FM25V05-GTR
5000
SOP/21+
原装现货
FM25V05-GTR
2500
SOP8/21+
价格优势长期供应只做原装支持开票
FM25V05-PGC
35720
DIP8/2018
百分百原厂原装,假一赔十
FM25V05-GTR
4800
SOP8/19+
十年芯程,只做原装
FM25V05-GTR
7580
SOIC8_150mil/2348+
代理分销现货库存,本公司承诺原装,假一赔十
FM25V05-GTR
203060
SOP8/24+
一站配齐 原盒原包现货 朱S Q2355605126
FM25V05-GTR
24
SOP8/17+
量大可供 配单/陈店贵屿一手货源
FM25V05-GTR
6740
SOP8/23+
只做原装
FM25V05-GTR
8600
SOP/11+
百分百原装现货特价
FM25V05-GTR
25300
SOP8/21+
全新进口原装,新到现货假一罚十,1pcs起售,可开
FM25V05-GTR
50000
SOIC8/21+
只做原装 特价清仓 一手货源 代理渠道 胡经理
FM25V05-G
10000
SOP/10+
可看货原装无铅特价
FM25V05-GTR
2500
SOP8/23+
23+
FM25V05-G
2500
SOP8/2015+
公司原装现货,热卖中
FM25V05-GTR
5489
SOIC8150mil/22+
原装
FM25V05A-GTR
700000
SOIC8/2023+
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
FM25V05-GTR
5000
SOIC8150mil/21+
原厂渠道团队,终端实力商家
FM25V05-GTR
2500
SOIC8_150mil/22+
只做原装欢迎监督
FM25V05-GTR
5000
SOIC8150mil/21+
原厂渠道团队,终端实力商家
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出全新f-ram系列产品中的第二款串行器件fm25v05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。fm25v05是512kb、2.0v至3.6v及具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,特点包括快速访问、无延迟 (nodelay) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v05是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域的串行闪存和串行eeprom存储器的理想替代产品。除512kb的fm25v05之外,ramtron较早前也已宣布推出1 mb的fm25v10产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“fm25v05为客户提供另一种密度选择,加上ramtron v系列f-ram产品较低工作电压和集成功能的特性。ramtron已计划在v系列中推出其它器件,为客户系统提供广泛的接口和密度选择。” 关于fm25v05 与串行闪存或串行eeprom不同
非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出全新f-ram系列产品中的第二款串行器件fm25v05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。fm25v05是512kb、2.0v至3.6v及具有串行外设接口 (spi) 的非易失性ram,采用8脚soic封装,特点包括快速访问、无延迟 (nodelay?) 写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v05是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域的串行闪存和串行eeprom存储器的理想替代产品。除512kb的fm25v05之外,ramtron较早前也已宣布推出1 mb的fm25v10产品。 ramtron市场拓展经理duncan bennett解释道:“fm25v05为客户提供另一种密度选择,加上ramtron v系列f-ram产品较低工作电压和集成功能的特性。ramtron已计划在v系列中推出其它器件,为客户系统提供广泛的接口和密度选择。” 关于fm25v05 与串行闪存或串行eeprom不同,fm2
ramtron international corporation宣布推出全新f-ram系列产品中的第二款串行器件fm25v05,提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。fm25v05是512kb、2.0v至3.6v及具有串行外设接口(spi)的非易失性ram,采用8脚soic封装,特点包括快速访问、无延迟(nodelay)写入、1e14读/写次数和低功耗。fm25v05是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域的串行闪存和串行eeprom存储器的理想替代产品。除512kb的fm25v05之外,ramtron较早前也已宣布推出1 mb的fm25v10产品。 与串行闪存或串行eeprom不同,fm25v05以总线速度执行写操作,无写入延迟,且数据能够立即写入存储器阵列,并以最高每秒40mb的速度连续写入数据。与串行闪存和串行eeprom比较,fm25v05的耐用性高出几个数量级以上,且功率消耗更低。 fm25v05具有高性能f-ram功能,适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用,范围从需要写入次数极高的高频数据采集应用,到严苛的工业控制应
v系列f-ram ramtron的v系列f-ram产品采用由ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm cmos生产工艺制造,包括多种容量的i2c、spi和字节宽度的并口存储器。其先进的制造工艺能够提高器件性能,并增加功能集。除了fm24v02和fm25v02之外,v系列f-ram包括以下型号: * fm24v10 (1mb串口i2c f-ram) * fm25v10 (1mb串口spi f-ram) * fm24v05 (512kb串口i2c f-ram) * fm25v05 (512kb串口spi f-ram ) * fm28v100 (1mb并口f-ram)
州仪器130nm f-ram制造工艺,现已具有设置低至2.0v工作电压的灵活性,让f-ram在更多电子系统的固有电压下工作。 fm28v020是不断增长的v系列产品之最新成员,v系列目前包括以下f-ram存储器 ·fm28v100 (1mb并口f-ram) ·fm28v020 (256kb 并口f-ram) ·fm24v10 (1mb串口i2c f-ram) ·fm25v10 (1mb串口spi f-ram) ·fm24v05 (512kb串口i2c-ram) ·fm25v05 (512kb串口pi f-ram) ·fm24v02 (256kb串口i2c f-ram) ·fm25v02 (256kb串口spi f-ram) 价格和供货 ramtron现提供采用符合“绿色” rohs标准的28脚soic封装的fm28v020样品,订购1万片,起价为每片3.49美元。 货周期为十周至十二周。