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  • 反激变换器的RCD吸收回路设计实例

    在这部分展示一个实例,适配器采用fsdm311,工作规范ac85~265v的输入电压范围。10w 输出功率、5v输出电压、67 khz的开关频率。此时,rcd吸收回路选择1 nf吸收电容,480kω吸收电阻,图1示出波形。 漏电压(vds 200v/div)、电源电压(vcc 5v/div)、反馈电压(vfb 1v/div)、漏电流(id 0.2a/div)按下面次序,内部mosfet最大电压应为675v,数据表中给出为 650v。超出此值有二个原因,其一是变压器设计不当;其二是吸收回路设计不当,1 nf 电容和480k0电阻的稳态波形如图2 所示,给出比较正确的结果。 如上所述,为可靠性,稳态时最大电压应为mosfet耐压的80%,即520v。图显示为570v(ac 256v)。当然,vin+nvo为(375v+15×5v) =450v,显示变压器匝数比为15,此是合理的值。因此,吸收回路应重新设计如下: 图1 1nf电容和480kω电阻的起动波形 图2 1nf电容和480kω电阻的稳态波形 让vsm为nv0的两倍,即150v。lik1及ipeak为150μ

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