ram产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求,比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度f-ram生产工艺已经扩展了产品的性能特性,使到v系列f-ram产品可在很宽泛的电压范围工作。” 与串行闪存或串行eeprom不同,fm25v10以总线速度执行写操作,无写入延迟,且数据能
ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。ramtron的v系列f-ram产品的首款器件fm25v10,是1兆位 (mb)、2.0至3.6v、具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,其特点是快速访问、无延迟(nodelay?) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1mb串行闪存和串行eeprom存储器的理想代替产品。此外,ramtron已计划在2008年陆续推出spi、i2c及并行接口v系列f-ram产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“我们的v系列f-ram产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求,比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度f-ram生产工艺已经扩展了产品的性能特性,使到v系列f-ram产品可在很宽泛的电压范围工作。” 与串行闪存或串行eeprom不同,fm25v10以总线速度执行写操作,无写入延迟,且
1、贵公司在秋季展上主攻的目标应用市场是? 工业自动化控制;税控;消费类电子。 2、贵公司哪些新产品将亮相iic-china 2009秋季展?它们的主要特点是什么? fm25v10——ramtron的 1mb 串行外设接口(spi)非易失性f-ram, 具有高速、低电压的特点,采用8引脚soic 封装。fm25v10是v系列f-ram产品的首款器件,低操作电压(2.0v~3.6v)和集成功能,可有效地减少电路板面积、组装和器件成本。 3、在当前经济形势下,贵公司如何看待这些产品目标应用市场的前景? 随着全球经济的回温中国的工业自动化产业及消费类电子产业将会进入高速发展阶段,以及我国对大/中型城市税控产品的普及,所以我们十分看好目标产品的市场前景.
世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国ramtron international corporation (简称ramtron) 赢得业界声望卓着的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之最佳产品奖,其通过aec-q100 grade 3标准认证之1兆位 (mb)、2.0v-3.6v串行f-ram存储器 fm25v10-g击败众多竞争对手,获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选为嵌入式系统存储器类别的最佳产品。 汽车电子委员会(aec)集成电路应力测试资格(automotive electronic council’s stress test qualification for integrated circuits)确定了严格的汽车级资格认证。ramtron公司专门针对汽车市场的苛刻要求,扩大了符合aec-q100要求的存储器阵容至15款产品。grade-3资格认证可以确保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽车温度范围内。 ramtron公司全球市场推广总监徐梦岚称:“fm25v10标志着我们容量最大符合汽车等级标准的产品出炉。在v系列产品线中增加达到grade