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irgb15b60kd中文资料

  • 分析PWM整流器能量双向传输的设计与实现

    。 igbt 的转移特性是指输出漏极电流id 与栅源电压ugs 之间的关系曲线。它与mosfet 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs（th） 时，igbt 处于关断状态。在igbt 导通后的大部分漏极电流范围内， id 与ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15v左右。 igbt 具有开关速度快，电压控制的特点，同时又具有电流、电压容量大，导通压降小的优点，因而具有良好的特性，是目前大中功率电子设备普遍使用的开关器件。本系统采用国际整流器公司生产的irgb15b60kd型号的开关管，它的耐压为600v,允许通过的最大电流为15a,正常工作压降为1.8v;栅极驱动电压为15v,开通时间延迟为34ns,关断时间延迟为184ns。驱动电路如图3（a）所示。 图3（a） igbt驱动电路 驱动芯片ir2103s的内部结构如图3（b）所示。ir2103s是半桥驱动芯片，具有低压自锁功能，当栅极驱动电压小于11v时，断开栅极信号，当栅极电压低于10v时，igbt将工作于线性区并且很快过热，所以要有低栅压保护电路。igbt栅极需要15v才能达到额定的c-e结导通压

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IRG4PF50WPBF IRG4PF50WDPBF IRG4PF50W IRG4PC50UD IRG4PC40W IRG4PC40UDPBF IRG4BC20SD IRG4BC20F IRFZ48N IRFZ46NS

IRGB4062DPBF IRGBC30U IRGP30B120KD IRGP30B120KD-E IRGP50B60PD IRGP50B60PDPBF IRGPS40B120UDPBF IRIS4007 IRIS4011 IRIS4015

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