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Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0...
IRF
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Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0...
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HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 75V ,...
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考电压vref比较利用sg3525控制芯片放大得到的误差信号ve与锯齿波信号经pwm比较器比较，输出一定占空比的系列脉冲控制开关管，从而稳定输出电压。 图8 闭环控制原理图 3 仿真分析 仿真参数：vin=300v，f=50khz， d=0.4，v0=5v，p0 =100w，c1=c2=600uf，c3=20uf，c4=2uf，c5=1000uf，l1=l2=30uh，l3=10uh；开关管选用irf255，rds=0.2ω，id=21a，vdss=250v，整理管选用irf1407l，rds=0.01ω，id=100a，vdss=75v，变压比n=26。 图9 变压器原边电压 图10 变压器原边电流 图11 整流管vq3电压 图12 整流管vq3电流 图13 未加l3输出电感l1及l2电流 图14加l3后输出电感l1及l2电流 图15 输出电流 可以看出，图 14中由于加了l3电感，电流纹波比较图 13明显减小， 其余各点仿真波形非常接近理想情况下的工作波形，验证了该拓扑结构的高效性。 4 结束语 本文研究了一种
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