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  • 反激变换器的RCD吸收回路设计实例

    在这部分展示一个实例，适配器采用fsdm311，工作规范ac85～265v的输入电压范围。10w 输出功率、5v输出电压、67 khz的开关频率。此时，rcd吸收回路选择1 nf吸收电容，480kω吸收电阻，图1示出波形。 漏电压（vds 200v／div）、电源电压（vcc 5v／div）、反馈电压（vfb 1v／div）、漏电流（id 0.2a/div）按下面次序，内部mosfet最大电压应为675v，数据表中给出为 650v。超出此值有二个原因，其一是变压器设计不当；其二是吸收回路设计不当，1 nf 电容和480k0电阻的稳态波形如图2 所示，给出比较正确的结果。 如上所述，为可靠性，稳态时最大电压应为mosfet耐压的80%，即520v。图显示为570v（ac 256v）。当然，vin＋nvo为（375v＋15×5v） ＝450v，显示变压器匝数比为15，此是合理的值。因此，吸收回路应重新设计如下： 图1 1nf电容和480kω电阻的起动波形 图2 1nf电容和480kω电阻的稳态波形 让vsm为nv0的两倍，即150v。lik1及ipeak为150μ

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