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无触点开关在控制中的应用
的饱和电压等于晶体管q2的正向偏置电压与晶体管q1的饱和电压之和，而正向偏置电压比饱和电压高得多，这样整个达林顿管的饱和电压就特别的高，因此达林顿管导通时的功耗较高。仙童半导体（fairchild）的达林顿光耦合器采用隔离达林顿输出配置，将输入光电二极管和初级增益与输出晶体管分隔开来，以实现较传统达林顿光电晶体管光耦合器更低的输出饱和电压 (0.1 v) 和更高的运作速度。该公司推出5种最新产品，采用单及双沟道配置，提供3.3 v或5 v工作电压的低功耗特性。双沟道hcpl0730和 hcpl0731光耦合器提供5 v电压操作和soic8封装，能实现最佳的安装密度。单沟道fod070l、fod270l及双沟道fod 073l器件的工作电压为3.3 v，比较传统的5 v部件，其功耗进一步减少33%。nec公司的芯片ps2802.1/4，ps27021，ps25021/2/4，ps25621/2等也属于达林顿光耦合器。 2.4基于mos或igbt的无触点开关基于mos场效应管的无触点开关由于耦合方式不同有很多类，例如采用光电耦合方式的称为光耦合mos场效应管（ocmos fet），原理如图

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