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起直流稳压（流）电子负载核心作用的功率
只不过检测的变量是输出电压，这一输出电压是经过分压器ra/rb衰减的，所以电子负载的工作电压比运放电源电压高。检测出的电压被反馈到 ic1b 的非反相输入端，mosfet 再次工作在线性区。负载电压vload=vvref×(ra+rb)/rb。 ca3240型双运放ic1可以在输入电压低于负电源电压的情况下工作，这对单电源供电非常有用，然而，如果你有对称电源，那就可以采用任何运放。继电器 k1通过一根驱动q1 的数字控制线来切换工作模式。mosfet 是至关重要的；你可以增加这个并联使用的irf150器件，以提高电流承受能力，因为irf150具有正的温度系数，从而可均衡流过两只并联 mosfet的电流。由于电路中使用两只 mosfet，电子负载可承受10a 电流，功耗大于 100w，所以使用一只散热器和小风扇是个好主意。本电路适用于描述有两种电源模式的光伏电池模块的特性。采用本电路和基于pc的设置时，helios技术公司（www.heliostechnology.com）的一个光伏电池模块的i-v特性曲线表明有一个区在vmpp（最高点的电压）以上，在vmpp这一电压下，陡峭的过渡与一个电
起直流稳压（流）电子负载核心作用的功率 MOSFET
只不过检测的变量是输出电压，这一输出电压是经过分压器ra/rb衰减的，所以电子负载的工作电压比运放电源电压高。检测出的电压被反馈到 ic1b 的非反相输入端，mosfet 再次工作在线性区。负载电压vload=vvref×(ra+rb)/rb。 ca3240型双运放ic1可以在输入电压低于负电源电压的情况下工作，这对单电源供电非常有用，然而，如果你有对称电源，那就可以采用任何运放。继电器 k1通过一根驱动q1 的数字控制线来切换工作模式。mosfet 是至关重要的；你可以增加这个并联使用的irf150器件，以提高电流承受能力，因为irf150具有正的温度系数，从而可均衡流过两只并联 mosfet的电流。由于电路中使用两只 mosfet，电子负载可承受10a 电流，功耗大于 100w，所以使用一只散热器和小风扇是个好主意。本电路适用于描述有两种电源模式的光伏电池模块的特性。采用本电路和基于pc的设置时，helios技术公司（www.heliostechnology.com）的一个光伏电池模块的i-v特性曲线表明有一个区在vmpp（最高点的电压）以上，在vmpp这一电压下，陡峭的过渡与一个电
单端A类放大器及场效应管（3）
小，电容电压在很长一段时间内能基本保持不变，当管子工作于可调电阻区时，其漏源极电阻将受到栅源极电压即电容的电压所控制，这时管子相当于压控可变电阻，当指触( 依手指电阻导电) 开关s1 闭合，即向电容充电，当指触开关s2闭合，即将电容放电，从而达到以电压控制漏源极电阻的目的，将其按入音响设备中，即可调节音量的大小。s1 和s2 可用薄银片或薄铜片制作，间距2 mm 左右，待调试后确定，音量增减量设置在±2 db 左右。 (2) 由irf510 作源极缓冲输出，减低输出内阻，以减小场效应管irf150 输入电容对高频的影响，采用irf150 双管并联变压器单端输出。 (3) 采用性能超群的全耦合变压器，自制采用z11 或h10 芯片，截面积取26 mm×50 mm ；初级共240 匝，由两个120 匝的绕组串联；次级用120 匝，由两个120 匝的绕组并联，实际制作时，用两根ф0.77 mm 和两根ф1.04 mm 高强度漆包线四股并绕，分清四个绕组的头和尾，再将两个ф0.77 mm 绕组的头和尾串联作为初级，将两个ф1.04 mm 绕组头头和尾尾并联作为次级，硅钢片顺插，
新手上路：制作一款工频逆变器
工频逆变器以其线路简单，易于初学者制作、调式，抗过载能力强，成本低，实用等优点，深受广大电子制作爱好者的青睐。去年我用下图做了一个家用逆变器，把bg5换成lm7812的三端稳压，功率管用4对irf150变压器是500w200、220、240、260v多抽头输出，一制即成，用来启动电脑和电视机毫不费力，只是带电风扇稍逊一筹。声音要大一些，转速慢一些。当停电时，搬出来就用。大家都没有电，唯独我家满屋亮堂堂的。后来，充电时被小孩接通了逆变lm7812和4对irf150还有滤波电容一齐完蛋了，我心都痛了。都怪我没有用继电器用来切换逆、充啊! 图1 简单实用的逆变电源电路图在此期间又买回tl494和4对irf540又做了一个逆变驱动板，发现在50hz左右时(没有频率表，以长期做逆变器的经验靠耳听音频，哈哈~~~厉害吧!)带小功率的变器还可以，500va的ups的变压器时居然不稳断断续续的，电流很大场管急剧发热，带500w的变压器有时稳有时不稳，说不定换一根粗一点的线，或是把板子移动个方向就不稳了，最后弃用! 图如下：图2 可以自动稳压的逆变电路图制作没有因此而停下
功率MOSFET并联均流问题研究
感ls、漏极引线电感ld等。在多管并联时一定要尽量使并联各支路的rg及对应的各引线长度相同。图22 q值对并联均流的影响在此引入q轨迹[3]把器件内部参数同其外围线路联系起来，分析线路中各种寄生因素对并联均流的影响。当n个功率mosfet并联工作时，假设各支路的rg完全相同，栅漏源极连线长度也各自相同。定义q值如式（1）。q=iglx （1）式中：ig为工作区内的平均栅极电流；lx=lss1＋lss2＋ld/n其中lss1及lss2为外围线路电感。2.1 q值对器件工作状态的影响不同q值下irf150开通和关断时漏电流id和漏源电压vds曲线如图1中实线所示。而在q=q2，ls/lx不同时，器件开关时id与vds波形如图1中虚线所示。从图1中实线可以看出，q值越大，换向时间越短，开通损耗越低但关断损耗增大；从图1中虚线可以看出在线路中引入源极电感，器件的开关轨迹发生很大变化，开通损耗增加而关断损耗减小。在高频情况下，器件的开关时间和开关损耗对整个系统效率的提高至关重要。从上面的分析可知器件理想的工作条件应该是在相对较高的q值下。以下基于不同q值，通过仿真软件pspice分析外围线路中

IRF150
40.0A/100V

逆变器电路8
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逆变电源--高手请进
改正的图，麻烦再看看吧 1.d4为反极性保护用的2.q2 q4是在负脉冲的时候，使irf150迅速放电的3.3525片内放大器开环工作，我是用来做比较器用的4.输出是220v/50hz的，是不是要加桥式转换呀http://bbs.21ic.com/upfiles/img/200612/200612219958769.pdf

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起直流稳压（流）电子负载核心作用的功率 MOSFET

单端A类放大器及场效应管（3）

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