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  • NXP推出±30 kV ESD保护水平的超薄EMI滤波器

    面积。超薄无铅封装ip4253和ip4254系列的焊点间距仅为0.4mm. 超薄型emi滤波器的技术突破源于nxp开发的utlp平台。nxputlp平台使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻(substrate and etching)技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了"silicon to plastic"比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的nxp其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15pf-100欧姆-15pf和15pf-200欧姆-15 pf。 来源:小草

  • NXP超薄EMI滤波器集成最高水平的ESD保护功能

    案相比,可将面积缩减30%以上。 超薄型emi滤波器的技术突破源于恩智浦开发的utlp平台。恩智浦utlp平台(荣获2006年香港行业大奖:科技成就奖)使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻(substrate and etching)技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15 pf – 100 Ω - 15 pf 和15 pf – 200 Ω - 15 pf。完全符合rohs要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。更多信息请访问:http://www.nxp.com/products/discretes/esd_emi_filtering/。 来源

  • 恩智浦有最高水平ESD保护功能的超薄EMI滤波器

    以上。 超薄型 emi 滤波器的技术突破源于恩智浦开发的 utlp 平台。恩智浦 utlp 平台 (荣获2006 年香港行业大奖:科技成就奖) 使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻 (substrate and etching) 技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp 提高了"silicon to plastic"比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的 utlp 产品包括 ip4221cz6-xs esd 保护芯片,其间距为创记录的 0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的 ip4253 和 ip4254 emi 滤波器现已以 4、6 和 8 信道配置开始供货,其元件特性值分别为 15 pf - 100 - 15 pf 和 15 pf - 200 - 15 pf。完全符合 rohs 要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。 来源:小草

  • 恩智浦有最高水平ESD保护功能的超薄EMI滤波器

    超薄型 emi 滤波器的技术突破源于恩智浦开发的 utlp 平台。恩智浦 utlp 平台 (荣获2006 年香港行业大奖:科技成就奖) 使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻 (substrate and etching) 技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp 提高了"silicon to plastic"比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的 utlp 产品包括 ip4221cz6-xs esd 保护芯片,其间距为创记录的 0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的 ip4253 和 ip4254 emi 滤波器现已以 4、6 和 8 信道配置开始供货,其元件特性值分别为 15 pf - 100 - 15 pf 和 15 pf - 200 - 15 pf。完全符合 rohs 要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。 如需完整的恩智浦 sod882/sot883 (尺寸为 1.0 x 0.6 x 0.5 mm) 超小型无铅设备系列的

  • 恩智浦推出业界最高的ESD保护水平的超薄EMI滤波器

    决方案相比,可将面积缩减30%以上。 超薄型emi滤波器的技术突破源于恩智浦开发的utlp平台。恩智浦utlp平台(荣获2006年香港行业大奖:科技成就奖)使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻(substrate and etching)技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15 pf – 100 Ω - 15 pf 和15 pf – 200 Ω - 15 pf。完全符合rohs要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。

  • NXP超薄EMI滤波器集成最高水平的ESD保护功能

    30%以上。 超薄型emi滤波器的技术突破源于恩智浦开发的utlp平台。恩智浦utlp平台(荣获2006年香港行业大奖:科技成就奖)使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻(substrate and etching)技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。

  • 恩智浦推出超薄EMI滤波器,集成了最高水平的ESD保护功能

    mm,与其他0.5mm焊点间距的解决方案相比,可将面积缩减30%以上。 超薄型emi滤波器的技术突破源于恩智浦开发的utlp平台。恩智浦utlp平台使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻(substrate and etching)技术,灵活地在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,因而非常适合高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15pf–100?-15pf 和15pf–200?-15pf。完全符合rohs要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。

  • NXP新款EMI滤波器具备业界最高的ESD保护水平

    解决方案相比,可将面积缩减30%以上。 超薄型emi滤波器的技术突破源于恩智浦开发的utlp平台。恩智浦utlp平台(荣获2006年香港行业大奖:科技成就奖)使设计师可以借助正在申请专利的基材和蚀刻(substrate and etching)技术,在越来越纤薄的消费电子产品中添加更多功能。utlp提高了“silicon to plastic”比率,因其电路长度和内部走线更短,相对其他塑封装,它具有更小的寄生电容和电感,适合于高频应用。 目前可用的恩智浦其他的utlp产品包括ip4221cz6-xs esd保护芯片,其间距为创记录的0.35mm。 产品供应 超薄无铅封装的ip4253和ip4254 emi滤波器现已以4、6和8信道配置开始供货,其元件特性值分别为15pf-100ω-15pf和15pf-200ω-15pf。完全符合rohs要求的无铅型和无卤素塑胶材料的绿色封装型都已开始量产。

ip4221cz6-xs替代型号

IP4001 IP3842N IP3842 IP3023 IP2022/PQ80-120 IP2022 IP2003ATRPBF IP2003ATR IP2003A IP2002

IP4281CZ10 IP4283CZ10-TB IP4770CZ16 IP4771CZ16 IP4772 IP4772CZ16 IP4776CZ38 IP4777CZ38 IP4778CZ38 IP568X

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