反激变换器的RCD吸收回路设计实例
出处:12864 发布于:2010-09-30 14:02:34
在这部分展示一个实例,适配器采用FSDM311,工作规范AC85~265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67 kHz的开关频率。此时,RCD吸收回路选择1 nF吸收电容,480kΩ吸收电阻,图1示出波形。
漏电压(Vds 200V/p)、电源电压(VCC 5V/p)、反馈电压(Vfb 1V/p)、漏电流(Id 0.2A/p)按下面次序,内部MOSFET电压应为675V,数据表中给出为 650V。超出此值有二个原因,其一是变压器设计不当;其二是吸收回路设计不当,1 nF 电容和480k0电阻的稳态波形如图2 所示,给出比较正确的结果。
如上所述,为可靠性,稳态时电压应为MOSFET耐压的80%,即520V。图显示为570V(AC 256V)。当然,VIN+nVo为(375V+15×5V) =450V,显示变压器匝数比为15,此是合理的值。因此,吸收回路应重新设计如下:
图1 1nF电容和480kΩ电阻的起动波形
图2 1nF电容和480kΩ电阻的稳态波形
让Vsm为nV0的两倍,即150V。LIK1及Ipeak为150μH和400mA,于是求出:
电阻功耗计算如下:
,选择Csn为10nF,Rsn为1.4kΩ/3 W。测试下来,MOSFET的电压应力为J 593V(起动时)和 524V(稳态),分别为所选FSDM311耐压的91.2%和80.6%合格。10nF电容和14kΩ电阻的起动波形如图3所示,稳态波形如图4所示。
图3 10nF电容和14kΩ电阻的起动波形
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