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Trans MOSFET PCH 200V 11A 3Pin(3+Tab) TO220AB/22+/23+
原装,假一罚十
阻设定的状态值时,则该电阻端取样电压小于3.3 v。取样电阻r1,r2,r3,r4,r5的取值可由下面的方程组求得: 解得: 编码器74hcl48低电平有效,所以在比较器lml39的后面又接了反相器74hc04,编码器输入/输出的二进制码(真值表)与电池电压的关系如表1所示。 1.2 电源各路开关控制模块电路设计 该电源系统各支路的开关控制主要由场效应管构成的开关电路来实现。实现该功能的电路结构如图3所示。 场效应管选择了增强型p沟道场效应管irf9640和增强型n沟道场效应管vn2222l。以场效应管irf9640作为开关管来控制电路的通和断,以场效应管vn2222l作为开关控制管来控制场效应管irf9640的开和关。当控制信号输入端输入高电平时,开关电路导通;当控制信号输入端输入低电平时,开关电路断开。经过试验测得:当控制信号电压从0 v逐渐上升到1.8 v时开关导通;当电压从高电平(如3.3 v)逐渐下降到1.8 v时开关断开。此开关电路的性能如图4所示。 1.3 电源转换模块电路设计 电源转换电路芯片主要选用的是金升阳
技术成功地设计出了一种输入范围为120~800 v, 输出功率为20 w的辅助开关电源。 本设计采用直流120~800 v输入, 输出单路为20 v/1 a, 其实验的工作频率f为100 khz, 主变压器选用pc40 ee25高频磁芯, 驱动隔离变压器选用t57 r12.5×7.5×5高频脉冲变压器磁芯, 主开关vt1 和vt2 选用apt 4m120k n沟道mosfet,钳位二极管vd1和vd2选用her308肖特基二极管, 整流二极管vd3选用cq504, 保护电路开关管vd4选用irf9640 p沟道mosfet。 5 结束语 实验证明, 由于本设计采用了反激式拓扑结构, 因此, 电路工作稳定度好。这种结构的特点是整个电路使用元器件少, 本身固有效率高(典型效率为80%), 采用单片开关控制, 整体设计比较经济, 又因为和主功率回路分开, 从而避免了相互干扰, 提高了可靠性。 来源:风里来雨里去
11.0A/200V
其中两个音频放大器可以使立体声放大器每声道功率为200w。 irf640和irf9640 mosfet用于驱动输出负载,值为4ω或8ω。响应为12hz至45khz(-3分贝),总谐波失真为0.1%。最高功率为600w。 来源:zhengwei
irf9640\irf740请教:irf9640太烫(负载电流300ma),g加了控制电压后,ds间有1.1v电压(电源电压+26v.0v.-26v),就是说ds间阻值大了(不知道这么叙述是否正确)。那么什么管子可以取代irf9640?还有用irf740控制消除反向电动势,应该注意些什么?
irf9640性能测试现在要在一批irf9640挑出性能好一点的,应该如何检测?各位老师请多指教,谢谢! * - 本贴最后修改时间:2007-3-21 10:10:01 修改者:liht1634
恒流源电路求助各位给看看这个电路图能否实现压控恒流的功能,输入正负3v的电压,在负载线圈上产生正负3安的电流,用的两个mosfet管分别是irf640和irf9640,我用workbench仿真了一下,发现不行