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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006...
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HEXFET Power MOSFET
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HEXFET Power MOSFET
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块的捕捉／比较寄存器pca0cpln和pca0cphn中存放pwm输出信号占空比高电平时间值。如果需要改变占空比，可在运行中改变pca0cphn的值，比例电磁铁的推杆位移与pca0cphn的值成比例。 在驱动电路中需要将pwm输出的电压信号转换为比例电磁铁的控制电流信号，而且要保证较好的比例特性关系。利用场效应管的转移特性，当场效应管的漏源极之间的电压vds保持不变时，漏极电流id与栅源之间电压vgs的关系称为“转移特性”，其表达式为： 本控制电路采用了大功率场效应晶体管irl3803，其电流输出足够驱动比例电磁铁的动作。irl3803的漏极电流id和栅源电压vgs具有很好的线性关系，将栅极与c8051f005单片机的p0.0口(通过软件编程pca选择的pwm信号输出引脚)，将irl3803的漏极与比例电磁铁相连。本电路中，比例电磁铁是gp80，其额定吸力是120n，行程为8 mm，额定电压为24 v。 在进行控制时，通过改变输入到比例电磁铁开关电信号“占空比”来实现控制电流的大小。占空比越大，通过电磁铁线圈的控制电流越大，控制输出的位移也越大。 比例电磁铁驱动电路如图1
/比较寄存器pca0cpln和pca0cphn中存放pwm输出信号占空比高电平时间值。如果需要改变占空比，可在运行中改变pca0cphn的值，比例电磁铁的推杆位移与pca0cphn的值成比例。 在驱动电路中需要将pwm输出的电压信号转换为比例电磁铁的控制电流信号，而且要保证较好的比例特性关系。利用场效应管的转移特性[4]，当场效应管的漏源极之间的电压vds保持不变时，漏极电流id与栅源之间电压vgs的关系称为“转移特性”，其表达式为： 本控制电路采用了大功率场效应晶体管irl3803，其电流输出足够驱动比例电磁铁的动作。irl3803的漏极电流id和栅源电压vgs具有很好的线性关系，将栅极与c8051f005单片机的p0.0口（通过软件编程pca选择的pwm信号输出引脚），将irl3803的漏极与比例电磁铁相连。本电路中，比例电磁铁是gp80，其额定吸力是120 n，行程为8 mm，额定电压为24 v。 在进行控制时，通过改变输入到比例电磁铁开关电信号“占空比”来实现控制电流的大小。占空比越大，通过电磁铁线圈的控制电流越大，控制输出的位移也越大。 比例电磁铁驱动
io的10%～30％比较合适。在本文中，为了更好地限制输出电流中的纹波含量，取△il为输出电流io的10%。综上，由式(13)可求得电感l的大小。 2.3.3 输出电容c4的计算 输出电容的大小丰要由输出纹波电压抑制的限值而确定，也就是由△il以及输出电容的等效串联电阻esr确定。通常输出纹波电压取为输出电压的0．3％～o．5%，在本文中纹波电压取0．3％。所以，可求得 在求出esr后，可根据厂家提供的产品手册选取合适的滤波电容。 3 实验结果 irl3803，变压器原边磁复位电路中所用的二檄管为philips(飞利浦)的byv26g。这里必须指出的是，在进行整流管和续流管的选型时，除了要考虑功率器件的耐压、通流能力外，还应特别注意导通电阻值的大小。本文选择的irl3803是ir公司推出的专门用于同步整流的mos管，导通电阻只有6mω，能够最大程度减小导通损耗和从而减小发热。由式(5)～式(14)计算可得变压器原边、副边、第三绕组的变比为170：3：255；输出滤波电感为14．72μh；电容为9900μf。负载为单体铅酸蓄电池。 实验主要技术条件如
120.0A/30V
在进行控制时，通过改变输入到比例电磁铁开关电信号“占空比”来实现控制电流的大小。占空比越大，通过电磁铁线圈的控制电流越大，控制输出的位移也越大。 比例电磁铁驱动电路如图1所示。在驱动电路中。 rl是限流电阻，使irl3803管导通；dl是导向二极管，给irl3803管提供正确的电压极性；二极管d2起保护作用，避免过压时损坏比例电磁铁。比例电磁铁由24 v电压直接供电。 来源:lover
irl3803场效应管怎么能通过那么大的电流呢?irl3803的管脚截面积不过0.5平方毫米，怎么能通过140a电流呢？
irl3803小心,vds比较小(30v)
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